圖片來源:Riber
據(jù)介紹,MBE 8000可批量生長(zhǎng)8片6英寸外延或4片8英寸外延,相比市面上現(xiàn)有的外延設(shè)備,MBE 8000設(shè)備性能突出,生產(chǎn)效率翻倍,產(chǎn)能可提升50%。另值得關(guān)注的是,由于元件設(shè)計(jì)、系統(tǒng)幾何、過程控制等相同,MBE 8000操作簡(jiǎn)易,且能夠確保在最短的時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)工藝轉(zhuǎn)移。
此外,在VCSEL型結(jié)構(gòu)及0.8-8μm大小的顆粒上經(jīng)過30次以上的測(cè)量,MBE 8000的缺陷密度均小于50個(gè)顆粒/㎡。而本次獲得外延生廠商的最終認(rèn)證,也證明了這款設(shè)備在工藝、耐用性、穩(wěn)定性、人類工程學(xué)及控制等方面皆有不錯(cuò)的表現(xiàn)。
因其技術(shù)的靈活性,MBE 8000設(shè)備可匹配VCSEL、晶體管、感測(cè)器等對(duì)均勻性、再現(xiàn)性及穩(wěn)定性要求嚴(yán)苛的化合物半導(dǎo)體應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
另外,Riber日前還表示,其亞洲工業(yè)應(yīng)用客戶訂購(gòu)了兩臺(tái)MBE 6000s多片機(jī)。這款設(shè)備將主要用于生產(chǎn)移動(dòng)通訊用的HEMT外延片,射頻及光通訊設(shè)備用的銻基光電器件等。(集邦化合物半導(dǎo)體Jenny編譯)
更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊,請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào):集邦化合物半導(dǎo)體。
]]>