集邦化合物半導(dǎo)體走訪發(fā)現(xiàn),首屆SEMiBAY灣芯展匯集了天科合達(dá)、天岳先進(jìn)、南砂晶圓、天域半導(dǎo)體、瀚天天成等國內(nèi)碳化硅材料(襯底/外延)領(lǐng)域頭部廠商,方正微電子、華潤微電子、至信微電子等碳化硅器件環(huán)節(jié)知名廠商,以及晶盛機(jī)電、納設(shè)智能、優(yōu)睿譜、北方華創(chuàng)、中微公司、卓興半導(dǎo)體、快克芯裝備等碳化硅設(shè)備細(xì)分賽道重量級(jí)玩家。
上述各大廠商分別展示了在第三代半導(dǎo)體碳化硅、氮化鎵材料、器件、設(shè)備等各個(gè)細(xì)分領(lǐng)域的最新技術(shù)與產(chǎn)品,將共同推動(dòng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展。在展會(huì)現(xiàn)場(chǎng),集邦化合物半導(dǎo)體收集到20多家三代半廠商展品信息,匯總?cè)缦拢?/p>
材料領(lǐng)域,天科合達(dá)、天岳先進(jìn)、南砂晶圓、天域半導(dǎo)體、瀚天天成、中環(huán)領(lǐng)先、江豐電子等廠商重點(diǎn)展示了6/8英寸碳化硅襯底及外延片,先導(dǎo)集團(tuán)還展示了砷化鎵、磷化銦襯底及外延片。
天科合達(dá)
首屆SEMiBAY灣芯展,天科合達(dá)展示了碳化硅晶錠、6/8英寸碳化硅襯底、6/8英寸碳化硅外延片等系列產(chǎn)品,顯示其正在全面布局碳化硅襯底及外延領(lǐng)域。
目前,天科合達(dá)8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底已實(shí)現(xiàn)批量供應(yīng),擁有零微管密度控制技術(shù)、低位錯(cuò)密度控制技術(shù)、低層錯(cuò)密度控制技術(shù)、電阻率均勻性控制技術(shù)、低應(yīng)力及面型控制技術(shù)等多項(xiàng)技術(shù)優(yōu)勢(shì)。其碳化硅外延片BPD轉(zhuǎn)化效率>99%,表面缺陷<0.2個(gè)/cm2。
天岳先進(jìn)
本屆SEMiBAY灣芯展,天岳先進(jìn)帶來了6英寸熱沉碳化硅襯底、6英寸P型碳化硅襯底、6英寸碳化硅基異質(zhì)符合襯底、6/8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底、6/8英寸高純半絕緣碳化硅襯底等各類產(chǎn)品。
其中,天岳先進(jìn)6/8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底片已大規(guī)模應(yīng)用于新能源汽車主驅(qū)逆變器和車載充電系統(tǒng),并得到充分驗(yàn)證,能夠滿足車規(guī)級(jí)功率器件性能需求。天岳先進(jìn)已實(shí)現(xiàn)了近“零TSD”和低BPD密度的8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶襯底制備,有效提升晶圓制備利用率,產(chǎn)品滿足芯片最高安全需求,保證了下游晶圓制備產(chǎn)能、良率和穩(wěn)定性。
南砂晶圓
本屆SEMiBAY灣芯展,南砂晶圓展示了6/8英寸導(dǎo)電型碳化硅晶錠和6/8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底片。
今年6月22日,南砂晶圓8英寸碳化硅北方基地項(xiàng)目宣布正式投產(chǎn)。當(dāng)天,南砂晶圓董事長王垚浩在受訪時(shí)表示,碳化硅進(jìn)入8英寸時(shí)代比預(yù)想的要早、要快。今后三年,南砂晶圓投資擴(kuò)產(chǎn)的重中之重將放在濟(jì)南北方基地項(xiàng)目上,大幅提升8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能。
中環(huán)領(lǐng)先
作為光伏頭部廠商之一,中環(huán)領(lǐng)先在本屆SEMiBAY灣芯展上展示了6/8英寸碳化硅外延片、6/8英寸氮化鎵外延片。
近年來,通威集團(tuán)、合盛硅業(yè)、弘元綠能、高測(cè)股份、捷佳偉創(chuàng)、連城數(shù)控、邁為股份、奧特維等主流光伏廠商均積極拓展碳化硅相關(guān)業(yè)務(wù)。
天域半導(dǎo)體
本屆SEMiBAY灣芯展,天域半導(dǎo)體重點(diǎn)展示了6/8英寸碳化硅外延片。
天域于2021年開始了8英寸碳化硅外延的技術(shù)儲(chǔ)備,并于2023年7月啟動(dòng)8英寸碳化硅外延產(chǎn)品小批量送樣。其超過千片的量產(chǎn)數(shù)據(jù)表明,8英碳化硅外延產(chǎn)品與6英寸碳化硅外延產(chǎn)品水平相當(dāng)。
瀚天天成
本屆SEMiBAY灣芯展,瀚天天成展示了8英寸碳化硅外延片。作為大中華區(qū)首家發(fā)布并量產(chǎn)8英寸碳化硅外延的廠商,瀚天天成實(shí)現(xiàn)了超過12個(gè)月連續(xù)穩(wěn)定批量交付。
瀚天天成擁有片間濃、厚度高一致性控制技術(shù)、片內(nèi)厚度高精準(zhǔn)控制技術(shù)(所有點(diǎn)容差)、片內(nèi)濃度高精準(zhǔn)控制技術(shù)(所有點(diǎn)容差)、高BPD轉(zhuǎn)化率外延生長技術(shù)、大管芯高良率外延生長技術(shù)等技術(shù)優(yōu)勢(shì)。
江豐電子
本屆SEMiBAY灣芯展,江豐電子展示了6/8英寸碳化硅外延片。
目前,江豐電子正在通過其控股子公司晶豐芯馳全面布局碳化硅外延領(lǐng)域,碳化硅外延片產(chǎn)品已經(jīng)得到多家客戶認(rèn)可。
先導(dǎo)集團(tuán)
本屆SEMiBAY灣芯展,先導(dǎo)集團(tuán)展示了4/6英寸砷化鎵襯底、6英寸砷化鎵外延片、2/4英寸磷化銦襯底、4英寸磷化銦外延片等產(chǎn)品。
目前,先導(dǎo)集團(tuán)可提供使用VGF技術(shù)生長的2-6英寸的砷化鎵襯底,包括半絕緣砷化鎵襯底(無摻雜)和半導(dǎo)體砷化鎵襯底(摻Si或摻Zn),以及用于VCSEL和RF應(yīng)用的低位錯(cuò)砷化鎵襯底。亦可根據(jù)客戶需求,定制非標(biāo)厚度和晶向的砷化鎵襯底。同時(shí),先導(dǎo)集團(tuán)可提供使用2-4英寸的磷化銦襯底,包括半絕緣磷化銦襯底(摻Fe)和半導(dǎo)體磷化銦襯底(摻Si或摻Zn),以及用于特定用途的低位錯(cuò)磷化銦襯底。亦可根據(jù)客戶需求,定制非標(biāo)厚度和晶向的磷化銦襯底。
器件領(lǐng)域,方正微電子、華潤微電子、至信微電子、基本半導(dǎo)體等廠商重點(diǎn)展示了車用碳化硅MOSFET和模塊,顯示了碳化硅加速“上車”趨勢(shì)。
方正微電子
本屆SEMiBAY灣芯展,方正微電子展示了碳化硅MOSFET、碳化硅車規(guī)模組以及氮化鎵HEMT等豐富多樣的產(chǎn)品。
在SEMiBAY灣芯展開幕式上,方正微電子發(fā)布了車規(guī)/工規(guī)碳化硅MOSFET 1200V全系產(chǎn)品,覆蓋了新能源汽車應(yīng)用的全場(chǎng)景。其中,1200V 16m/18m/20mΩ應(yīng)用于主驅(qū)逆變控制器,1200V 35m/60m/85mΩ應(yīng)用于OBC,1200V 60m/85mΩ應(yīng)用于DC/DC,1200V 60m/85mΩ應(yīng)用于空調(diào)壓縮機(jī),1200V 16m/20m/35m/60mΩ應(yīng)用于充電樁等場(chǎng)景。目前,方正微電子車規(guī)1200V碳化硅MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)規(guī)模應(yīng)用,特別是已在新能源汽車主驅(qū)控制器上規(guī)模上車。
華潤微電子
本屆SEMiBAY灣芯展,華潤微電子展示了碳化硅MOSFET模塊產(chǎn)品,可廣泛應(yīng)用于電動(dòng)壓縮機(jī)、三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)器、電機(jī)和牽引驅(qū)動(dòng)器、車載OBC等場(chǎng)景。
在氮化鎵領(lǐng)域,2024年上半年,華潤微完成8英寸中壓(100-200V)增強(qiáng)型P-GaN工藝平臺(tái)建設(shè),并完成首顆150V/36A增強(qiáng)型器件樣品的制備。同時(shí),華潤微采用新型的GaN控制及驅(qū)動(dòng)技術(shù),開發(fā)原邊、副邊控制芯片,及GaN驅(qū)動(dòng)芯片,推出基于GaN的高效能快充系統(tǒng)方案,最大輸出功率可達(dá)65W。
至信微電子
本屆SEMiBAY灣芯展,至信微電子展示了650V/900V/1200V/1700V等不同電壓等級(jí)的碳化硅MOSFET以及模塊產(chǎn)品。
至信微電子碳化硅MOSFET取得了AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證,并通過了HV-H3TRB測(cè)試。其中,1200V碳化硅MOSFET技術(shù)平臺(tái)取得了AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證,通過了960V HV-H3TRB測(cè)試,1200V、750V系列MOSFET已通過HTRB(175°C/100%BV)1000小時(shí)、HVH3TRB(高壓)1000小時(shí)等多項(xiàng)可靠性考核。
基本半導(dǎo)體
本屆SEMiBAY灣芯展,基本半導(dǎo)體重點(diǎn)展示了碳化硅SBD、MOSFET晶圓以及各類工業(yè)級(jí)/汽車級(jí)碳化硅MOSFET模塊產(chǎn)品,其中,汽車級(jí)碳化硅模塊可廣泛應(yīng)用于新能源乘用車、商用車等的電氣驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、燃料電池能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等場(chǎng)景,工業(yè)級(jí)碳化硅模塊可應(yīng)用于不間斷電源UPS、高端工業(yè)電焊機(jī)等場(chǎng)景。
今年9月26日,廣汽埃安旗下埃安AION RT開啟全球預(yù)售,搭載了基本半導(dǎo)體750V全碳化硅功率模塊。
設(shè)備領(lǐng)域,晶盛機(jī)電、納設(shè)智能、優(yōu)睿譜、北方華創(chuàng)、中微公司、卓興半導(dǎo)體、快克芯裝備、芯三代、思銳智能等廠商帶來了碳化硅產(chǎn)線各個(gè)環(huán)節(jié)所需的相關(guān)設(shè)備,各有千秋。
晶盛機(jī)電
本屆SEMiBAY灣芯展,晶盛機(jī)電展示了8英寸碳化硅晶錠和8英寸碳化硅晶圓產(chǎn)品。
作為一家半導(dǎo)體設(shè)備廠商,晶盛機(jī)電在碳化硅領(lǐng)域開發(fā)了6-8英寸碳化硅長晶設(shè)備、切片設(shè)備、減薄設(shè)備、拋光設(shè)備、外延設(shè)備等,實(shí)現(xiàn)了碳化硅外延設(shè)備的國產(chǎn)替代,并創(chuàng)新性推出雙片式碳化硅外延設(shè)備,大幅提升外延產(chǎn)能。
納設(shè)智能
本屆SEMiBAY灣芯展,納設(shè)智能展示了6英寸碳化硅外延設(shè)備以及單、雙腔8英寸碳化硅外延設(shè)備。
其中,納設(shè)智能6英寸碳化硅外延設(shè)備在2023年已批量出貨給多家外延客戶,也獲得了批量驗(yàn)收。在此基礎(chǔ)上,納設(shè)智能研發(fā)并交付了8英寸碳化硅外延設(shè)備,其具備獨(dú)特的反應(yīng)腔室設(shè)計(jì)、可獨(dú)立控制的多區(qū)進(jìn)氣方式等特點(diǎn),能提高外延片的均勻性,降低外延缺陷及生產(chǎn)中的耗材成本。目前,該設(shè)備已銷售給多個(gè)客戶。
優(yōu)睿譜
本屆SEMiBAY灣芯展,優(yōu)睿譜展示了6/8寸碳化硅襯底位錯(cuò)、微管檢測(cè)設(shè)備SICD200,6/8寸碳化硅襯底邊緣、宏觀缺陷檢測(cè)設(shè)備SICE200,6/8寸硅/碳化硅晶圓襯底及同質(zhì)外延片電阻率(載流子濃度)測(cè)量設(shè)備SICV200,6/8寸硅/碳化硅晶圓元素濃度與外延膜厚量測(cè)設(shè)備Eos200/Eos200+等產(chǎn)品。
優(yōu)睿譜半導(dǎo)體于2023年推出了SICD200和SICV200。其中,SID200可實(shí)現(xiàn)碳化硅位錯(cuò)檢測(cè)的整片晶圓全檢測(cè),并已獲境外顧客訂;SICV200可用于硅片電阻率、碳化硅或其它半導(dǎo)體材料摻雜濃度的測(cè)量,已得到多家客戶的訂單。今年6月,優(yōu)睿譜再交付客戶一款晶圓邊緣檢測(cè)設(shè)備SICE200。
北方華創(chuàng)
本屆SEMiBAY灣芯展,北方華創(chuàng)展示了8英寸立式爐、立式/臥式管舟清洗設(shè)備、擴(kuò)散/氧化系統(tǒng)等碳化硅相關(guān)設(shè)備。
北方華創(chuàng)專注于半導(dǎo)體基礎(chǔ)產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和技術(shù)服務(wù),在半導(dǎo)體裝備業(yè)務(wù)板塊,北方華創(chuàng)的主要產(chǎn)品包括刻蝕、薄膜沉積、爐管、清洗、晶體生長等核心工藝裝備,廣泛應(yīng)用于功率半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體、襯底材料等制造領(lǐng)域。
中微公司
本屆SEMiBAY灣芯展,中微公司展示了一款氮化鎵功率器件量產(chǎn)MOCVD設(shè)備PRISMO PD5。
中微公司主要擁有五類設(shè)備產(chǎn)品,分別是CCP電容性刻蝕機(jī)、ICP電感性刻蝕機(jī)、深硅刻蝕機(jī)、MOCVD、薄膜沉積設(shè)備、VOC設(shè)備。中微公司于2022年推出了PRISMO PD5,已交付至國內(nèi)外客戶,并取得了重復(fù)訂單,而碳化硅功率器件外延生產(chǎn)設(shè)備正在開發(fā)中。
卓興半導(dǎo)體
本屆SEMiBAY灣芯展,卓興半導(dǎo)體展示了多款半導(dǎo)體相關(guān)設(shè)備,其中包括高精度多功能貼片機(jī)、半導(dǎo)體銀膠粘片機(jī)等適用于碳化硅領(lǐng)域的設(shè)備。
其中,AS8123半導(dǎo)體銀膠粘片機(jī)支持2-12英寸晶圓,支持多種來料,可選配不同工藝,無往復(fù)時(shí)間,效率提升60%;AS8136高精度多功能貼片機(jī)也支持2-12英寸晶圓,能夠同時(shí)支持4張2英寸晶圓。
快克芯裝備
本屆SEMiBAY灣芯展,快克芯裝備展示了碳化硅熱貼固晶機(jī)、微納金屬銀燒結(jié)等多種碳化硅相關(guān)設(shè)備。
其中,銀燒結(jié)具有優(yōu)異的導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性高粘接強(qiáng)度和高穩(wěn)定性等特點(diǎn),其燒結(jié)體適合長期高溫服役,銀燒結(jié)是碳化硅等高功率器件/模塊的核心封裝工藝??炜诵狙b備自主研發(fā)的微納金屬銀燒結(jié)設(shè)備可滿足芯片燒結(jié)、Clip燒結(jié)以及模塊系統(tǒng)燒結(jié)等工藝需求。
思銳智能
本屆SEMiBAY灣芯展,思銳智能展示了碳化硅離子注入機(jī)SRII-4.5M/200,采用先進(jìn)的Al離子源技術(shù),Al+注入流量分別可達(dá)1mA/7mA。
思銳智能產(chǎn)品有原子層沉積鍍膜(ALD)設(shè)備、薄膜電發(fā)光顯示器(LDI)設(shè)備以及離子注入(IMP)設(shè)備三大產(chǎn)品系列。氮化鎵領(lǐng)域涉及到非常多ALD相關(guān)的應(yīng)用,而思銳智能的Transform系列量產(chǎn)型ALD沉積鍍膜設(shè)備能夠有效增強(qiáng)氮化鎵器件的性能,該系列設(shè)備于2023年7月獲得了英諾賽科的訂單。
芯三代
本屆SEMiBAY灣芯展,芯三代展示了采用其自研碳化硅外延設(shè)備制造的碳化硅外延片。
芯三代致力于研發(fā)生產(chǎn)半導(dǎo)體相關(guān)專業(yè)設(shè)備,目前聚焦于SiC-CVD裝備。芯三代將工藝和設(shè)備緊密結(jié)合研發(fā)的SiC-CVD設(shè)備通過溫場(chǎng)控制、流場(chǎng)控制等方面的設(shè)計(jì),在高產(chǎn)能、6/8英寸兼容、CoO成本、長時(shí)間多爐數(shù)連續(xù)自動(dòng)生長控制、低缺陷率、維護(hù)便利性和可靠性等方面都具有優(yōu)勢(shì)。
小結(jié)
本屆SEMiBAY灣芯展,三代半相關(guān)廠商重點(diǎn)展示了碳化硅材料、器件以及設(shè)備相關(guān)產(chǎn)品,彰顯了碳化硅產(chǎn)業(yè)的火熱發(fā)展。
在碳化硅材料端,各大廠商正在加速8英寸轉(zhuǎn)型,8英寸襯底與外延將在未來2-3年逐步起量;在器件端,相關(guān)企業(yè)重點(diǎn)搶攻車用市場(chǎng),以順應(yīng)新能源汽車大爆發(fā)帶來的產(chǎn)品需求,光伏、工業(yè)等場(chǎng)景也已成為熱門應(yīng)用方向;設(shè)備端,國內(nèi)廠商多點(diǎn)開花,尋求國產(chǎn)替代機(jī)會(huì)。
隨著碳化硅價(jià)格持續(xù)下跌,向各應(yīng)用領(lǐng)域的滲透加速,同時(shí)廠商之間的競(jìng)爭(zhēng)將更加激烈。(文:集邦化合物半導(dǎo)體Zac)
更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊,請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào):集邦化合物半導(dǎo)體。
]]>天岳先進(jìn)介紹,公司董事長宗艷民先生率團(tuán)于2024年8月30日訪問了海信集團(tuán),公司家電集團(tuán)研發(fā)技術(shù)負(fù)責(zé)人與海信空調(diào)事業(yè)部負(fù)責(zé)人等就SiC(碳化硅)半導(dǎo)體材料和器件的技術(shù)進(jìn)展方向,以及SiC功率器件在白色家電上的應(yīng)用展開了廣泛深度的交流。
來源:天岳先進(jìn)
近幾年來,在全球推行節(jié)能減碳的趨勢(shì)下,各國相繼頒布更高的能效規(guī)范,各行各業(yè)在發(fā)展過程中對(duì)提高能效的重視程度不斷提升。
以家電領(lǐng)域的空調(diào)為例,家用空調(diào)新能效標(biāo)準(zhǔn)在2020年實(shí)施,因此提高產(chǎn)品能效成為空調(diào)產(chǎn)品升級(jí)的重要方向,而SiC器件因其耐高溫、耐高壓、高功率、高頻率等優(yōu)異的性能和突出的“節(jié)能”效果受到空調(diào)等白色家電領(lǐng)域的廣泛關(guān)注,已成為白色家電領(lǐng)域技術(shù)創(chuàng)新重點(diǎn)方向之一,應(yīng)用包括電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源轉(zhuǎn)換、逆變器等多種場(chǎng)景。
具體來看,SiC可通過提高效率,減少空調(diào)散熱器的尺寸和熱管理成本;同時(shí),通過更高的開關(guān)頻率,降低磁性元件的成本和尺寸,實(shí)現(xiàn)更高的功率密度;此外,SiC低電磁干擾的特性可減少電磁干擾濾波器和相關(guān)研發(fā)的成本。結(jié)合這些優(yōu)勢(shì),SiC可幫助客戶提升系統(tǒng)性能、降低系統(tǒng)成本。
英飛凌、Wolfspeed、三菱電機(jī)、羅姆等SiC產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)廠商一直以來也在積極開拓白色家電市場(chǎng)。其中,Wolfspeed在2022年便公開介紹過其在空調(diào)等家電市場(chǎng)的布局和進(jìn)展。據(jù)當(dāng)時(shí)介紹,其SiC二極管已用于家用和商用空調(diào)行業(yè),系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)相比于傳統(tǒng)的快恢復(fù)二極管更高。在空調(diào)壓縮機(jī)的驅(qū)動(dòng)上,當(dāng)時(shí)也已有客戶在使用Wolfspeed的SiC MOSFET替代原有的IGBT方案,以實(shí)現(xiàn)更高的效率和功率密度。
三菱電機(jī)也在其空調(diào)產(chǎn)品中引入了基于SiC的功率半導(dǎo)體模塊,用在空調(diào)的逆變器中,大幅提高了系統(tǒng)的能效,同時(shí)減小了功率模塊的體積和重量。
除了空調(diào)之外,SiC在其他家電產(chǎn)品中的應(yīng)用前景也備受看好。比如,Wolfspeed同步拓展了SiC在電視機(jī)等更多白色家電產(chǎn)品中的應(yīng)用場(chǎng)景,此前已經(jīng)與重點(diǎn)客戶合作應(yīng)用SiC MOSFET和SiC二極管。
盡管目前SiC在家電領(lǐng)域也仍然未到大規(guī)模應(yīng)用的階段,但其技術(shù)成熟度以及成本效益已經(jīng)有了較大的提升,接下來有望進(jìn)一步打開空調(diào)、電視機(jī)、微波爐等更多家電產(chǎn)品的市場(chǎng)。
就天岳先進(jìn)與海信的合作來看,天岳先進(jìn)目前已是SiC技術(shù)推廣、產(chǎn)品應(yīng)用及產(chǎn)能擴(kuò)充等各方面的主要力量之一,而海信旗下有海信(Hisense)、東芝電視(Toshiba TV)、容聲(Ronshen)、gorenje、ASKO等多個(gè)品牌,家電產(chǎn)品系列多元化,加上其在產(chǎn)業(yè)發(fā)展上,正在向產(chǎn)業(yè)高端和高端產(chǎn)業(yè)上推進(jìn),具備充分的條件導(dǎo)入SiC技術(shù)。未來,雙方的合作有望助力SiC加速滲透白色家電市場(chǎng)。(集邦化合物半導(dǎo)體Jenny整理)
更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊,請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào):集邦化合物半導(dǎo)體。
]]>天岳先進(jìn)上半年扭虧為盈
天岳先進(jìn)2024年半年度報(bào)告數(shù)據(jù)顯示,2024年上半年,天岳先進(jìn)實(shí)現(xiàn)營收9.12億元,同比增長108.27%;歸母凈利潤1.02億元,同比扭虧為盈。
產(chǎn)品方面,目前,天岳先進(jìn)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)8英寸導(dǎo)電型襯底、6英寸導(dǎo)電型襯底、6英寸半絕緣型襯底、4英寸半絕緣襯底等產(chǎn)品的批量供應(yīng),主要客戶包括國內(nèi)外電力電子器件、5G通信、汽車電子等領(lǐng)域知名客戶。
產(chǎn)能布局方面,天岳先進(jìn)目前已形成山東濟(jì)南、濟(jì)寧碳化硅半導(dǎo)體材料生產(chǎn)基地。上海臨港智慧工廠已于2023年5月實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品交付,是其導(dǎo)電型碳化硅襯底主要生產(chǎn)基地。
技術(shù)研發(fā)方面,天岳先進(jìn)設(shè)有碳化硅半導(dǎo)體材料研發(fā)技術(shù)國家地方聯(lián)合工程研究中心、國家級(jí)博士后科研工作站、山東省碳化硅材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室等國家和省級(jí)研發(fā)平臺(tái),承擔(dān)了一系列國家和省部級(jí)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。其子公司上海天岳與長三角國家技術(shù)創(chuàng)新中心、上海長三角技術(shù)創(chuàng)新研究院共建了“長三角國家技術(shù)創(chuàng)新中心-天岳半導(dǎo)體聯(lián)合創(chuàng)新中心”,共同推動(dòng)碳化硅半導(dǎo)體領(lǐng)域關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)。
關(guān)于業(yè)績?cè)鲩L原因,天岳先進(jìn)表示,報(bào)告期內(nèi),得益于碳化硅半導(dǎo)體材料在新能源汽車及風(fēng)光儲(chǔ)等應(yīng)用領(lǐng)域的持續(xù)滲透,下游應(yīng)用市場(chǎng)持續(xù)擴(kuò)大,終端對(duì)高品質(zhì)、車規(guī)級(jí)產(chǎn)品的需求旺盛。其導(dǎo)電型產(chǎn)品產(chǎn)能產(chǎn)量持續(xù)提升,產(chǎn)品交付能力持續(xù)增加,隨著新建產(chǎn)能的利用率提升,產(chǎn)能規(guī)模的擴(kuò)大,盈利能力提高。
納芯微上半年實(shí)現(xiàn)營收8.49億元,同比增長17.30%
納芯微2024年半年度報(bào)告數(shù)據(jù)顯示,2024年上半年,納芯微實(shí)現(xiàn)營收8.49億元,同比增長17.30%;歸母凈利潤-2.65億元,歸母扣非凈利潤-2.86億元。
關(guān)于營收增長原因,納芯微表示,隨著下游汽車電子領(lǐng)域需求穩(wěn)健增長,其汽車電子領(lǐng)域相關(guān)產(chǎn)品持續(xù)放量,以及消費(fèi)電子領(lǐng)域景氣度的持續(xù)改善,其實(shí)現(xiàn)營收同比增長。
關(guān)于凈利潤下滑,納芯微表示,受整體宏觀經(jīng)濟(jì)以及市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇的影響,其產(chǎn)品售價(jià)承壓,毛利率較上年同期有所下降;同時(shí),其在市場(chǎng)開拓、供應(yīng)鏈體系建設(shè)、產(chǎn)品質(zhì)量管理、人才建設(shè)等多方面資源投入的積累,使得公司銷售費(fèi)用、管理費(fèi)用同比上升。
納芯微是一家高性能高可靠性模擬及混合信號(hào)芯片公司,產(chǎn)品涵蓋傳感器、信號(hào)鏈和電源管理三大領(lǐng)域,被廣泛應(yīng)用于汽車、泛能源及消費(fèi)電子場(chǎng)景,其中泛能源領(lǐng)域主要是指圍繞能源系統(tǒng)的工業(yè)類應(yīng)用,從發(fā)電端、到輸電、到配電、再到用電端的各個(gè)領(lǐng)域,包括光伏儲(chǔ)能、模塊電源、工控、電力電子等。
納芯微以信號(hào)鏈技術(shù)為基礎(chǔ),在模擬及混合信號(hào)領(lǐng)域開展了自主研發(fā)工作,并在傳感器、信號(hào)鏈、電源與驅(qū)動(dòng)、化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域形成了多項(xiàng)核心技術(shù),上述核心技術(shù)均已應(yīng)用于其主要產(chǎn)品。
在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域,納芯微的碳化硅二極管基于混合式PIN-肖特基二極管技術(shù),推出了1200V系列產(chǎn)品,可實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通電壓<1.4V,極低的反向漏電流uA級(jí),額定電流10倍以上的抗浪涌電流能力;碳化硅MOSFET器件基于平面柵工藝,推出新一代自對(duì)準(zhǔn)高電流密度產(chǎn)品,可實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的比導(dǎo)通電阻參數(shù)<4mohm2,損耗更低,同時(shí)兼容15V/18V驅(qū)動(dòng)電壓。該技術(shù)常用于光伏、儲(chǔ)能、充電樁、電動(dòng)汽車充電機(jī)、主驅(qū)動(dòng)等電力電子場(chǎng)景,用以降低系統(tǒng)損耗、成本及體積等參數(shù)。
揚(yáng)杰科技上半年碳化硅等產(chǎn)品訂單和出貨量同比增長
揚(yáng)杰科技2024年半年度報(bào)告數(shù)顯示,2024年上半年,揚(yáng)杰科技實(shí)現(xiàn)營收28.65億元,同比增長9.16%;歸母凈利潤4.25億元,同比增長3.43%;歸母扣非凈利潤4.22億元,同比增長3.04%。
揚(yáng)杰科技致力于功率半導(dǎo)體硅片、芯片及器件設(shè)計(jì)、制造、封裝測(cè)試等中高端領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)發(fā)展,其主營產(chǎn)品主要分為三大板塊,具體包括材料板塊(單晶硅棒、硅片、外延片)、晶圓板塊(5英寸、6英寸、8英寸等各類電力電子器件芯片)及封裝器件板塊(MOSFET、IGBT、SiC系列產(chǎn)品、整流器件、保護(hù)器件、小信號(hào)及其他產(chǎn)品系列等),產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車電子、清潔能源、5G通訊、安防、工業(yè)、消費(fèi)類電子等領(lǐng)域。
報(bào)告期內(nèi),揚(yáng)杰科技不斷加大Mosfet、IGBT、SiC等產(chǎn)品在工業(yè)、光伏儲(chǔ)能、新能源汽車、人工智能等市場(chǎng)的推廣力度,整體訂單和出貨量較去年同期提升。
上半年,揚(yáng)杰科技針對(duì)新能源汽車控制器應(yīng)用,重點(diǎn)解決了低電感封裝、多芯片均流、銅線互連、銀燒結(jié)等關(guān)鍵技術(shù),研制了750V/820A IGBT模塊、1200V/2mΩ三相橋SiC模塊。
宏微科技上半年實(shí)現(xiàn)營收6.37億元,首款1200V碳化硅MOSFET芯片研制成功
宏微科技2024年半年度報(bào)告數(shù)據(jù)顯示,2024年上半年,宏微科技實(shí)現(xiàn)營收6.37億元,同比下滑16.72%;歸母凈利潤0.03億元,同比下滑95.98%。
宏微科技從事IGBT、FRD為主的功率半導(dǎo)體芯片、單管和模塊的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,并為客戶提供功率半導(dǎo)體器件的解決方案。
報(bào)告期內(nèi),宏微科技產(chǎn)品已涵蓋IGBT、FRD、MOSFET芯片及單管產(chǎn)品300余種,IGBT、FRD、MOSFET、整流二極管及晶閘管等灌封和塑封模塊產(chǎn)品600余種,應(yīng)用于工業(yè)控制(變頻器、伺服電機(jī)、UPS及各種開關(guān)電源等),新能源發(fā)電(光伏逆變器、風(fēng)能變流器和電能質(zhì)量管理)、新能源汽車(電控系統(tǒng)、充電樁和OBC、DC電源)等領(lǐng)域。
在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域,宏微科技布局了SiC芯片和封裝業(yè)務(wù),相關(guān)的SiC模塊已批量應(yīng)用于新能源等行業(yè)。
業(yè)務(wù)進(jìn)展方面,宏微科技首款1200V SiC MOSFET芯片已研制成功,自主研發(fā)的SiC SBD(肖特基勢(shì)壘二極管)芯片已經(jīng)通過可靠性驗(yàn)證,并已通過終端客戶驗(yàn)證;其新能源汽車碳化硅模塊1款產(chǎn)品在整機(jī)客戶端認(rèn)證中,1款產(chǎn)品工藝調(diào)試中;不間斷電源(UPS)系統(tǒng)定制的三電平SiC混合模塊已經(jīng)完成開發(fā),已經(jīng)開始批量供貨;SiC混合封裝光伏用模塊已突破100萬只。
中微公司上半年?duì)I收增長36.46%,碳化硅功率器件外延生產(chǎn)設(shè)備開展驗(yàn)證測(cè)試
中微公司2024年半年度報(bào)告數(shù)據(jù)顯示,2024年上半年,中微公司實(shí)現(xiàn)營收34.48億元,同比增長36.46%;歸母凈利潤5.17億元,同比下滑48.48%;歸母扣非凈利潤4.83億元,同比下滑6.88%。
中微公司主要從事半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,通過向下游集成電路、LED外延片、先進(jìn)封裝、MEMS等半導(dǎo)體產(chǎn)品的制造公司銷售等離子體刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備和MOCVD設(shè)備、提供配件及服務(wù)實(shí)現(xiàn)收入和利潤。
報(bào)告顯示,中微公司本期刻蝕設(shè)備收入為26.98億元,較上年同期增長約56.68%,刻蝕設(shè)備占營業(yè)收入的比重由上年同期的68.16%提升至本期的78.26%。其另一重要產(chǎn)品MOCVD設(shè)備本期收入1.52億元,較上年同期減少約49.04%。
上半年,中微公司積極布局用于碳化硅和氮化鎵基功率器件應(yīng)用的市場(chǎng),并在Micro-LED和其他顯示領(lǐng)域的專用MOCVD設(shè)備開發(fā)上取得良好進(jìn)展,已付運(yùn)和將付運(yùn)幾種MOCVD新產(chǎn)品進(jìn)入市場(chǎng)。此外,本期其新產(chǎn)品LPCVD設(shè)備實(shí)現(xiàn)首臺(tái)銷售,收入0.28億元。
目前,中微公司用于碳化硅功率器件外延生產(chǎn)的設(shè)備正在開發(fā)中,已付運(yùn)樣機(jī)至國內(nèi)領(lǐng)先客戶開展驗(yàn)證測(cè)試;下一代用于氮化鎵功率器件制造的MOCVD設(shè)備也正在按計(jì)劃開發(fā)中。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)
更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊,請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào):集邦化合物半導(dǎo)體。
]]>此前在7月14日晚間,天岳先進(jìn)發(fā)布了2024年半年度業(yè)績預(yù)告。天岳先進(jìn)預(yù)計(jì)2024年上半年實(shí)現(xiàn)營收8.8億元-9.8億元,歸母凈利潤1億-1.1億元。由此可見,天岳先進(jìn)上半年?duì)I收和凈利潤符合預(yù)期。
從更長的時(shí)間軸來看,天岳先進(jìn)在2022年和2023年都沒能實(shí)現(xiàn)盈利,而在2024年上半年已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了半年度盈利,2024年下半年,疊加碳化硅襯底市場(chǎng)需求增長、天岳先進(jìn)產(chǎn)能逐步釋放、客戶訂單持續(xù)履約等方面的利好因素,天岳先進(jìn)在下半年有望持續(xù)盈利,進(jìn)而帶動(dòng)2024年全年扭虧為盈。
碳化硅加速滲透,天岳先進(jìn)進(jìn)入收獲期
目前,終端應(yīng)用領(lǐng)域?qū)Ω咂焚|(zhì)碳化硅產(chǎn)品的需求旺盛,尤其是新能源汽車產(chǎn)業(yè),碳化硅正在快速滲透,從近期密集發(fā)布的搭載碳化硅電驅(qū)、電控等產(chǎn)品的各種新車型可窺見一斑。
從今年4月發(fā)布的奇瑞汽車星途品牌全新純電SUV星紀(jì)元STERRA ES,到7月發(fā)布的第二代AION V埃安霸王龍,再到8月發(fā)布的鴻蒙智行首款豪華旗艦轎車享界S9、2025款海豹、2025款極氪007等車型,以及8月底將開啟預(yù)售的嵐圖汽車旗下嵐圖知音SUV,都搭載了碳化硅電驅(qū)或電控產(chǎn)品,碳化硅加速“上車”趨勢(shì)已十分明朗。
早期,受制于成本等原因,碳化硅產(chǎn)品基本用于新能源汽車中高端車型,近年來,隨著碳化硅產(chǎn)品成本下探,碳化硅呈現(xiàn)向中低端車型滲透之勢(shì),而中低端車型更大的市場(chǎng)和銷量帶給包括襯底企業(yè)在內(nèi)的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈上下游廠商更多機(jī)會(huì),實(shí)現(xiàn)業(yè)績?cè)鲩L。
在市場(chǎng)需求驅(qū)動(dòng)下,碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈掀起了一股投資擴(kuò)產(chǎn)熱潮,其中,碳化硅襯底頭部廠商天科合達(dá)近日再次出手,計(jì)劃擴(kuò)充年產(chǎn)約37.1萬片導(dǎo)電型碳化硅襯底的產(chǎn)能,其中包括6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底23.6萬片、8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底13.5萬片。
天岳先進(jìn)近幾年也在持續(xù)加碼碳化硅襯底產(chǎn)能,其上海臨港智慧工廠已于2023年5月實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品交付,是天岳先進(jìn)導(dǎo)電型碳化硅襯底主要生產(chǎn)基地。2024年上半年,天岳先進(jìn)上海臨港工廠產(chǎn)能持續(xù)釋放,其導(dǎo)電型碳化硅襯底產(chǎn)品產(chǎn)能產(chǎn)量持續(xù)提升,產(chǎn)品交付能力不斷增加。
基于碳化硅襯底產(chǎn)能,天岳先進(jìn)在2022年7月與某客戶簽訂了一份13.93億元的框架協(xié)議,合同期為2023年至2025年;2023年8月,天岳先進(jìn)又宣布與某客戶簽訂了一份框架采購協(xié)議,時(shí)間跨度為2024年至2026年,金額為8.05億元。兩筆訂單合計(jì)金額近22億元,將在2023年至2026年期間,對(duì)天岳先進(jìn)業(yè)績產(chǎn)生促進(jìn)作用,成為推動(dòng)其實(shí)現(xiàn)扭虧為盈的動(dòng)力之一。
價(jià)格承壓,碳化硅襯底廠商“掙錢難”
碳化硅襯底廠商業(yè)績不盡人意,與產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況密切相關(guān)。當(dāng)前,碳化硅襯底價(jià)格下降趨勢(shì)已日漸明朗,這與近年來碳化硅襯底“瘋狂”擴(kuò)產(chǎn)有直接關(guān)系,2024年,全球6英寸碳化硅襯底產(chǎn)能開始集中釋放。
在碳化硅襯底價(jià)格承壓的情況下,尋求降本增效成為各大廠商必由之路,而轉(zhuǎn)型8英寸能在一定程度上降低成本,成為各大襯底廠商關(guān)注的重點(diǎn)。
目前,Wolfspeed、天科合達(dá)、天岳先進(jìn)、三安光電等國內(nèi)外襯底大廠都在積極布局8英寸,隨著各個(gè)廠商8英寸項(xiàng)目陸續(xù)建成達(dá)產(chǎn),8英寸碳化硅襯底的競(jìng)爭(zhēng)也會(huì)加劇,相關(guān)廠商業(yè)績的未來走勢(shì)如何,我們拭目以待。(文:集邦化合物半導(dǎo)體Zac)
更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊,請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào):集邦化合物半導(dǎo)體。
]]>source:天岳先進(jìn)
碳化硅襯底毛利提升,天岳先進(jìn)劍指扭虧為盈
根據(jù)此前發(fā)布的財(cái)報(bào),天岳先進(jìn)在2023年下半年也曾實(shí)現(xiàn)半年度扭虧為盈,但未能帶動(dòng)2023年全年凈利潤轉(zhuǎn)正,而在2024年上半年再度實(shí)現(xiàn)半年度扭虧為盈,或有望助力天岳先進(jìn)在2024年實(shí)現(xiàn)全年扭虧為盈,具體從天岳先進(jìn)近幾年的財(cái)報(bào)中可以窺見端倪。
近年來,天岳先進(jìn)業(yè)績表現(xiàn)可謂一波三折。2018-2020年間,其營收逐步增加、虧損逐步增大,2021年天岳先進(jìn)實(shí)現(xiàn)盈利,2022-2023年其再度處于虧損狀態(tài),但虧損幅度有所收窄。
天岳先進(jìn)2023年財(cái)報(bào)顯示,歸母凈利潤為-0.46億元,虧損同比大幅收窄,已接近實(shí)現(xiàn)盈利。同時(shí),天岳先進(jìn)2023年各季度襯底產(chǎn)品毛利率持續(xù)提升,碳化硅半導(dǎo)體材料全年綜合毛利率為17.53%,較2022年增加18.24個(gè)百分點(diǎn)。按照天岳先進(jìn)的業(yè)績走勢(shì),2024年有望成為天岳先進(jìn)再度實(shí)現(xiàn)盈利并維持盈利狀態(tài)的關(guān)鍵年。
從整個(gè)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈來看,襯底廠商似乎普遍“掙錢難”,強(qiáng)如全球碳化硅襯底龍頭廠商Wolfspeed,其近年來的業(yè)績情況亦不盡人意。從2019至2023五個(gè)財(cái)年的營收和持續(xù)經(jīng)營凈虧損(GAAP)數(shù)據(jù)來看,Wolfspeed營收保持逐年增長,利潤方面,雖然2022和2023財(cái)年虧損程度相比2021財(cái)年有所下降,但仍沒有達(dá)到Wolfspeed的預(yù)期。
在此背景下,天岳先進(jìn)能夠不斷收窄虧損,并朝著實(shí)現(xiàn)全年盈利邁進(jìn),與其近年來的一系列調(diào)整和拓展密切相關(guān)。
緊跟產(chǎn)業(yè)潮流,天岳先進(jìn)調(diào)整導(dǎo)電型碳化硅襯底產(chǎn)能
關(guān)于2024年上半年實(shí)現(xiàn)扭虧為盈的原因,天岳先進(jìn)表示,一是碳化硅材料在新能源汽車、光儲(chǔ)充等應(yīng)用領(lǐng)域的持續(xù)滲透,下游應(yīng)用市場(chǎng)持續(xù)擴(kuò)大,終端對(duì)高品質(zhì)、車規(guī)級(jí)產(chǎn)品的需求旺盛;二是其加強(qiáng)了與國內(nèi)外一線大廠的合作,業(yè)務(wù)穩(wěn)健發(fā)展,且隨著上海臨港工廠產(chǎn)能釋放,其導(dǎo)電型產(chǎn)品產(chǎn)能產(chǎn)量持續(xù)提升,產(chǎn)品交付能力持續(xù)增加。
不難看出,天岳先進(jìn)業(yè)績?cè)鲩L的促進(jìn)因素主要包括兩個(gè)方面;一方面是市場(chǎng)需求增長,企業(yè)因此受益;另外一個(gè)方面是產(chǎn)品類型調(diào)整及產(chǎn)能提升,支撐其持續(xù)擴(kuò)大合作。
市場(chǎng)方面,近年來,在新能源汽車、光儲(chǔ)充等應(yīng)用領(lǐng)域需求增長帶動(dòng)下,碳化硅產(chǎn)業(yè)規(guī)模持續(xù)增長。據(jù)TrendForce集邦咨詢《2024全球SiC Power Device市場(chǎng)分析報(bào)告》,2023年全球碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模約30.4億美元,至2028年有望上升至91.7億美元,CAGR達(dá)25%。
尤其是在碳化硅加速“上車”大趨勢(shì)下,天岳先進(jìn)抓住機(jī)會(huì),與下游電力電子領(lǐng)域的國內(nèi)外知名企業(yè)開展了廣泛合作,其中包括英飛凌、博世等。
與此同時(shí),天岳先進(jìn)不斷調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu),向生產(chǎn)契合市場(chǎng)和用戶需求的產(chǎn)品方向轉(zhuǎn)型升級(jí)。前幾年,天岳先進(jìn)的產(chǎn)能結(jié)構(gòu)中,以半絕緣型碳化硅襯底為主,但在終端應(yīng)用方面,半絕緣型襯底市場(chǎng)近年來持續(xù)低迷,反而是面向新能源汽車等市場(chǎng)的導(dǎo)電型襯底產(chǎn)品需求快速增長。對(duì)此,天岳先進(jìn)順勢(shì)進(jìn)行了產(chǎn)能調(diào)整。
在天岳先進(jìn)兩大生產(chǎn)基地當(dāng)中,濟(jì)南工廠經(jīng)過產(chǎn)品結(jié)構(gòu)調(diào)整后,其導(dǎo)電型產(chǎn)品的產(chǎn)量在2022年末已超過半絕緣型產(chǎn)品;上海臨港工廠則all in導(dǎo)電型碳化硅襯底產(chǎn)品,且年產(chǎn)能由最初規(guī)劃的30萬片擴(kuò)大到了96萬片。
在產(chǎn)品調(diào)整基礎(chǔ)上,天岳先進(jìn)持續(xù)拓展合作。2022年7月,天岳先進(jìn)宣布與某客戶簽訂了一份13.93億元的框架協(xié)議,合同期為2023年至2025年,銷售的產(chǎn)品為6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底產(chǎn)品;2023年8月,天岳先進(jìn)又宣布與某客戶簽訂了一份框架采購協(xié)議,約定2024年至2026年向合同對(duì)方銷售碳化硅產(chǎn)品,預(yù)計(jì)含稅銷售三年合計(jì)金額為8.05億元。
小結(jié)
整體來看,碳化硅市場(chǎng)需求增長以及天岳先進(jìn)積極調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu)等共同推動(dòng)其最終邁向業(yè)績扭虧為盈的門檻。
目前,碳化硅襯底賽道競(jìng)爭(zhēng)日趨激烈,價(jià)格戰(zhàn)趨勢(shì)已開始顯現(xiàn),實(shí)現(xiàn)盈利后,天岳先進(jìn)能夠更好地應(yīng)對(duì)嚴(yán)峻的市場(chǎng)形勢(shì)。未來,不僅僅是襯底環(huán)節(jié),碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈上下游的競(jìng)爭(zhēng)都會(huì)日益加劇,如何更好的實(shí)現(xiàn)盈利,實(shí)現(xiàn)長遠(yuǎn)發(fā)展,是各大廠商都需要思考的問題。(文:集邦化合物半導(dǎo)體Zac)
更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊,請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào):集邦化合物半導(dǎo)體。
]]>source:天岳先進(jìn)
定增預(yù)案顯示,本次項(xiàng)目主要研發(fā)方向包括SiC生長熱場(chǎng)仿真、SiC單晶應(yīng)力控制、SiC單晶微缺陷控制、導(dǎo)電型SiC電阻率控制等。
公告顯示,天岳先進(jìn)本次募資的3億元主要投向建筑工程及安裝工程費(fèi)用及設(shè)備購置費(fèi)。項(xiàng)目建設(shè)周期為24個(gè)月,包括廠房凈化間裝修改造、設(shè)備采購安裝、新技術(shù)和工藝試驗(yàn)等三個(gè)階段。
據(jù)悉,由6英寸向8英寸升級(jí),是SiC襯底重要的降本路徑之一。天岳先進(jìn)表示,根據(jù)測(cè)算,單片8英寸SiC襯底的芯片產(chǎn)出量大約是6英寸的2倍,4英寸的4倍,并可部分使用硅基功率芯片產(chǎn)線裝備,可大幅降低成本、提高效率。以32mm2面積的裸片(芯片)為例,8英寸SiC襯底上的裸片數(shù)量相比6英寸增加近90%,同時(shí)邊緣裸片數(shù)量占比從14%降低至7%,8英寸襯底利用率相比6英寸提升了7%。
近年來,天岳先進(jìn)持續(xù)發(fā)力8英寸SiC襯底。2022年,天岳先進(jìn)通過自主擴(kuò)徑實(shí)現(xiàn)了高品質(zhì)8英寸SiC襯底的制備。隨著國際市場(chǎng)對(duì)8英寸SiC襯底需求持續(xù)增加,其在2023年已經(jīng)實(shí)現(xiàn)8英寸SiC襯底的批量銷售。
與此同時(shí),天岳先進(jìn)不斷進(jìn)行8英寸產(chǎn)品的技術(shù)創(chuàng)新,推進(jìn)包括導(dǎo)電型SiC用粉料高效合成、高質(zhì)量導(dǎo)電型SiC晶體生長、高效SiC拋光、8英寸寬禁帶SiC半導(dǎo)體單晶生長及襯底加工關(guān)鍵技術(shù)等研發(fā)項(xiàng)目。天岳先進(jìn)目前以PVT法大規(guī)模批量化制備8英寸襯底,是國際上較少掌握了液相法制備技術(shù)的企業(yè)之一。
項(xiàng)目方面,據(jù)上海臨港管委會(huì)官網(wǎng)信息顯示,天岳先進(jìn)的“碳化硅半導(dǎo)體材料二期(一階段)項(xiàng)目”的環(huán)評(píng)信息已于近日公示。
項(xiàng)目概況顯示,天岳先進(jìn)通過利用現(xiàn)有廠區(qū)預(yù)留區(qū)域增加生產(chǎn)設(shè)備開展8英寸SiC晶片生產(chǎn)線建設(shè),配套新增公輔設(shè)施和環(huán)保設(shè)施。為滿足產(chǎn)品質(zhì)量需求,將對(duì)現(xiàn)有已批項(xiàng)目部分工藝、設(shè)備進(jìn)行改造。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)
更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊,請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào):集邦化合物半導(dǎo)體。
]]>據(jù)外媒消息,意法半導(dǎo)體(ST)近日表示,將從明年第三季度開始將其碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝從6英寸升級(jí)為8英寸。
中國某頭部大廠生產(chǎn)負(fù)責(zé)人在近日接受全球半導(dǎo)體觀察時(shí)表示,預(yù)計(jì)從2026年至2027年開始,現(xiàn)在的6英寸碳化硅產(chǎn)品都將都將被8英寸產(chǎn)品替代。在本輪碳化硅6英寸轉(zhuǎn)換至8英寸市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中,中國廠商的追趕速度不可忽視,目前包括天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、天域半導(dǎo)體等廠商已在國際市場(chǎng)占有一席之地。未來在8英寸市場(chǎng),中國廠商將會(huì)迎來更多的產(chǎn)能釋放,推升碳化硅降本提質(zhì),加速入市。
1、碳化硅產(chǎn)業(yè)最新動(dòng)態(tài)
SiCrystal GmbH新廠奠基,產(chǎn)能擴(kuò)大約三倍
7月5日,日本羅姆集團(tuán)旗下子公司SiCrystal為新廠房舉行了奠基儀式,以擴(kuò)大 SiC 襯底的生產(chǎn)面積。
圖片來源:SiCrystal官網(wǎng)截圖
SiCrystal GmbH 將在紐倫堡東北部現(xiàn)有工廠正對(duì)面創(chuàng)建新的額外生產(chǎn)空間。新建筑將提供額外的 6,000 平方米生產(chǎn)空間,并將配備最先進(jìn)的技術(shù),以進(jìn)一步優(yōu)化碳化硅晶圓的生產(chǎn)。與現(xiàn)有工廠的緊密距離將確保生產(chǎn)流程的緊密集成。包括現(xiàn)有建筑在內(nèi)的 SiCrystal 的總生產(chǎn)能力將在 2027 年比 2024 年高出約三倍。據(jù)悉,該建設(shè)工程預(yù)計(jì)于2026年初完工。并將為該地區(qū)創(chuàng)造新的就業(yè)機(jī)會(huì)。
天岳先進(jìn)加快擴(kuò)建8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能
近日,上海臨港管委會(huì)網(wǎng)站近日發(fā)布了上海天岳“碳化硅半導(dǎo)體材料二期(一階段)項(xiàng)目”的環(huán)評(píng)公示信息,公示信息顯示,上海天岳利用“現(xiàn)有廠區(qū)內(nèi)增加生產(chǎn)設(shè)備開展8英寸碳化硅晶片生產(chǎn)線建設(shè),并對(duì)現(xiàn)有6英寸碳化硅晶片部分工藝進(jìn)行改造”。
公開資料顯示,上海天岳為天岳先進(jìn)全資子公司,上海天岳公示環(huán)評(píng)表明該公司的上海臨港工廠二期8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能建設(shè)已經(jīng)進(jìn)入實(shí)質(zhì)性階段。據(jù)悉,天岳先進(jìn)臨港工廠已經(jīng)達(dá)到年產(chǎn)30萬片襯底產(chǎn)能規(guī)劃目標(biāo)。臨港工廠的8英寸碳化硅總體產(chǎn)能規(guī)劃約60萬片,公司將分階段實(shí)施。
根據(jù)天岳先進(jìn)披露,公司公司在臨港工廠建設(shè)上進(jìn)行了超前布局,以適應(yīng)產(chǎn)能的持續(xù)提升。隨著30萬片襯底產(chǎn)量的提前達(dá)產(chǎn),公司在8英寸碳化硅產(chǎn)能建設(shè)上也可能超預(yù)期實(shí)現(xiàn)。
此外,眾多大廠都在通過提升產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性、加強(qiáng)上車驗(yàn)證、加強(qiáng)國際合作等提高市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),企業(yè)技術(shù)則是最強(qiáng)的護(hù)城河。近期,天域半導(dǎo)體和芯聚能紛紛發(fā)布了最新的技術(shù)專利。
天域半導(dǎo)體“碳化硅外延片的生長工藝”專利公布
天眼查顯示,廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司“碳化硅外延片的生長工藝”專利公布,申請(qǐng)公布日為2024年6月28日,申請(qǐng)公布號(hào)為CN118256991A。據(jù)悉,該發(fā)明提供了一種碳化硅外延片的生長工藝。
此碳化硅外延片的生長工藝包括依次的如下步驟:(I)將碳化硅襯底進(jìn)行前處理;(II)采用分子束外延設(shè)備于所述碳化硅襯底上形成第一碳化硅緩沖層;(III)置于化學(xué)氣相沉積設(shè)備的外延爐中,先于1000~1400℃下進(jìn)行熱處理,再升高溫度進(jìn)行氣相沉積以于所述第一碳化硅緩沖層上形成第二碳化硅緩沖層;(IV)于所述第二碳化硅緩沖層上外延生長出預(yù)定厚度的外延層。本發(fā)明的碳化硅外延片的生長工藝可消除反應(yīng)產(chǎn)物污染,在襯底與外延層間做好貫穿晶體缺陷的轉(zhuǎn)化,可完美的隔離外延缺陷。
芯聚能“碳化硅MOSFET器件及其制備方法”專利公布
天眼查顯示,廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司則公布了“碳化硅MOSFET器件及其制備方法”專利,申請(qǐng)公布日為2024年6月28日,申請(qǐng)公布號(hào)為CN118263326A。
該申請(qǐng)涉及一種碳化硅MOSFET器件及其制備方法,碳化硅MOSFET器件包括襯底、第一摻雜區(qū)、柵極溝槽、控制柵結(jié)構(gòu)和分裂柵結(jié)構(gòu),第一摻雜區(qū)設(shè)置于襯底內(nèi);柵極溝槽設(shè)置于第一摻雜區(qū)內(nèi),且從襯底的正面開口并沿襯底的厚度方向延伸,柵極溝槽包括第一子溝槽和第二子溝槽,第二子溝槽位于第一子溝槽背離襯底的正面的一側(cè);控制柵結(jié)構(gòu)設(shè)置于第一子溝槽內(nèi),控制柵結(jié)構(gòu)包括控制柵導(dǎo)電層和控制柵介質(zhì)層,控制柵介質(zhì)層位于控制柵導(dǎo)電層與第一子溝槽的槽壁之間;分裂柵結(jié)構(gòu)設(shè)置于第二子溝槽內(nèi),分裂柵結(jié)構(gòu)包括分裂柵導(dǎo)電層和分裂柵介質(zhì)層,分裂柵介質(zhì)層包覆分裂柵導(dǎo)電層;控制柵介質(zhì)層的介電常數(shù)和分裂柵介質(zhì)層的介電常數(shù)不同。
2、碳化硅轉(zhuǎn)向8英寸,勢(shì)不可擋
根據(jù)中國SiC襯底制造商天科合達(dá)TankeBlue測(cè)算,從4英寸升級(jí)到6英寸預(yù)計(jì)單片成本可降低50%;從6英寸到8英寸,成本預(yù)計(jì)還能再降低35%。同時(shí),8英寸基板可以生產(chǎn)更多芯片,從而減少邊緣浪費(fèi)。簡單來說,8英寸基板的利用率更高,這也是各大廠商積極研發(fā)的主要原因。目前,6英寸SiC基板仍占主導(dǎo)地位,但8英寸基板已開始滲透市場(chǎng)。
從國際廠商情況看,Wolfspeed是行業(yè)內(nèi)最早量產(chǎn)8英寸SiC襯底的廠商。2015年,Wolfspeed向業(yè)界首次展示了8英寸SiC襯底樣品。經(jīng)過近8年的技術(shù)研發(fā)突破,2023年7月,Wolfspeed宣布其8英寸晶圓廠已開始向中國客戶出貨SiC MOSFET,表明其8英寸SiC襯底已批量出貨。除了已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的Wolfspeed外,還有英飛凌、博世、onsemi、意法半導(dǎo)體、ROHM等多家SiC襯底、外延廠商密集集中在今年或未來1-2年內(nèi)實(shí)現(xiàn)8英寸產(chǎn)品的量產(chǎn)。
而從中國情況看,目前已有10多家企業(yè)8英寸SiC襯底進(jìn)入樣品和小規(guī)模生產(chǎn)階段。其中包括Semisic Crystal Co(山西爍科晶體)、JSJ(晶盛機(jī)電)、SICC Co(山東天岳先進(jìn)科技)、Summit Crystal Semiconductor Co(廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù))、Synlight Semiconductor Co(河北同光)、TanKeBlue Semiconductor Co(北京天科合達(dá)半導(dǎo)體)、Harbin KY Semiconductor(哈爾濱科友半導(dǎo)體)、IV Semitec(杭州干晶半導(dǎo)體)、Sanan Semiconductor(三安半導(dǎo)體)、Hypersics(江蘇超芯星半導(dǎo)體)等公司。除了上述公司外,目前研究8英寸基板的中國廠商還有很多,例如東尼電子、和盛硅業(yè)、天成半導(dǎo)體等。目前,中國基板制造商與國際巨頭的差距已明顯縮小。
TrendForce集邦咨詢認(rèn)為,整體而言,SiC正處于一個(gè)快速成長和高度競(jìng)爭(zhēng)的市場(chǎng),規(guī)模經(jīng)濟(jì)比任何其他因素更為重要。領(lǐng)先的IDM廠商紛紛一改過去保守、沉穩(wěn)的戰(zhàn)略姿態(tài),轉(zhuǎn)而積極投資SiC擴(kuò)張計(jì)劃,期望建立領(lǐng)導(dǎo)地位。截至目前,全球已有超過10家廠商正在投資建設(shè)8英寸SiC晶圓廠??梢灶A(yù)見,未來隨著市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大,SiC領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)也將更為激烈。
據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體統(tǒng)計(jì),2023年大約有12個(gè)與8英寸晶圓相關(guān)的擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目,其中8個(gè)項(xiàng)目由Wolfspeed、Onsemi、意法半導(dǎo)體、英飛凌、羅姆等全球廠商主導(dǎo)。其中,意法半導(dǎo)體與三安光電在中國成立的8英寸SiC合資工廠有望最快在今年年底通線,屆時(shí)ST可結(jié)合位于當(dāng)?shù)氐暮蠖畏鉁y(cè)產(chǎn)線以及三安光電提供的配套襯底材料工廠,達(dá)到垂直整合效益。另外3個(gè)項(xiàng)目由泰科天潤、芯聯(lián)集成、杰平方等中國廠商主導(dǎo)。今年上半年,安森美onsemi、ST意法半導(dǎo)體、Infineon英飛凌、日本羅姆等又新增了多個(gè)碳化硅項(xiàng)目投資擴(kuò)產(chǎn),進(jìn)一步加劇了市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。
在這場(chǎng)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中,中國廠商在襯底領(lǐng)域與國際大廠的差距已顯著縮小,英飛凌與天岳先進(jìn)、天科合達(dá)等中國廠商達(dá)成長期合作,也說明了中國襯底產(chǎn)品的質(zhì)量受到認(rèn)可。展望未來,預(yù)計(jì)各廠商的共同努力將推動(dòng)8英寸基板技術(shù)的發(fā)展。
目前,6英寸、8英寸碳化硅襯底產(chǎn)品正在加速入市,從價(jià)價(jià)格變化來看,據(jù)TrendForce集邦咨詢分析師表示:特別是在這幾年間,隨著中國廠商進(jìn)入到整個(gè)碳化硅市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)之中,更是加速了整個(gè)碳化硅市場(chǎng)襯底價(jià)格的下降幅度。目前從整個(gè)碳化硅襯底價(jià)格的變化幅度看,6英寸導(dǎo)電型的碳化硅襯底價(jià)格,大概是從三四年前的1000美金下滑到了當(dāng)前的500美金左右。
碳化硅市場(chǎng)應(yīng)用目前還主要由新能源汽車主導(dǎo)拉動(dòng)。TrendForce集邦咨詢分析師表示:目前碳化硅功率元件主要應(yīng)用在汽車領(lǐng)域,主要應(yīng)用在汽車的主逆變器,以及像OBC、DC,或是車外的充電樁這些領(lǐng)域。值得注意的是,在一些非汽車的市場(chǎng),其實(shí)碳化硅的市場(chǎng)也非常值得關(guān)注,如工業(yè)領(lǐng)域的光伏、儲(chǔ)能。另外,還有像目前AI浪潮推動(dòng)的服務(wù)器領(lǐng)域,其實(shí)隨著芯片的功耗不斷的增加,也是推動(dòng)了整個(gè)服務(wù)器功率密度的提高,那這其實(shí)也對(duì)碳化硅提出了非常的需求。(來源:全球半導(dǎo)體觀察)
更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊,請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào):集邦化合物半導(dǎo)體。
]]>今年以來,國產(chǎn)SiC技術(shù)和產(chǎn)品在國際市場(chǎng)上似乎越來越受歡迎,可從簽單動(dòng)作窺見一斑。3月,科友半導(dǎo)體與歐洲一家國際知名企業(yè)簽訂長單,簽約額超過2億元人民幣;4月,世紀(jì)金芯與日本某客戶簽訂SiC襯底訂單,按照協(xié)議約定,世紀(jì)金芯將于2024年、2025年、2026年連續(xù)三年向該客戶交付8英寸SiC襯底共13萬片,訂單價(jià)值約2億美元(約14.5億元人民幣)。
以上簽單情況在一定程度上反映出,國內(nèi)SiC廠商得到了全球各地客戶的認(rèn)可,在技術(shù)水平、產(chǎn)能等方面擁有了能夠比肩國際SiC巨頭們的實(shí)力。
與此同時(shí),國際SiC大廠也在積極尋求中國市場(chǎng)的合作與業(yè)務(wù)拓展機(jī)會(huì)。其中,意法半導(dǎo)體、安森美、英飛凌等SiC功率器件頭部廠商均在2024年與國內(nèi)企業(yè)達(dá)成新合作,在中國市場(chǎng)的業(yè)務(wù)布局進(jìn)一步深化。
從意法半導(dǎo)體、安森美、英飛凌等廠商的合作對(duì)象來看,以車企居多,背后的新能源汽車產(chǎn)業(yè)正是SiC廣泛應(yīng)用的大舞臺(tái)。在SiC加速“上車”趨勢(shì)下,擁有更多的車企合作伙伴,意味著有望創(chuàng)造更多的業(yè)績?cè)隽俊?/p>
從國內(nèi)外廠商近期的簽單合作情況來看,國內(nèi)SiC廠商出海、國際巨頭全面加碼中國業(yè)務(wù)的“雙向奔赴”態(tài)勢(shì)已基本形成,背后的推動(dòng)因素值得細(xì)細(xì)品味。
國內(nèi)SiC廠商加速出海
從國內(nèi)廠商在國際市場(chǎng)的業(yè)務(wù)拓展情況來看,SiC產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)均有企業(yè)已成功實(shí)現(xiàn)海外客戶“0”突破,而天岳先進(jìn)、天科合達(dá)等頭部SiC玩家是其中的代表性企業(yè)。
襯底環(huán)節(jié),天科合達(dá)、天岳先進(jìn)都與英飛凌簽署了SiC襯底長期供應(yīng)協(xié)議,兩家廠商的供應(yīng)量都將占到英飛凌長期需求量的兩位數(shù)份額。目前,天科合達(dá)、天岳先進(jìn)已與眾多國內(nèi)外知名客戶開展戰(zhàn)略合作,包括英飛凌、安森美、博世等國際SiC功率器件大廠。基于上述合作,天科合達(dá)、天岳先進(jìn)不斷深化國際業(yè)務(wù)布局。
外延環(huán)節(jié),中電化合物已與韓國Power Master公司簽署了長期供應(yīng)SiC材料的協(xié)議,包括8英寸,由此,中電化合物SiC產(chǎn)品成功打入韓國市場(chǎng)。除中電化合物外,瀚天天成、天域半導(dǎo)體SiC外延片出海也已取得積極進(jìn)展,其中,瀚天天成服務(wù)的客戶包括了未具體披露的多家國際先進(jìn)功率器件廠商。
器件環(huán)節(jié),韓國SK Signet采用了派恩杰1200V 40mΩ SiC MOSFET器件,愛仕特1200V MED系列SiC功率模塊已交付于海外客戶使用,致瞻科技更是通過與韓國INTECH FA合作,將SiC功率模塊等產(chǎn)品推向韓國、日本、東南亞、以及北美市場(chǎng),由此可見,部分國內(nèi)SiC器件廠商已從國際大廠的“競(jìng)技場(chǎng)”中成功突圍,占據(jù)了一席之地。
設(shè)備方面,優(yōu)晶科技最新出口至某國際知名客戶的大尺寸電阻法SiC長晶設(shè)備已順利通過驗(yàn)收,這意味著優(yōu)晶科技國際業(yè)務(wù)取得重大突破,有利于其進(jìn)一步拓展國際市場(chǎng)應(yīng)用需求。
對(duì)于已經(jīng)成功實(shí)現(xiàn)出海的眾多SiC廠商而言,或多或少都有自己的“拿手好戲”,其中之一便是性價(jià)比。
據(jù)英飛凌工業(yè)功率控制事業(yè)部(IPC)總裁Peter Wawer博士此前透露,來自中國的天岳先進(jìn)、天科合達(dá)等新興襯底廠商,提出的報(bào)價(jià)比某市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)提供的參考價(jià)低很多。但低價(jià)并不意味著低質(zhì),從英飛凌的初步測(cè)試結(jié)果來看,新興供應(yīng)商的襯底性能和缺陷率與Wolfspeed、Coherent和Resonac等主流供應(yīng)商相比并沒有顯著的差異,良率也在可接受范圍。
由此在一定程度上可以看出,部分國內(nèi)襯底廠商質(zhì)優(yōu)價(jià)廉,具有一定的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。當(dāng)然,能夠贏得國際客戶青睞,產(chǎn)能支撐不可或缺。
其中,天岳先進(jìn)上海臨港新工廠已于2023年5月開始交付6英寸導(dǎo)電型SiC襯底,目前產(chǎn)能和產(chǎn)量均在持續(xù)爬坡中。在此基礎(chǔ)上,天岳先進(jìn)在2023年下半年已決定將6英寸SiC襯底的生產(chǎn)規(guī)模擴(kuò)大至96萬片/年。頭部廠商的擴(kuò)產(chǎn)規(guī)模之巨大,業(yè)內(nèi)有目共睹,這不僅有助于滿足國內(nèi)市場(chǎng)需求,也為未來持續(xù)穩(wěn)定供貨海外客戶打下了基礎(chǔ)。
作為器件廠商,派恩杰在與SK Signet的合作中,供貨占比達(dá)60%,且是唯一一家國產(chǎn)廠商,彰顯了客戶對(duì)于派恩杰產(chǎn)品的認(rèn)可。而在設(shè)備廠商優(yōu)晶科技的SiC長晶設(shè)備驗(yàn)收過程中,客戶對(duì)優(yōu)晶科技的產(chǎn)品和服務(wù)給予了較高評(píng)價(jià),同樣是對(duì)優(yōu)晶科技專業(yè)性和實(shí)力的認(rèn)可。
整體來看,在技術(shù)進(jìn)步、產(chǎn)能提升以及性價(jià)比優(yōu)勢(shì)等眾多利好因素推動(dòng)下,國內(nèi)SiC廠商正在加速布局海外業(yè)務(wù),進(jìn)而刺激更多國內(nèi)廠商加入出海大軍。
國際SiC巨頭掘金中國市場(chǎng)
在國內(nèi)SiC廠商加速出海的同時(shí),國際巨頭們也在積極加碼中國業(yè)務(wù)。事實(shí)上,得益于在技術(shù)研發(fā)方面的先發(fā)優(yōu)勢(shì),部分國際大廠很早就進(jìn)入了中國市場(chǎng),為國內(nèi)客戶供貨。例如,英飛凌很早就開始研究SiC功率器件,在2001年就以SiC SBD的形式推出了第一款商業(yè)化元件。
而在2023年以來,部分國際廠商在中國市場(chǎng)動(dòng)作頻頻,似乎掀起了一股深耕中國市場(chǎng)的風(fēng)潮。其中,意法半導(dǎo)體先后與三安光電、理想汽車、致瞻科技等廠商達(dá)成新的合作,合作對(duì)象遍及SiC產(chǎn)業(yè)鏈上下游。
與本土廠商三安光電合作建設(shè)8英寸SiC器件合資制造工廠,有利于縮短供應(yīng)鏈路,將幫助意法半導(dǎo)體以較高效的方式滿足中國客戶不斷增長的功率器件需求,同時(shí),通過與國內(nèi)頭部玩家三安光電合作,雙方在技術(shù)迭代升級(jí)方面也能夠形成協(xié)同效應(yīng)。
與理想汽車合作,意法半導(dǎo)體看中的是理想汽車新能源車型銷量持續(xù)增長背后的SiC器件需求。盡管理想汽車為了實(shí)現(xiàn)高壓電驅(qū)動(dòng)技術(shù)的自主可控,也在積極布局SiC功率器件領(lǐng)域,但短期內(nèi),與意法半導(dǎo)體合作以獲得SiC MOSFET成熟產(chǎn)品,也有其必要性。
在意法半導(dǎo)體SiC MOSFET支持下,理想汽車進(jìn)軍高壓純電動(dòng)車市場(chǎng)的戰(zhàn)略部署將更加容易實(shí)現(xiàn),而與頭部車企之一的理想汽車合作,意法半導(dǎo)體SiC產(chǎn)品也將隨理想汽車銷量的增長不斷強(qiáng)化品牌影響力,進(jìn)而創(chuàng)造更多與潛在車企合作的機(jī)會(huì)。
此外,意法半導(dǎo)體新的合作對(duì)象也包括致瞻科技,后者是一家零部件供應(yīng)商,已在新能源汽車400V、800V和1000V平臺(tái)上量產(chǎn)了基于SiC的空調(diào)壓縮機(jī)控制器。基于此次合作,意法半導(dǎo)體在推動(dòng)電動(dòng)壓縮機(jī)系統(tǒng)小型化的同時(shí)將進(jìn)一步降低成本,進(jìn)而對(duì)車載空調(diào)壓縮機(jī)控制器細(xì)分領(lǐng)域加大滲透。
與意法半導(dǎo)體在中國市場(chǎng)的合作情況類似,英飛凌、安森美、博世等廠商新合作對(duì)象也涵蓋SiC廠商、車企以及零部件供應(yīng)商等各類企業(yè),而加速國際巨頭與國內(nèi)企業(yè)達(dá)成合作的原因是多方面的,其中之一便是國內(nèi)新能源汽車產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展創(chuàng)造的機(jī)遇。
目前,SiC器件似乎已逐漸成為新能源旗艦車型標(biāo)配,從近期各大車企發(fā)布的新車型來看,SiC幾乎都是賣點(diǎn)之一,這表明新能源汽車品牌及用戶群體對(duì)于SiC上車的認(rèn)可度正在持續(xù)提升,同時(shí)新車型也是國際廠商SiC技術(shù)和產(chǎn)品的用武之地。
在SiC器件國產(chǎn)替代短期內(nèi)難以大規(guī)模實(shí)現(xiàn)的情況下,國際巨頭仍然有很多機(jī)會(huì)進(jìn)一步開拓國內(nèi)新能源汽車市場(chǎng)。
其二,近年來,國內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)成長較快,部分企業(yè)在技術(shù)水平方面已然達(dá)到世界先進(jìn)水平,這些重要的技術(shù)突破,也會(huì)讓國際巨頭們感受到壓力,于是,與國內(nèi)相關(guān)廠商合作,共同探討先進(jìn)技術(shù)和產(chǎn)品研發(fā),就成為國際大廠較明智的選擇,通過技術(shù)合作更好地拓展市場(chǎng),也是國際玩家加碼中國業(yè)務(wù)的一條快車道。
國際巨頭們目前在技術(shù)研發(fā)方面確實(shí)比大部分國內(nèi)廠商要領(lǐng)先,但不代表能夠一直保持優(yōu)勢(shì),而對(duì)中國市場(chǎng)的持續(xù)滲透,有助于相關(guān)廠商更好地感知國內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)相關(guān)進(jìn)展,進(jìn)而做出積極應(yīng)對(duì),不至于措手不及。
總結(jié)
各行各業(yè)的全球化發(fā)展已是大趨勢(shì),SiC產(chǎn)業(yè)也不例外。對(duì)于眾多國際巨頭而言,其業(yè)務(wù)布局早已遍及全球,其中就包括中國業(yè)務(wù),而通過加速拓展中國這個(gè)目前最大的SiC應(yīng)用市場(chǎng),相關(guān)國際廠商的全球化布局將會(huì)更加穩(wěn)健。
對(duì)于國內(nèi)SiC廠商而言,國內(nèi)業(yè)務(wù)發(fā)展到一定階段,出海尋求更廣闊的增長空間順理成章,尤其是在技術(shù)、產(chǎn)能等方面擁有一定的實(shí)力后,拓展海外市場(chǎng)也更加從容。
無論國際還是國內(nèi)廠商,通過“雙向奔赴”,都會(huì)讓競(jìng)爭(zhēng)更加激烈,進(jìn)而加速行業(yè)整合,而頭部廠商有望通過收并購,憑借規(guī)模效應(yīng)強(qiáng)化競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),推動(dòng)SiC產(chǎn)業(yè)在競(jìng)爭(zhēng)中良性發(fā)展。同時(shí),存量市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇促使相關(guān)廠商在全球范圍內(nèi)尋找更多新興市場(chǎng)拓展業(yè)務(wù),以獲得業(yè)績?cè)隽?,反過來又進(jìn)一步加深了SiC產(chǎn)業(yè)的全球化布局,形成良性循環(huán)。(文:集邦化合物半導(dǎo)體Zac)
更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊,請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào):集邦化合物半導(dǎo)體。
]]>近日,天岳先進(jìn)上?;仨?xiàng)目披露了最新進(jìn)展,再次成為焦點(diǎn)。2024年5月,天岳先進(jìn)位于上海臨港重裝備產(chǎn)業(yè)區(qū)的生產(chǎn)基地第一個(gè)項(xiàng)目完成驗(yàn)收,意味著該生產(chǎn)基地由此進(jìn)入新的發(fā)展階段。
圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫
天岳先進(jìn)“瘋狂”擴(kuò)產(chǎn)
據(jù)悉,天岳先進(jìn)上?;仨?xiàng)目最初于2021年第二季度備案和申報(bào),規(guī)劃投資25億元,項(xiàng)目全部達(dá)產(chǎn)后,SiC襯底的產(chǎn)能約為30萬片/年。從投資規(guī)模和產(chǎn)能規(guī)劃來看,上?;仨?xiàng)目有望讓天岳先進(jìn)的市場(chǎng)地位再進(jìn)一步。
近年來,隨著全球尤其是國內(nèi)市場(chǎng)掀起一股SiC投資擴(kuò)產(chǎn)熱潮,天岳先進(jìn)也有意順勢(shì)而為,加入擴(kuò)產(chǎn)大軍。在2021年的規(guī)劃基礎(chǔ)上,天岳先進(jìn)定下了更加宏大的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,調(diào)整后,6英寸SiC襯底的生產(chǎn)規(guī)模將擴(kuò)大至每年96萬片。
基于宏偉的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,天岳先進(jìn)持續(xù)拓展市場(chǎng),獲得了更多供貨機(jī)會(huì)。其中,天岳先進(jìn)在2023年5月與英飛凌簽訂合作協(xié)議,其將為英飛凌供應(yīng)用于制造SiC功率器件的6英寸SiC襯底,該協(xié)議的供應(yīng)量預(yù)計(jì)將占到英飛凌長期需求量的兩位數(shù)份額。2024年2月,天岳先進(jìn)在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示,其與英飛凌合作情況良好、交付進(jìn)展順利。這些進(jìn)展,與天岳先進(jìn)上海基地的產(chǎn)能提升密切相關(guān)。
2023年8月,天岳先進(jìn)又宣布與某客戶簽訂了一份框架采購協(xié)議,約定2024年至2026年其向合同對(duì)方銷售SiC產(chǎn)品,預(yù)計(jì)三年合計(jì)銷售金額(含稅)為8.05億元。上?;?cái)?shù)十萬片SiC襯底產(chǎn)能能夠保障天岳先進(jìn)向客戶持續(xù)穩(wěn)定供貨。
上?;爻蔀樵鲩L引擎
上海基地的投產(chǎn)以及達(dá)成,對(duì)于天岳先進(jìn)行業(yè)影響力以及客戶服務(wù)能力的提升是巨大的,尤其是在SiC產(chǎn)業(yè)逐步走向價(jià)格戰(zhàn)的趨勢(shì)下,天岳先進(jìn)這個(gè)重要生產(chǎn)基地的價(jià)值將進(jìn)一步釋放。
目前,SiC襯底價(jià)格呈現(xiàn)下降趨勢(shì)已成為行業(yè)熱點(diǎn)話題。環(huán)球晶圓董事長徐秀蘭近期公開表示,全球6英寸SiC襯底的產(chǎn)能釋放,再加上電動(dòng)汽車的需求暫緩,2024年SiC襯底價(jià)格有下滑的壓力。
天岳先進(jìn)也已經(jīng)觀察到這個(gè)趨勢(shì),其在2024年5月9日發(fā)布的投資者關(guān)系記錄表中指出了SiC襯底價(jià)格下降的兩大內(nèi)部原因:技術(shù)的提升和規(guī)模化效應(yīng)推動(dòng)了襯底成本的下降。
為應(yīng)對(duì)價(jià)格戰(zhàn),企業(yè)拓展更多業(yè)務(wù)是必須的,產(chǎn)能建設(shè)也要跟上擴(kuò)大供貨的步伐。對(duì)于很多中小SiC襯底廠商而言,由于難以有充足資金投入擴(kuò)產(chǎn),無法填補(bǔ)產(chǎn)能需求缺口,只能被動(dòng)接受價(jià)格戰(zhàn)的不利局面。而對(duì)于天岳先進(jìn)等頭部廠商,則更能夠從容應(yīng)對(duì)。
從天岳先進(jìn)近兩年的產(chǎn)能、營收等方面情況來看,2022年,天岳先進(jìn)實(shí)現(xiàn)營收3.26億元,產(chǎn)量為82萬片,而到了2023年,這兩個(gè)數(shù)據(jù)分別為10.85億元和174萬片。這兩個(gè)數(shù)據(jù),在一定程度上顯示了產(chǎn)能增長對(duì)于天岳先進(jìn)營收的促進(jìn)作用。
從2022年到2023年,天岳先進(jìn)每片平均銷售價(jià)格(ASP)分別為5110元和4978元,處于下降態(tài)勢(shì),但得益于上?;卦诋a(chǎn)能和供貨方面的拉動(dòng)作用,天岳先進(jìn)在營收方面實(shí)現(xiàn)了同比大幅增長,其上?;氐闹匾匚坏玫搅送癸@,并有望進(jìn)一步助推天岳先進(jìn)持續(xù)獲得業(yè)績?cè)隽俊?/p>
小結(jié)
天岳先進(jìn)上?;仨?xiàng)目在2023年5月就已開啟了產(chǎn)品交付,正處于產(chǎn)量的持續(xù)爬坡階段,隨著本次完成驗(yàn)收,有望加速完成第一階段年產(chǎn)30萬片導(dǎo)電型襯底的達(dá)產(chǎn)目標(biāo)。(文:集邦化合物半導(dǎo)體Zac)
更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊,請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào):集邦化合物半導(dǎo)體。
]]>天岳先進(jìn)Q1營收4.26億,同比增長120.66%
4月28日晚間,天岳先進(jìn)發(fā)布2024年第一季度報(bào)告。報(bào)告期內(nèi),天岳先進(jìn)實(shí)現(xiàn)營收4.26億元,同比增長120.66%;歸母凈利潤0.46億元,歸母扣非凈利潤0.44億元。
今年2月25日,天岳先進(jìn)發(fā)布2023年度業(yè)績快報(bào),其在2023年實(shí)現(xiàn)營收12.51億元,同比增長199.90%。在2023年度業(yè)績快報(bào)中,天岳先進(jìn)表示,2023年?duì)I收同比增長199.90%,主要是SiC半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大,其導(dǎo)電型產(chǎn)品產(chǎn)能產(chǎn)量的持續(xù)提升,導(dǎo)電型產(chǎn)品營收大幅增長所致。
據(jù)悉,2023年5月,天岳先進(jìn)與英飛凌簽訂合作協(xié)議。天岳先進(jìn)將為英飛凌供應(yīng)用于制造SiC半導(dǎo)體的6英寸SiC襯底和晶棒,第一階段將側(cè)重于6英寸SiC材料,但天岳先進(jìn)也將助力英飛凌向8英寸SiC晶圓過渡。據(jù)悉,該協(xié)議的供應(yīng)量預(yù)計(jì)將占到英飛凌長期需求量的兩位數(shù)份額。2024年2月,天岳先進(jìn)在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示,公司與英飛凌合作情況良好、交付進(jìn)展順利。
2023年8月,天岳先進(jìn)又宣布與某客戶簽訂了一份框架采購協(xié)議,約定2024年至2026年公司向合同對(duì)方銷售SiC產(chǎn)品,預(yù)計(jì)三年合計(jì)銷售金額(含稅)為8.05億元。
東尼電子Q1營收4.09億元,凈利同比增長132.45%
4月26日晚間,東尼電子發(fā)布2024年第一季度報(bào)告。報(bào)告期內(nèi),東尼電子實(shí)現(xiàn)營收4.09億元,同比增長22.27%;歸母凈利潤0.13億元,同比增長132.45%;歸母扣非凈利潤-0.26億元。
2024年1月5日,東尼電子子公司湖州東尼半導(dǎo)體科技有限公司(以下簡稱東尼半導(dǎo)體)與下游客戶T簽訂《采購合同之補(bǔ)充協(xié)議》,對(duì)后續(xù)6英寸SiC襯底的交付及2023年交付計(jì)劃未能完成的責(zé)任作了重新約定。
東尼半導(dǎo)體后續(xù)6英寸SiC襯底的供應(yīng)價(jià)格及其他要求將按照原《采購合同》及雙方另行簽訂的采購訂單為準(zhǔn);東尼半導(dǎo)體按照約定完成1335片8英寸SiC襯底的免費(fèi)供應(yīng)后,下游客戶T將不再依據(jù)原《采購合同》約定主張東尼半導(dǎo)體2023年度供貨事宜所涉違約責(zé)任。
揚(yáng)杰科技Q1營收13.28億,同比微增
4月28日晚間,揚(yáng)杰科技發(fā)布2024年第一季度報(bào)告。報(bào)告期內(nèi),揚(yáng)杰科技實(shí)現(xiàn)營收13.28億元,同比增長1.34%;歸母凈利潤1.81億元,同比下滑0.74%;歸母扣非凈利潤1.88億元,同比增長4.22%。
今年2月,在江蘇省揚(yáng)州市邗江區(qū)維揚(yáng)經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)先進(jìn)制造業(yè)項(xiàng)目新春集中簽約儀式上,揚(yáng)杰科技新能源車用IGBT、SiC模塊封裝項(xiàng)目完成簽約。該項(xiàng)目總投資5億元,主要從事車規(guī)級(jí)IGBT模塊、SiC MOSFET模塊的研發(fā)制造。
作為國內(nèi)少數(shù)集半導(dǎo)體分立器件芯片設(shè)計(jì)制造、器件封裝測(cè)試、終端銷售與服務(wù)等產(chǎn)業(yè)鏈垂直一體化(IDM)的廠商,揚(yáng)杰科技近年來持續(xù)深耕功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,推動(dòng)公司總營收從2014年的5.3億元增長到2023年的54.1億元,凈利潤從1億元增長到9.24億元。
盛美上海Q1營收9.21億,同比增長49.63%
4月26日晚間,盛美上海發(fā)布2024年第一季度報(bào)告。報(bào)告期內(nèi),盛美上海實(shí)現(xiàn)營收9.21億元,同比增長49.63%;歸母凈利潤0.80億元,同比下滑38.76%;歸母扣非凈利潤0.84億元,同比下滑22.36%。
作為一家半導(dǎo)體設(shè)備廠商,盛美上海先后開發(fā)了前道半導(dǎo)體工藝設(shè)備,包括清洗設(shè)備、半導(dǎo)體電鍍?cè)O(shè)備、立式爐管系列設(shè)備、涂膠顯影Track設(shè)備、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD設(shè)備、無應(yīng)力拋光設(shè)備;后道先進(jìn)封裝工藝設(shè)備以及硅材料襯底制造工藝設(shè)備等。
2023年3月,盛美上海宣布首次獲得Ultra C SiC襯底清洗設(shè)備的采購訂單,該訂單來自國內(nèi)SiC襯底制造龍頭廠商。據(jù)悉,該設(shè)備可配置盛美上海自主研發(fā)的空間交變相位移(SAPS)清洗技術(shù),在不損傷器件的前提下實(shí)現(xiàn)更全面的清洗。
燕東微Q1營收3.09億,凈利潤0.24億
4月26日晚間,燕東微發(fā)布2024年第一季度報(bào)告。報(bào)告期內(nèi),燕東微實(shí)現(xiàn)營收3.09億元,同比下滑39.87%;歸母凈利潤0.24億元,同比下滑72.87%;歸母扣非凈利潤0.005億元,同比下滑99.29%。
燕東微是一家集芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造和封裝測(cè)試于一體的企業(yè)。目前,燕東微擁有一條8英寸晶圓生產(chǎn)線、一條6英寸晶圓生產(chǎn)線、一條6英寸SiC晶圓生產(chǎn)線和一條12英寸晶圓生產(chǎn)線。
2023年,燕東微1200V SiC MOS器件產(chǎn)品已產(chǎn)出合格樣品,各項(xiàng)參數(shù)合格,已提交客戶驗(yàn)證。截至2023年年底,燕東微6英寸SiC生產(chǎn)線已具備量產(chǎn)條件的平臺(tái)包括1200V SiC SBD、1200V SiC MOS工藝平臺(tái),產(chǎn)能為2000片/月。
金博股份Q1營收2.02億,同比減少33.09%
4月28日晚間,金博股份發(fā)布2024年第一季度報(bào)告。報(bào)告期內(nèi),金博股份實(shí)現(xiàn)營收2.02億元,同比下滑33.09%;歸母凈利潤-0.55億元,歸母扣非凈利潤-0.64億元。
與此同時(shí),金博股份還發(fā)布2023年年度報(bào)告。2023年,金博股份實(shí)現(xiàn)營收10.72億元,同比下滑26.11%;歸母凈利潤2.02億元,同比下滑63.27%;歸母扣非凈利潤-0.12億元。
金博股份主要從事先進(jìn)碳基復(fù)合材料及產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,服務(wù)于光伏、半導(dǎo)體、交通、 氫能、鋰電等產(chǎn)業(yè),致力于為客戶提供先進(jìn)碳基復(fù)合材料產(chǎn)品和全套解決方案。
在半導(dǎo)體用碳基材料領(lǐng)域,金博研究院持續(xù)開展技術(shù)攻關(guān)與產(chǎn)品開發(fā),完成了超高純高性能軟氈保溫材料的研發(fā),并順利推進(jìn)產(chǎn)業(yè)化建設(shè),已實(shí)現(xiàn)批量供應(yīng);目前,金博研究院已完成超高純碳/碳熱場(chǎng)、超高純軟氈、硬氈等系列產(chǎn)品的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化,可廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體晶體生長高溫?zé)釄?chǎng)領(lǐng)域,相關(guān)產(chǎn)品已在多家SiC襯底制造廠商進(jìn)行驗(yàn)證并應(yīng)用。
卓勝微Q1營收11.90億,凈利同比增長69.83%
4月28日晚間,卓勝微發(fā)布2024年第一季度報(bào)告。報(bào)告期內(nèi),卓勝微實(shí)現(xiàn)營收11.90億元,同比增長67.16%;歸母凈利潤1.98億元,同比增長69.83%;歸母扣非凈利潤1.94億元,同比增長64.82%。
2024年一季度,卓勝微12英寸IPD平臺(tái)已正式轉(zhuǎn)入量產(chǎn)階段。集成自產(chǎn)IPD濾波器的L-PAMiF、LFEM等相關(guān)模組產(chǎn)品,已在多家客戶端完成驗(yàn)證并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)出貨。
與此同時(shí),集成公司自產(chǎn)MAX-SAW的L-PAMiD(主集收發(fā)模組,集成射頻低噪聲放大器、射頻功率放大器、射頻開關(guān)、雙工器/四工器等器件的射頻前端模組)產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)從“0”到“1”的突破,已處于工程樣品階段。
與此同時(shí),卓勝微還發(fā)布2023年年度報(bào)告。2023年,卓勝微實(shí)現(xiàn)營收43.78億元,同比增長19.05%;歸母凈利潤11.22億元,同比增長4.95%;歸母扣非凈利潤10.95億元,同比增長2.78%。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)
更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊,請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào):集邦化合物半導(dǎo)體。
]]>