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該專利摘要顯示，本發(fā)明提供一種SiC功率MOSFET器件及其制作方法，其中所述SiC功率MOSFET器件包括：SiC襯底；N-外延層，所述N-外延層位于所述SiC襯底之上；有源區(qū)，所述有源區(qū)為多個，多個所述有源區(qū)相間隔地排布于所述N-外延層之上；JFET區(qū)，所述JFET區(qū)位于所述N-外延層之上，且位于兩個相鄰的的所述有源區(qū)之間，所述JFET區(qū)內(nèi)設有淺溝槽結構，所述淺溝槽結構設有固定深度，所述淺溝槽結構與所述有源區(qū)之間設有固定距離；多晶硅柵層，所述多晶硅柵層位于所述有源區(qū)和所述JFET區(qū)之上；隔離層，所述隔離層位于所述多晶硅柵層之上；金屬層所述金屬層位于所述隔離層之上。本發(fā)明能夠在MOSFET器件的集電極加高壓的反向截止時，抑制短溝效應，防止MOSFET器件被擊穿。

資料顯示，宏微科技成立于2006年8月，從事IGBT、FRED為主的功率半導體芯片、單管、模塊和電源模組的設計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，并為客戶提供功率半導體器件的解決方案，主要產(chǎn)品有IGBT、FRED、MOSFET、整流橋、晶閘管、SiC模塊等。

近年來，宏微科技在SiC領域進展較快。2023年3月，宏微科技在接受機構調(diào)研時表示，2022年公司幾款SiC混合模塊已批量出貨。自產(chǎn)的SiC SBD單管也在2022年年末有樣品在客戶端測試；SiC MOS也在流片中。

2023年11月，宏微科技在接受機構調(diào)研時稱，SiC MOS已實現(xiàn)樣品產(chǎn)出，預計于2024年第一季度將成品交付客戶使用。在被問及液冷充電樁項目時，宏微科技表示，公司用于液冷充電樁的SiC器件產(chǎn)品正在開發(fā)階段，預計2024年上半年將進入送樣驗證階段。

隨后在12月，宏微科技再次對SiC業(yè)務進展情況進行了介紹。宏微科技稱，公司自主研發(fā)的SiC二極管及MOS芯片已經(jīng)逐步定型和小批量。

據(jù)宏微科技介紹，公司主要的SiC產(chǎn)品分兩類，一類是目前出貨量較大，主要用在光伏領域的混封產(chǎn)品；第二類是出貨量相對較小的純SiC封裝產(chǎn)品，2024年預計會有較大幅度的增長。（集邦化合物半導體整理）

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據(jù)宏微科技介紹，公司主要的SiC產(chǎn)品分兩類，一類是目前出貨量較大，主要用在光伏領域的混封產(chǎn)品；第二類是出貨量相對較小的純SiC封裝產(chǎn)品，明年預計會有較大幅度的增長。在電動汽車方向，公司SiC灌封產(chǎn)品對標英飛凌HPD產(chǎn)品，且公司單面散熱SiC塑封模塊明年也會有所突破，形成銷售。

資料顯示，宏微科技創(chuàng)立于2006年，業(yè)務范圍涵蓋設計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售新型電力半導體芯片、分立器件及模塊，如FRED、VDMOS、IGBT芯片、分立器件、標準模塊及用戶定制模塊（CSPM）。

目前，半導體廠商加碼SiC業(yè)務已成為常態(tài)，宏微科技相關動作也正在向SiC領域傾斜。事實上，宏微科技算得上是國內(nèi)SiC賽道較早的入局者之一，公司從2015年左右開始做SiC模塊，購買國外的芯片進行封裝。

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據(jù)宏微科技在今年10月下旬介紹，公司SiC二極管已經(jīng)開發(fā)成功，在小批量試用，SiC MOS在做最后的驗證，年底會有結果。而到目前，公司自主研發(fā)的SiC二極管及MOS芯片已逐步定型和小批量，迎來了新進展。

新能源汽車、光儲充等領域的蓬勃發(fā)展帶動SiC市場需求走高，為SiC相關廠商創(chuàng)造了切入機會和新的業(yè)績增長點，宏微科技也已有相關產(chǎn)品布局。據(jù)悉，液冷充電樁需應用SiC器件產(chǎn)品，目前宏微科技的SiC器件產(chǎn)品正在開發(fā)階段，預計2024年上半年將進入送樣驗證階段。值得一提的是，目前由于光伏的需求提升，公司批量交付Si+SiC混合封裝的產(chǎn)品，每月出貨量在幾萬塊左右。

在SiC領域的積極布局和成果在一定程度上促進了宏微科技的營收增長，公司2023年第三季度報告顯示，公司Q3營收3.71億元，同比增長31.58%;歸屬于上市公司股東的凈利潤2304.29萬元，同比下降20.56%;歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤2430.17萬元，同比增長9.55%;基本每股收益0.15元/股。

公司營收增速較快，但凈利潤卻出現(xiàn)同比下降，原因之一是研發(fā)投入較大，公司2023年第三季度研發(fā)投入合計2816.16萬元，同比增長達54.77%。加大研發(fā)投入使得公司當前資本支出較高，但有助于公司未來的業(yè)績增長。（集邦化合物半導體Zac整理）

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此外，在被問及液冷充電樁項目時，宏微科技表示：液冷充電樁需應用SiC器件產(chǎn)品，目前公司的SiC器件產(chǎn)品正在開發(fā)階段，預計2024年上半年將進入送樣驗證階段。

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據(jù)了解，宏微科技自設立以來一直從事IGBT、FRED和MOSFET為主的功率半導體芯片、單管和模塊的設計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，并為客戶提供功率半導體器件的解決方案。

針對SiC器件，宏微科技下階段將不斷提升產(chǎn)能利用率、產(chǎn)品性能，根據(jù)客戶需求，部署下階段封裝產(chǎn)品，最終實現(xiàn)公司高速、高質(zhì)量發(fā)展。

據(jù)TrendForce集邦咨詢推出的《2023中國SiC功率半導體市場分析報告》顯示，按2022年應用結構來看，光伏儲能為中國SiC市場最大應用場景，占比約38.9%，接續(xù)為汽車、工業(yè)以及充電樁等。汽車市場作為未來發(fā)展主軸，即將超越光伏儲能應用，其份額至2026年有望攀升至60.1%。（文：集邦化合物半導體Morty整理）

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