隨著會津工廠的投產(chǎn)，加上德州達拉斯現(xiàn)有的氮化鎵生產(chǎn)基地，德州儀器內(nèi)部氮化鎵功率半導體的產(chǎn)能將增加四倍。

source：德州儀器

德州儀器技術(shù)和制造高級副總裁Mohammad Yunus表示：“德州儀器已成功認證了8英寸（200mm）氮化鎵技術(shù)，并開始在日本會津工廠進行大規(guī)模生產(chǎn)。到2030年，德州儀器內(nèi)部氮化鎵制造率將增長到95%以上，同時還可以從多個德州儀器工廠采購，確保公司整個氮化鎵半導體產(chǎn)品組合的供應(yīng)?！?/p>

德州儀器指出，氮化鎵作為硅的替代材料，在能效、開關(guān)速度、電源解決方案的尺寸和重量、整體系統(tǒng)成本以及高溫高壓條件下的性能等方面都具有優(yōu)勢。德州儀器依托新氮化鎵制造技術(shù)，正將氮化鎵芯片的拓展至更高的電壓——從900V開始并逐步提升至更高壓。

此外，德州儀器擴展投資還包括今年早些時候在12英寸（300mm）晶圓上成功開發(fā)氮化鎵制造工藝的試點。進一步來說，德州儀器擴大的氮化鎵制造工藝完全可轉(zhuǎn)移到12英寸技術(shù)，使公司能夠隨時根據(jù)客戶需求進行擴展，并在未來轉(zhuǎn)向12英寸。

值得一提的是，在12英寸氮化鎵方面，除了德州儀器，英飛凌今年9月就已宣布開發(fā)出全球首款12英寸功率氮化鎵晶圓。

據(jù)悉，12英寸晶圓與8英寸晶圓相比，每片能多生產(chǎn)2.3倍數(shù)量的芯片，技術(shù)和效率顯著提升。英飛凌表示，因為氮化鎵和硅的制造工藝非常相似，其12英寸氮化鎵技術(shù)的一大優(yōu)勢是可以利用現(xiàn)有的12英寸硅晶圓制造設(shè)備。后續(xù)，英飛凌將根據(jù)市場需求進一步擴大GaN產(chǎn)能。（集邦化合半導體Morty編譯）

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揚杰科技：營收達15.58億

揚杰科技表示，報告期內(nèi)，隨著半導體市場需求逐步改善，公司營收規(guī)模進一步擴大，截至報告期末累計達到44.23億元，較去年同期上升9.48%，累計歸母凈利潤為6.69億元，較去年同期上升8.28%。

其中第三季度營收15.58億元，較去年同期上升10.06%，歸母凈利潤為2.44億元，較去年同期上升17.91%。

針對業(yè)績上漲，揚杰科技表示，報告期內(nèi)，下游應(yīng)用領(lǐng)域需求回暖。隨著全球汽車行業(yè)向電動化和智能化的快速轉(zhuǎn)型，為公司提供了新的增長機遇，2024年前三季度公司汽車電子業(yè)務(wù)營業(yè)收入較去年同期上升60%。

同時，隨著消費類電子及工業(yè)市場需求逐步回升，2024年前三季度消費電子及工業(yè)產(chǎn)品營業(yè)收入較去年同期上升均超20%。

此外，公司持續(xù)推進降本增效以及推出滿足市場的新產(chǎn)品，實現(xiàn)了毛利率的上升。

德州儀器：營收達41.5億美元

德州儀器公布2024年第三季度營收為41.5億美元（折合人民幣約295.8億元），同比下降8%，但環(huán)比增長9%；凈利潤為13.6億美元，同比下降20%。

數(shù)據(jù)顯示，德州儀器已連著8個季度營收同比下滑，但此次是七個季度以來的最小降幅，營收與凈利潤皆超過外界預期。受智能手機和個人電腦供應(yīng)商訂單增加以及終端市場需求反彈的推動，德州儀器產(chǎn)品的銷量得到提振。

首席執(zhí)行官Haviv Ilan在財報電話會議上表示，汽車市場的收入也環(huán)比增長了個位數(shù)。Ilan表示：“中國電動汽車市場發(fā)展勢頭強勁，我們的產(chǎn)品在中國市場不斷增長，這才是推動第三季度增長的真正原因?！辈贿^，他還表示，預計其余汽車市場仍將保持疲軟態(tài)勢。

Ilan補充道，公司的三個主要市場已經(jīng)開始反彈，但其最大的銷售來源——工業(yè)和汽車芯片——仍面臨庫存過剩的問題。展望未來，德州儀器第四季度的預期是營收在37億美元至40億美元之間（折合人民幣約263億元至285億元）。（集邦化合物半導體Morty整理）

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德州儀器電機驅(qū)動器業(yè)務(wù)部門經(jīng)理 Nicole Navinsky 表示：“高壓家用電器及 HVAC 系統(tǒng)的設(shè)計人員正努力達成更高的能效標準，以期支持全球環(huán)境可持續(xù)發(fā)展目標。同時，他們也致力于滿足消費者對可靠、靜音及小巧系統(tǒng)的需求。借助德州儀器全新的 GaN IPM，工程師能夠設(shè)計出滿足所有這些期望并以出色效率運行的電機驅(qū)動器系統(tǒng)?！?/p>

德州儀器 GaN 助力提升系統(tǒng)效率和可靠性

全球范圍內(nèi)針對家電和 HVAC 系統(tǒng)的能效標準（如 SEER、MEPS、Energy Star 和 Top Runner 標準）正變得日益嚴格。與現(xiàn)有解決方案相比，DRV7308 可利用 GaN 技術(shù)實現(xiàn)超過 99% 的效率，提升熱性能，功耗可降低 50%，從而協(xié)助工程師滿足上述標準。

此外，DRV7308 實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)較低的死區(qū)時間和低傳播延遲（均小于 200ns），這可達到更高的脈寬調(diào)制 (PWM) 開關(guān)頻率，從而減少可聞噪聲和系統(tǒng)振動。這些優(yōu)勢與 DRV7308 更高的功率效率和集成特性相得益彰，還能減少電機發(fā)熱問題，進而提高系統(tǒng)可靠性并延長使用壽命。

強大集成和高功率密度可縮減解決方案尺寸和成本

順應(yīng)家電小型化的趨勢，DRV7308 協(xié)助工程師開發(fā)更小巧的電機驅(qū)動器系統(tǒng)。全新 IPM 基于 GaN 技術(shù)，具有高功率密度，并采用 12mm x 12mm 封裝，使之成為面向 150W 至 250W 電機驅(qū)動器應(yīng)用的業(yè)界超小型 IPM。在出色效率的加持下，DRV7308 無需外部散熱器，與同類 IPM 解決方案相比，電機驅(qū)動逆變器印刷電路板 (PCB) 的尺寸可縮減高達 55%。此外，對電流檢測放大器、保護功能和逆變器級的集成進一步縮減了解決方案的尺寸和成本。

德州儀器可靠的高壓技術(shù)亮相慕尼黑上海電子展

DRV7308 GaN IPM 將在慕尼黑上海電子展展出。屆時，德州儀器技術(shù)專家將在活動同期論壇帶來 “德州儀器推出先進的氮化鎵智能功率模塊，助力打造更小更高效的馬達驅(qū)動器”的主題演講，深入解讀德州儀器如何助力第三代半導體技術(shù)與產(chǎn)業(yè)鏈的創(chuàng)新與發(fā)展。（來源：德州儀器）

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source：德州儀器

TI從6英寸轉(zhuǎn)型8英寸

3月5日，TI韓國總監(jiān)Ju-Yong Shin表示，TI正在美國達拉斯、日本會津和其他地方興建8英寸晶圓廠。據(jù)Shin介紹，TI目前采用6英寸工藝生產(chǎn)GaN半導體，達拉斯工廠有望在2025年之前過渡到8英寸工藝，而在日本會津工廠，TI正在將現(xiàn)有的硅基8英寸生產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為GaN半導體生產(chǎn)線。

在半導體行業(yè)，從一定程度上來說，隨著晶圓尺寸越來越大，單位器件成本呈下降趨勢。8英寸晶圓的面積是6英寸晶圓的1.78倍，12英寸晶圓的面積是8英寸晶圓的2.25倍，更大的晶圓尺寸意味著可以生產(chǎn)更多的器件，有助于提高生產(chǎn)效率。

有業(yè)內(nèi)人士表示，從6英寸生產(chǎn)工藝轉(zhuǎn)向8英寸工藝，有望將生產(chǎn)成本降低10%以上。由此看來，TI的工藝轉(zhuǎn)型有望降低GaN半導體價格，進而能夠提供更低價格的器件以及解決方案，幫助其從降本入手獲得一定的競爭優(yōu)勢。

值得一提的是，GaN-on-Si是硅基技術(shù)，可以利用現(xiàn)有硅晶圓代工廠已有的規(guī)模生產(chǎn)優(yōu)勢，實現(xiàn)產(chǎn)品的規(guī)模量產(chǎn)和快速上市?；诖?，TI能夠加速上文所說的將現(xiàn)有的硅基8英寸生產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為GaN生產(chǎn)線的進程，從而更快實現(xiàn)轉(zhuǎn)換目標。

TI GaN業(yè)務(wù)進展

當前，國內(nèi)外廠商均在積極推進建設(shè)8英寸GaN晶圓項目，TI順勢而為，實施8英寸轉(zhuǎn)型戰(zhàn)略，在降本增效的同時，也能夠在技術(shù)方面置身于產(chǎn)業(yè)第一梯隊。

近年來，TI積極涉足GaN全產(chǎn)業(yè)鏈，以期在穩(wěn)健增長的GaN市場分一杯羹。據(jù)TrendForce集邦咨詢分析，全球GaN功率元件市場規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長到2026年的13.3億美金，復合增長率高達65%。

產(chǎn)能方面，TI日本負責人Samuel Vicari在2023年2月曾透露，將擴大在日GaN晶圓產(chǎn)能。據(jù)悉，擴產(chǎn)的原因在于TI使用GaN的相關(guān)產(chǎn)品需求較高，為此，TI將主要投資福島縣的會津工廠以擴大產(chǎn)能。

此前，TI日本會津工廠產(chǎn)能并非全部用于GaN產(chǎn)品，而通過最新的轉(zhuǎn)型規(guī)劃，TI有望將GaN半導體提升為會津工廠主要產(chǎn)品，其GaN晶圓產(chǎn)能將進一步擴大。

產(chǎn)品方面，GaN功率器件市場的發(fā)展主要由消費電子所驅(qū)動，目前核心仍在于快充。不久前，TI發(fā)布了低功耗GaN系列新品，可助力提高功率密度、提升系統(tǒng)效率、同時縮小交流/直流消費類電力電子等產(chǎn)品的尺寸。

如今，消費者需要更小、更輕、更便攜，同時還能快速充電的高能效電源適配器，而借助TI發(fā)布的新品，設(shè)計人員可將低功耗GaN技術(shù)優(yōu)勢應(yīng)用到更多消費者日常使用的產(chǎn)品中，如手機和筆記本電腦適配器等。

TI低功耗GaN產(chǎn)品有助于推動GaN技術(shù)在消費電子領(lǐng)域的進一步滲透，同時在一定程度上帶動公司GaN業(yè)務(wù)板塊業(yè)績增長。

小結(jié)

此次向8英寸轉(zhuǎn)型，配合2023以來實施的擴產(chǎn)計劃，TI未來有望提供更多GaN相關(guān)產(chǎn)品，在GaN供不應(yīng)求的大環(huán)境下，分食更多市場份額。

成本問題是制約GaN產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的因素之一，向8英寸以及更大尺寸轉(zhuǎn)型是降低GaN器件成本可行之法。TI實施8英寸轉(zhuǎn)型戰(zhàn)略，既有助于降低自身GaN產(chǎn)品成本，也有望在一定程度上推動市場上相關(guān)產(chǎn)品降價，進而擴大應(yīng)用，推動產(chǎn)業(yè)正面發(fā)展。（文：集邦化合物半導體Zac）

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“今天，我們公司在擴大制造足跡的過程中邁出了重要的一步。這座新工廠是我們長期300毫米制造路線圖的一部分，旨在打造客戶未來幾十年所需的產(chǎn)能?！盜lan說道?！霸赥I，我們的熱情是通過讓電子產(chǎn)品變得更便宜來創(chuàng)造一個更美好的世界通過半導體。我們很自豪能夠成為該組織中不斷壯大的成員猶他州社區(qū)，并制造對當今幾乎所有類型的電子系統(tǒng)都至關(guān)重要的模擬和嵌入式處理半導體?！?/p>

2 月份，TI宣布110億美元投資于猶他州，標志著該州歷史上最大的經(jīng)濟投資。LFAB2 將為TI創(chuàng)造約800個額外工作崗位以及數(shù)千個間接工作崗位，首批生產(chǎn)最早將于2026年投入使用。

“TI的制造業(yè)務(wù)不斷增長猶他州將為我們州帶來變革，為猶他州創(chuàng)造數(shù)百個高薪就業(yè)機會，以制造至關(guān)重要的技術(shù)。”猶他州州長斯賓塞·考克斯?！拔覀?yōu)榘雽w制造而感到自豪猶他州猶他州的項目——將為我們國家的經(jīng)濟和國家安全奠定基礎(chǔ)的創(chuàng)新提供動力?！?/p>

建設(shè)更強大的社區(qū)

作為TI對教育承諾的一部分，公司將投資900萬美元在Alpine 學區(qū)，為幼兒園至12年級的所有學生開發(fā)該州第一個科學、技術(shù)、工程和數(shù)學(STEM)學習社區(qū)。該多年計劃將把STEM概念更深入地融入到學區(qū)85,000名學生的課程中，并為其教師和管理人員提供以STEM為導向的專業(yè)發(fā)展。該學區(qū)范圍內(nèi)的計劃將為學生提供必要的STEM 技能，例如批判性思維、協(xié)作和創(chuàng)造性解決問題的能力，以便在畢業(yè)后取得成功。

高山學區(qū)負責人Dr. Alpine表示：“我們很高興這種合作關(guān)系將幫助我們的學生培養(yǎng)必要的知識和技能，為他們在生活中取得成功以及在技術(shù)領(lǐng)域可能的職業(yè)生涯做好準備。”肖恩·法恩斯沃斯?！芭c城市合作萊希、德州儀器和我們的學校，這項合作投資將影響學生及其家庭的子孫后代?！?/p>

可持續(xù)建設(shè)

TI長期致力于負責任的可持續(xù)制造。LFAB2將成為該公司最環(huán)保的晶圓廠之一，旨在滿足領(lǐng)先能源與環(huán)境設(shè)計 (LEED) 建筑評級系統(tǒng)結(jié)構(gòu)效率和可持續(xù)性的最高水平之一：LEED金級第4版。
LFAB2的目標是由 100% 可再生電力提供動力，并采用先進的12吋設(shè)備和工藝萊希將進一步減少廢物、水和能源的消耗。事實上，LFAB2 的水回收率預計是TI現(xiàn)有晶圓廠的近兩倍。萊希。

構(gòu)建半導體制造的下一個時代

LFAB2 將補充TI現(xiàn)有的12吋晶圓廠，其中包括 LFAB1 (猶他州李海）、DMOS6（達拉斯），以及RFAB1和RFAB2（都在德克薩斯州理查森）。TI還在美國建設(shè)四家新的12吋晶圓廠德克薩斯州謝爾曼（SM1、SM2、SM3和SM4），第一座晶圓廠最早將于2025年開始生產(chǎn)。

在《芯片》和《科學法案》的預期支持下，TI 的制造擴張將為模擬和嵌入式處理產(chǎn)品提供可靠的供應(yīng)。這些在制造和技術(shù)方面的投資體現(xiàn)了公司對長期產(chǎn)能規(guī)劃的承諾。（圖文：半導體行業(yè)觀察）

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