據(jù)TrendForce集邦咨詢了解到，此次展會(huì)，意法半導(dǎo)體、瀚薪科技、泰科天潤(rùn)、愛仕特、華潤(rùn)微電子、飛锃半導(dǎo)體、芯導(dǎo)科技、國(guó)星光電、蓉矽半導(dǎo)體、銀河微電、應(yīng)能微電子、美浦森半導(dǎo)體、翠展微電子、中瑞宏芯等企業(yè)攜旗下SiC和GaN的新研發(fā)成果和先進(jìn)技術(shù)亮相，面向工業(yè)、能源、汽車和消費(fèi)電子等領(lǐng)域。

芯導(dǎo)科技

本次展會(huì)，芯導(dǎo)科技帶來了多種GaN和SiC功率器件。

SiC方面，公司展示了650V/1200V/1700V SiC MOSFET和SiC SBD。

GaN方面，其展出了40V~650V GaN HEMT和GaN Power IC。

芯導(dǎo)科技專注于功率IC（鋰電池充電管理 IC、OVP過壓保護(hù) IC、音頻功率放大器、GaN 驅(qū)動(dòng)與控制IC、DC/DC電源IC等）以及功率器件（ESD、EOS/TVS、MOSFET、GaN HEMT、Schottky等）的開發(fā)及應(yīng)用。

國(guó)星光電

國(guó)星光電在此次活動(dòng)中攜帶GaN和SiC功率器件亮相。GaN方面，國(guó)星光電展示了GaN SIP 合封器件、GaN恒壓電源、GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管以及33W快充墻插。

國(guó)星光電推出的GaN驅(qū)動(dòng)電源的開關(guān)頻率高、體積縮小了1/3、重量更輕且電源系統(tǒng)結(jié)構(gòu)更加緊湊，功率密度高。其擁有極低的功率損耗，轉(zhuǎn)換效率高。相比于Si基，工作溫度更高，惡劣工況環(huán)境適應(yīng)能力得到了提升。該驅(qū)動(dòng)電源可用于LED照明、整屋低壓供電、低壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用。

SiC方面，國(guó)星光電帶來了多樣式SiC分立器件和SiC功率模塊。

國(guó)星光電推出了超薄內(nèi)絕緣SiC分立器件，該產(chǎn)品采用了自有的專利技術(shù)，讓產(chǎn)品尺寸降低了30%，性能更穩(wěn)定。

國(guó)星光電還展示了獲得車規(guī)級(jí)認(rèn)證 SiC-MOSFET和 SiC-SBD，可滿足各大主流汽車廠家對(duì)高可靠性功率器件的要求。

瀚薪科技

瀚薪科技在本次展會(huì)中重磅推出650V和1200V低內(nèi)阻產(chǎn)品，1700V系列新品和H4S系列第四代Diode，T2PAK等產(chǎn)品。

瀚薪科技是一家致力于研發(fā)與生產(chǎn)第三代寬禁帶半導(dǎo)體功率器件及功率模塊的高科技企業(yè)，是國(guó)內(nèi)一家能大規(guī)模量產(chǎn)車規(guī)級(jí)SiC MOSFET管、二極管并規(guī)模出貨給全球知名客戶的本土公司。

華潤(rùn)微電子

在此次展會(huì)上,華潤(rùn)微電子攜功率器件和模塊產(chǎn)品 (低壓MOSFET、SiC、IGBT、GaN) 、IPM配套方案、MCU安全芯片、MEMS安全芯片等豐富產(chǎn)品亮相。

華潤(rùn)微電子是擁有芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試等全產(chǎn)業(yè)鏈一體化運(yùn)營(yíng)能力的IDM半導(dǎo)體企業(yè)，公司產(chǎn)品設(shè)計(jì)自主、制造過程可控，在分立器件及集成電路領(lǐng)域均已具備較強(qiáng)的產(chǎn)品技術(shù)與制造工藝能力，形成了先進(jìn)的特色工藝和系列化的產(chǎn)品線。

銀河微電

銀河微電是一家專注于半導(dǎo)體分立器件研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè)，具備IDM模式下的一體化經(jīng)營(yíng)能力。在本次展會(huì)上，其推出了650V/1200V SiC肖特基二極管產(chǎn)品，為工程師設(shè)計(jì)各種應(yīng)用的轉(zhuǎn)換電路提供了理想的解決方案。

應(yīng)能微電子

應(yīng)能微電子作為領(lǐng)先的高性能保護(hù)器件和功率半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)研發(fā)商參加了此次盛會(huì)，并展示包含6英寸SiC晶圓板和SiC MOSFET在內(nèi)的眾多新產(chǎn)品和行業(yè)解決方案。

飛锃半導(dǎo)體

飛锃半導(dǎo)體在展臺(tái)上集中展示一系列創(chuàng)新成果，包括SiC MOSFET、SiC二極管、SiC功率模塊，用于新能源汽車和光伏儲(chǔ)能等熱門領(lǐng)域。

飛锃半導(dǎo)體成立至今一直對(duì)技術(shù)創(chuàng)新持續(xù)投入和積累，隨著第三代SiC MOSFET通過可靠性測(cè)試認(rèn)證，飛锃半導(dǎo)體進(jìn)一步豐富了SiC MOSFET產(chǎn)品線。本次展出的第三代1200V 14/18/30/40/80mohm SiC MOSFET，可廣泛應(yīng)用于充電樁、光伏&儲(chǔ)能、車載OBC/DCDC/主驅(qū)等領(lǐng)域。

美浦森半導(dǎo)體

美浦森半導(dǎo)體攜6英寸SiC 減薄晶圓以及SiC DIODE產(chǎn)品亮相。

美浦森半導(dǎo)體是一家專業(yè)功率半導(dǎo)體元器件全產(chǎn)業(yè)鏈公司。目前，美浦森半導(dǎo)體MOSFET和SiC系列產(chǎn)品在LED電源、PD電源、PC和服務(wù)器電源、光伏逆變、UPS、充電樁、智能家居、BLDC、BMS、小家電等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。

蓉矽半導(dǎo)體

作為一家致力于第三代寬禁帶半導(dǎo)體SiC功率器件設(shè)計(jì)與開發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)，蓉矽半導(dǎo)體攜旗下明星產(chǎn)品在展會(huì)上亮相。

本次蓉矽半導(dǎo)體重點(diǎn)展示了1200V 75/40/12mΩ NovuSiC? MOSFET與1200V 10/20/30A NovuSiC? EJBS。

在20kW直流充電模塊中，與硅基器件相比，蓉矽NovuSiC?方案可減少器件數(shù)量50%；降低總損耗50%以上；提升效率約2%，峰值可達(dá)97%以上。在11kW光伏逆變器應(yīng)用中，相較FRD， NovuSiC? EJBS?可降低約30%的系統(tǒng)總損耗，分別降低6℃和13℃的硅基IGBT和SiC二極管溫升。

意法半導(dǎo)體（ST）

本次慕尼黑華南電子展上，意法半導(dǎo)體（ST）為觀眾帶來智能出行、電源與能源、物聯(lián)網(wǎng)&互聯(lián)等三大板塊的產(chǎn)品和智能解決方案。

ST重點(diǎn)展示人工智能，個(gè)人居家用品及工業(yè)應(yīng)用等創(chuàng)新型解決方案；旨在展現(xiàn)產(chǎn)品與技術(shù)的同時(shí)，充分傳達(dá)ST的可持續(xù)發(fā)展理念；并通過ST的技術(shù)、產(chǎn)品和解決方案讓日常應(yīng)用變得更智能、更安全、更節(jié)能。

泰科天潤(rùn)

泰科天潤(rùn)在本次慕展上展出了SiC MOSFET、650V/60A混合單管、1700V/0.5A SMA封裝SiC二極管和2000V系列產(chǎn)品。

據(jù)工作人員介紹，他們還帶來了目前業(yè)界最小SiC器件，封裝尺寸僅為1.8*3.7*1.15mm，電壓電源為650V~1200V（1A）。

除此之外，泰科天潤(rùn)還推出了GaN+SiC的140W適配方案。

愛仕特科技

愛仕特?cái)y最新SiC MOSFET系列產(chǎn)品以及全系車規(guī)級(jí)SiC功率模塊及應(yīng)用解決方案亮相本次展會(huì)。愛仕特重點(diǎn)展出了SiC功率器件、電機(jī)控制器等方案，為眾多不同領(lǐng)域客戶提供豐富的產(chǎn)品組合和穩(wěn)定可靠的應(yīng)用方案，目前已實(shí)現(xiàn)電壓650~3300V，電流5~150A的SiC MOSFET量產(chǎn)供貨。

中瑞宏芯半導(dǎo)體

本次展會(huì)，中瑞宏芯主要展出的產(chǎn)品包括：1200V/13mΩ SiC MOSFET、Six-pack三相全SiC模塊、1200V/80mΩ車規(guī)級(jí)SiC MOSFET以及650V~1700V全系列全規(guī)格不同封裝形式的SiC JBS和SiC MOSFET。

中瑞宏芯在SiC功率半導(dǎo)體領(lǐng)域已全面掌握從芯片設(shè)計(jì)、仿真建模到測(cè)試應(yīng)用、量產(chǎn)導(dǎo)入全流程know-how，產(chǎn)品主要包括SiC肖特基二極管JBS和SiC MOSFET功率器件等。

翠展微電子

作為一家具備4條功率器件封測(cè)線，汽車模塊年產(chǎn)能接近70萬只的中國(guó)本土功率器件公司，翠展微電子帶來了全新的TPAK封裝解決方案。

TPAK封裝尺寸既可布置單顆晶圓芯片，也可并聯(lián)兩顆晶圓芯片，特別是應(yīng)對(duì)成本較高的SiC，降本優(yōu)勢(shì)更為明顯。

翠展微電子硬件研發(fā)經(jīng)理凌歡表示：“TPAK封裝是專門為克服TO-247等封裝方案缺陷而設(shè)計(jì)的解決方案，采用該封裝方案的產(chǎn)品已經(jīng)在特斯拉Model 3、Model Y等車型上得到批量應(yīng)用，目前國(guó)內(nèi)也有一些車型正在驗(yàn)證，相信采用TPAK封裝方案的功率器件產(chǎn)品將會(huì)在接下來幾年內(nèi)得到大力推廣?！?/p>

翠展微電子已在開發(fā)基于TPAK封裝的SiC器件，據(jù)凌歡透露，首款5.5mΩ/1200V SiC模塊產(chǎn)品預(yù)計(jì)于2024年Q2量產(chǎn)上市。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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