時(shí)代電氣Q3實(shí)現(xiàn)營收59.73億元，具備年產(chǎn)2.5萬片6英寸碳化硅產(chǎn)能

10月31日晚間，時(shí)代電氣公布了2024年第三季度報(bào)告。2024年Q3，時(shí)代電氣實(shí)現(xiàn)營收59.73億元，同比增長8.10%；歸母凈利潤9.94億元，同比增長10.61%；歸母扣非凈利潤8.89億元，同比增長18.27%。

9月10日，時(shí)代電氣參加投資者調(diào)研活動(dòng)，披露了其在功率半導(dǎo)體、信號系統(tǒng)、電驅(qū)系統(tǒng)等業(yè)務(wù)上的最新進(jìn)展情況。在碳化硅業(yè)務(wù)方面，時(shí)代電氣表示，其目前具備年產(chǎn)2.5萬片6英寸碳化硅的產(chǎn)能，并已發(fā)布基于碳化硅器件的電驅(qū)系統(tǒng)，預(yù)計(jì)今年形成銷售，明年實(shí)現(xiàn)批量推廣。

在碳化硅產(chǎn)線建設(shè)方面，時(shí)代電氣子公司中車時(shí)代半導(dǎo)體早在2017年就建成了國內(nèi)首條4/6英寸兼容碳化硅芯片中試線，并在軌道交通領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)批量應(yīng)用。目前，中車時(shí)代半導(dǎo)體正在建設(shè)8英寸碳化硅產(chǎn)線。

盛美上海Q3實(shí)現(xiàn)營收15.73億元，已推出6/8英寸化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品線

10月31日晚間，盛美上海公布了2024年第三季度報(bào)告。2024年Q3，盛美上海實(shí)現(xiàn)營收15.73億元，同比增長37.96%；歸母凈利潤3.15億元，同比增長35.09%；歸母扣非凈利潤3.06億元，同比增長31.41%。

盛美上海致力于為集成電路行業(yè)提供設(shè)備及工藝解決方案，包括清洗設(shè)備、半導(dǎo)體電鍍設(shè)備、立式爐管系列設(shè)備、前道涂膠顯影Track設(shè)備、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD設(shè)備、無應(yīng)力拋光設(shè)備、后道先進(jìn)封裝工藝設(shè)備以及硅材料襯底制造工藝設(shè)備等。

在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，盛美上海推出了6/8英寸化合物半導(dǎo)體濕法工藝產(chǎn)品線，以支持化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的工藝應(yīng)用，包括碳化硅、氮化鎵和砷化鎵等。

中瓷電子Q3實(shí)現(xiàn)營收6.64億元，業(yè)務(wù)涵蓋碳化硅功率模塊

10月31日晚間，中瓷電子公布了2024年第三季度報(bào)告。2024年Q3，中瓷電子實(shí)現(xiàn)營收6.64億元，同比增長2.97%；歸母凈利潤1.57億元，同比增長28.67%；歸母扣非凈利潤1.40億元，同比增長88.72%。

中瓷電子業(yè)務(wù)分為化合物半導(dǎo)體器件及模塊、電子陶瓷材料及元件兩大方面，化合物半導(dǎo)體器件及模塊業(yè)務(wù)又分為氮化鎵通信基站射頻芯片與器件、碳化硅功率模塊及其應(yīng)用兩部分。

在氮化鎵領(lǐng)域，中瓷電子氮化鎵通信基站射頻芯片與器件在通信基站中主要用于移動(dòng)通信基站發(fā)射鏈路，實(shí)現(xiàn)對通信射頻信號的功率放大；在碳化硅領(lǐng)域，中瓷電子中低壓碳化硅功率產(chǎn)品主要應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)電源、新能源逆變器等領(lǐng)域，高壓碳化硅功率產(chǎn)品瞄準(zhǔn)智能電網(wǎng)、動(dòng)力機(jī)車、軌道交通等應(yīng)用領(lǐng)域。

士蘭微Q3實(shí)現(xiàn)營收28.89億元，士蘭明鎵已具備月產(chǎn)0.9萬片碳化硅芯片產(chǎn)能

10月31日晚間，士蘭微公布了2024年第三季度報(bào)告。2024年Q3，士蘭微實(shí)現(xiàn)營收28.89億元，同比增長19.22%；歸母凈利潤0.54億元；歸母扣非凈利潤0.14億元，同比下滑34.21%。

第三季度，士蘭微子公司士蘭集成5、6英寸芯片生產(chǎn)線、子公司士蘭集昕8英寸芯片生產(chǎn)線、重要參股企業(yè)士蘭集科12英寸芯片生產(chǎn)線均保持滿負(fù)荷生產(chǎn)，士蘭微預(yù)計(jì)4季度5、6、8、12英寸芯片生產(chǎn)線將繼續(xù)保持滿產(chǎn)。

第三季度，士蘭微加快子公司士蘭明鎵6英寸碳化硅芯片生產(chǎn)線產(chǎn)能建設(shè)，截至目前士蘭明鎵已具備月產(chǎn)0.9萬片碳化硅芯片的生產(chǎn)能力；士蘭微將進(jìn)一步增加對6英寸碳化硅芯片生產(chǎn)線投入，加快其產(chǎn)品結(jié)構(gòu)升級。

拉普拉斯Q3實(shí)現(xiàn)營收17.61億元，同比增長377.17%

10月31日晚間，拉普拉斯公布了2024年第三季度報(bào)告。2024年Q3，拉普拉斯實(shí)現(xiàn)營收17.61億元，同比增長377.17%；歸母凈利潤2.24億元，同比增長1176.37%；歸母扣非凈利潤2.06億元，同比增長2290.74%。

拉普拉斯是一家高效光伏電池片核心工藝設(shè)備及解決方案提供商，主營業(yè)務(wù)為光伏電池片制造所需高性能熱制程、鍍膜及配套自動(dòng)化設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，并可為客戶提供半導(dǎo)體分立器件設(shè)備和配套產(chǎn)品及服務(wù)。

拉普拉斯半導(dǎo)體分立器件設(shè)備產(chǎn)品包括碳化硅基半導(dǎo)體器件用超高溫氧化爐和碳化硅基半導(dǎo)體器件用超高溫退火爐。

華潤微Q3實(shí)現(xiàn)營收27.11億元，已建成8英寸中壓增強(qiáng)型P-GaN工藝平臺

10月31日晚間，華潤微公布了2024年第三季度報(bào)告。2024年Q3，華潤微實(shí)現(xiàn)營收27.11億元，同比增長8.44%；歸母凈利潤2.19億元，同比下滑21.31%；歸母扣非凈利潤1.85億元，同比下滑1.35%。

目前華潤微主營業(yè)務(wù)可分為產(chǎn)品與方案、制造與服務(wù)兩大業(yè)務(wù)板塊。其產(chǎn)品與方案業(yè)務(wù)板塊聚焦于功率半導(dǎo)體、數(shù)?；旌稀⒅悄軅鞲衅髋c智能控制等領(lǐng)域，制造與服務(wù)業(yè)務(wù)主要提供半導(dǎo)體開放式晶圓制造、封裝測試等服務(wù)。

2024年上半年，華潤微完成8英寸中壓（100-200V）增強(qiáng)型P-GaN工藝平臺建設(shè)，并完成首顆150V/36A增強(qiáng)型器件樣品的制備。同時(shí)，華潤微采用新型的氮化鎵控制及驅(qū)動(dòng)技術(shù)，開發(fā)原邊、副邊控制芯片，及氮化鎵驅(qū)動(dòng)芯片，推出基于氮化鎵的高效能快充系統(tǒng)方案。

宏微科技Q3實(shí)現(xiàn)營收3.43億元，業(yè)務(wù)涵蓋碳化硅芯片和封裝

10月31日晚間，宏微科技公布了2024年第三季度報(bào)告。2024年Q3，宏微科技實(shí)現(xiàn)營收3.43億元，同比下滑7.53%；歸母凈利潤0.02億元，同比下滑93.37%；歸母扣非凈利潤-0.07億元。

宏微科技從事IGBT、FRD為主的功率半導(dǎo)體芯片、單管和模塊的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，并為客戶提供功率半導(dǎo)體器件的解決方案。

在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，宏微科技布局了碳化硅芯片和封裝業(yè)務(wù)，相關(guān)的碳化硅模塊已批量應(yīng)用于新能源等行業(yè)。

高測股份Q3實(shí)現(xiàn)營收7.85億元，6/8英寸碳化硅金剛線切片機(jī)實(shí)現(xiàn)交付

10月31日晚間，高測股份公布了2024年第三季度報(bào)告。2024年Q3，高測股份實(shí)現(xiàn)營收7.85億元，同比下滑53.51%；歸母凈利潤-0.67億元，歸母扣非凈利潤-0.79億元。

高測股份研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的主要產(chǎn)品和服務(wù)為光伏切割設(shè)備、光伏切割耗材、硅片及切割加工服務(wù)、其他高硬脆材料切割設(shè)備及耗材四類。其中，高硬脆材料切割設(shè)備及耗材主要應(yīng)用于半導(dǎo)體、藍(lán)寶石、磁材及碳化硅等切割領(lǐng)域。

在碳化硅領(lǐng)域，高測股份推出的6英寸及8英寸碳化硅金剛線切片機(jī)已形成批量訂單并實(shí)現(xiàn)交付。

燕東微Q3實(shí)現(xiàn)營收3.72億元，業(yè)務(wù)涵蓋碳化硅器件

10月31日晚間，燕東微公布了2024年第三季度報(bào)告。2024年Q3，燕東微實(shí)現(xiàn)營收3.72億元，同比下滑15.54%；歸母凈利潤-1.07億元，歸母扣非凈利潤-1.19億元。

燕東微是一家集芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造和封裝測試于一體的半導(dǎo)體企業(yè)，總部位于北京，在北京、遂寧分別有一條8英寸晶圓生產(chǎn)線和一條6英寸晶圓生產(chǎn)線；在北京擁有一座12英寸晶圓廠在建中。

在碳化硅領(lǐng)域，燕東微在2021年已建成月產(chǎn)能1000片的6英寸碳化硅晶圓生產(chǎn)線。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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其中，在碳化硅產(chǎn)品方面，時(shí)代電氣表示，其目前具備年產(chǎn)2.5萬片6英寸碳化硅的產(chǎn)能，并已發(fā)布基于碳化硅器件的電驅(qū)系統(tǒng)，預(yù)計(jì)今年形成銷售，明年實(shí)現(xiàn)批量推廣。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

根據(jù)時(shí)代電氣2024年半年度報(bào)告，時(shí)代電氣主要從事軌道交通裝備產(chǎn)品的研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造、銷售并提供相關(guān)服務(wù)，具有“器件+系統(tǒng)+整機(jī)”的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品主要包括以軌道交通牽引變流系統(tǒng)為主的軌道交通電氣裝備、軌道工程機(jī)械、通信信號系統(tǒng)等。

同時(shí)，時(shí)代電氣正在積極布局軌道交通以外的產(chǎn)業(yè)，在功率半導(dǎo)體器件、工業(yè)變流產(chǎn)品、新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)、傳感器件、海工裝備等領(lǐng)域開展業(yè)務(wù)。

2024年上半年，在功率半導(dǎo)體板塊業(yè)務(wù)方面，時(shí)代電氣已有產(chǎn)線滿載運(yùn)營，宜興3期項(xiàng)目穩(wěn)步推進(jìn)，預(yù)計(jì)2024年下半年投產(chǎn)，中低壓器件產(chǎn)能持續(xù)提升。同時(shí)，其電網(wǎng)和軌交用高壓器件各項(xiàng)目持續(xù)交付。此外，時(shí)代電氣IGBT 7.5代芯片技術(shù)產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)批量交付，碳化硅產(chǎn)品完成第4代溝槽柵芯片開發(fā)，碳化硅產(chǎn)線改造完成，新能源車用碳化硅產(chǎn)品處于持續(xù)驗(yàn)證階段。

在碳化硅芯片技術(shù)方面，時(shí)代電氣掌握了具有核心自主知識產(chǎn)權(quán)的MOSFET芯片及SBD芯片的設(shè)計(jì)與制造技術(shù)，構(gòu)建了全套特色先進(jìn)碳化硅工藝技術(shù)的6英寸專業(yè)碳化硅芯片制造平臺，全電壓等級MOSFET及SBD芯片產(chǎn)品可應(yīng)用于新能源汽車、光伏、軌道交通、工業(yè)等多個(gè)領(lǐng)域。

在碳化硅產(chǎn)線建設(shè)方面，時(shí)代電氣子公司中車時(shí)代半導(dǎo)體總經(jīng)理兼產(chǎn)品總監(jiān)羅海輝博士在PCIM Asia 2024展會上透露，該公司早在2017年就建成了國內(nèi)首條4/6英寸兼容碳化硅芯片中試線，并在軌道交通領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)批量應(yīng)用。目前，公司正在建設(shè)8英寸線，能夠滿足每年500臺車的碳化硅需求。

目前，正在蓬勃發(fā)展的新能源汽車產(chǎn)業(yè)已成為時(shí)代電氣業(yè)務(wù)拓展方向之一，而具備年產(chǎn)2.5萬片6英寸碳化硅產(chǎn)能，有助于時(shí)代電氣車用碳化硅業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)增長。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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時(shí)代電氣：營收破百億，凈利潤同比增長30%

2024年上半年，時(shí)代電氣實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入人民幣102.84億元，同比增長19.99%；實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤人民幣15.07億元，同比增長30.56%，增長主要系營業(yè)收入增長帶來毛利潤增長。

報(bào)告期內(nèi)，功率半導(dǎo)體板塊業(yè)務(wù)方面，時(shí)代電氣已有產(chǎn)線滿載運(yùn)營，宜興3期項(xiàng)目穩(wěn)步推進(jìn)，預(yù)計(jì)2024年下半年投產(chǎn)，中低壓器件產(chǎn)能持續(xù)提升；

電網(wǎng)和軌交用高壓器件各項(xiàng)目持續(xù)交付；IGBT 7.5代芯片技術(shù)產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)批量交付，碳化硅（SiC）產(chǎn)品完成第4代溝槽柵芯片開發(fā)，SiC產(chǎn)線改造完成，新能源車用SiC產(chǎn)品處于持續(xù)驗(yàn)證階段。
報(bào)告期內(nèi)，在SiC芯片技術(shù)方面，公司突破高可靠性低界面缺陷柵氧氮化、低損傷高深寬比溝槽刻蝕、亞微米精細(xì)光刻、高溫離子選區(qū)注入、高溫激活退火等關(guān)鍵工藝技術(shù)；

攻克有源區(qū)柵氧電場屏蔽、JFET區(qū)摻雜、載流子擴(kuò)展以及高可靠性、高效率空間電場調(diào)制場環(huán)終端設(shè)計(jì)等功率芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)技術(shù)；

掌握了具有核心自主知識產(chǎn)權(quán)的MOSFET芯片及SBD芯片的設(shè)計(jì)與制造技術(shù)，構(gòu)建了全套特色先進(jìn)SiC工藝技術(shù)的6英寸專業(yè)碳化硅芯片制造平臺，全電壓等級MOSFET及SBD芯片產(chǎn)品可應(yīng)用于新能源汽車、軌道交通、光伏、工業(yè)傳動(dòng)等多個(gè)領(lǐng)域。

國博電子：發(fā)布多款GaN射頻模塊產(chǎn)品

2024上半年，公司實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入13.02元，較上年同期減少32.21%；歸屬于上市公司股東的凈利潤2.44億元，較上年同期減少20.77%。

國博電子表示，報(bào)告期內(nèi)公司營業(yè)收入同比下降32.21%：主要系報(bào)告期內(nèi)T/R組件和射頻模塊業(yè)務(wù)收入減少所致。

據(jù)悉，國博電子主要從事有源相控陣T/R組件和射頻集成電路相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。
T/R組件領(lǐng)域，公司積極推進(jìn)射頻組件設(shè)計(jì)數(shù)字化轉(zhuǎn)型，重點(diǎn)圍繞W波段有源相控微系統(tǒng)、低剖面寬帶毫米波數(shù)字陣列等新領(lǐng)域，持續(xù)開展相關(guān)關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)，積極推進(jìn)異構(gòu)集成技術(shù)產(chǎn)品化技術(shù)，為新一代產(chǎn)品開拓打下基礎(chǔ)。

公司積極開展T/R組件應(yīng)用領(lǐng)域拓展，在低軌衛(wèi)星和商業(yè)航天領(lǐng)域均開展了技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)品開發(fā)工作，多款產(chǎn)品已開始交付客戶。

射頻模塊領(lǐng)域，上半年發(fā)布多款GaN射頻模塊產(chǎn)品。新技術(shù)持續(xù)攻關(guān)，改善產(chǎn)品的線性度、效率等性能。預(yù)計(jì)下半年新一代的產(chǎn)品開發(fā)及應(yīng)用，器件綜合競爭力進(jìn)一步提升。射頻芯片領(lǐng)域，2024年，5G基站市場整體保持平穩(wěn)，5G-A通感基站試點(diǎn)帶動(dòng)基站射頻芯片銷售增長。

新產(chǎn)品方面，公司為下一代基站平臺新研數(shù)款物料穩(wěn)步推進(jìn)中。終端射頻芯片產(chǎn)品持續(xù)穩(wěn)定交付，系列化新產(chǎn)品研發(fā)穩(wěn)步推進(jìn)，積極推進(jìn)基于新型半導(dǎo)體工藝的產(chǎn)品開發(fā)工作，拓展公司終端射頻芯片品類。新領(lǐng)域和新客戶方面積極推進(jìn)ODU及衛(wèi)星通信芯片開發(fā)推廣，部分產(chǎn)品已進(jìn)入客戶認(rèn)證階段。

燕東微：預(yù)計(jì)年內(nèi)累計(jì)交付硅光芯片5000片

公司2024上半年實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入6.16億元，較上年同期下降43.10%，歸屬于母公司所有者的凈利潤-0.15億元，由盈轉(zhuǎn)虧，主要原因是市場需求發(fā)生變化，部分產(chǎn)品價(jià)格下降及需求下滑所致。
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報(bào)告期內(nèi)，公司產(chǎn)品與方案板塊銷售收入3.05億元，同比減少55.06%，主要受客觀因素影響，客戶需求放緩，導(dǎo)致產(chǎn)品與方案板塊收入同比下降。

2024年上半年新增客戶百余家，累計(jì)完成了22款單片集成電路，15款混合集成電路研制，開發(fā)了5V和40V SOI CMOS特種工藝平臺，并加大在模擬開關(guān)、有源濾波器模塊、高精度線性光耦、微型光電隔離通信模塊、電感數(shù)字隔離器、光電隔離電壓檢測模塊、ASIC等特種新產(chǎn)品方面的研制力度。

制造與服務(wù)業(yè)務(wù)板塊銷售收入2.80億元，同比減少23.45%。從2022年下半年度開始，外部市場環(huán)境持續(xù)低迷，尤其是消費(fèi)類電子市場產(chǎn)品價(jià)格波動(dòng)加大，進(jìn)入2024年上半年以來，消費(fèi)類市場逐步回暖，訂單需求實(shí)現(xiàn)小幅增長，但平均產(chǎn)品售價(jià)較高點(diǎn)仍有較大幅度降幅，導(dǎo)致消費(fèi)類產(chǎn)品收入較同期仍有一定下滑。

燕東微硅光平臺分別在8英寸產(chǎn)線和12英寸產(chǎn)線均取得較大進(jìn)展，其中8英寸SiN工藝平臺已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，8英寸SOI工藝平臺完成部分關(guān)鍵器件開發(fā)；12英寸SOI工藝平臺完成部分關(guān)鍵工藝開發(fā)。

2024年上半年，公司在硅光芯片制造領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了波導(dǎo)損耗改善、工藝集成優(yōu)化等技術(shù)突破，特別是在SiN工藝平臺上，成功實(shí)現(xiàn)了硅光芯片的大規(guī)模量產(chǎn)，月產(chǎn)能達(dá)1000片。公司將積極拓展應(yīng)用領(lǐng)域，擴(kuò)大市場規(guī)模，月度需求超過1000片，預(yù)計(jì)年度內(nèi)累計(jì)交付客戶超5000片。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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公告顯示，時(shí)代電氣2023年上半年實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤11.54億元，實(shí)現(xiàn)歸母扣非凈利潤9.29億元。

關(guān)于業(yè)績變動(dòng)原因，時(shí)代電氣表示，2024年上半年其收入增長受益于鐵路投資增長、客流復(fù)蘇等積極影響，軌道交通產(chǎn)品驗(yàn)收交付量同比增長，同時(shí)其功率半導(dǎo)體器件等新興裝備產(chǎn)業(yè)也帶來增量。其歸母凈利潤及歸母扣非凈利潤同比增長，主要受益于收入規(guī)模同比增長。

近年來，時(shí)代電氣持續(xù)加碼功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。2022年9月，時(shí)代電氣發(fā)布公告宣布投資中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目。根據(jù)當(dāng)時(shí)的公告內(nèi)容，中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目共分為兩個(gè)子項(xiàng)目，包括中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（宜興）一期建設(shè)項(xiàng)目和中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（株洲）建設(shè)項(xiàng)目。

隨后在2023年4月，時(shí)代電氣發(fā)布公告，其控股子公司中車時(shí)代半導(dǎo)體擬投資46160萬元（最終投資金額以實(shí)際投資金額為準(zhǔn)）實(shí)施碳化硅芯片生產(chǎn)線技術(shù)能力提升建設(shè)項(xiàng)目，通過本項(xiàng)目實(shí)施，形成面向新能源汽車、軌道交通方向的碳化硅芯片量產(chǎn)生產(chǎn)線。

該項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后，將現(xiàn)有平面柵碳化硅MOSFET芯片技術(shù)能力提升到滿足溝槽柵碳化硅MOSFET芯片研發(fā)能力，將現(xiàn)有4英寸碳化硅芯片線提升到6英寸，將現(xiàn)有4英寸碳化硅芯片線1萬片/年的產(chǎn)能提升到6英寸碳化硅芯片線2.5萬片/年。

隨著時(shí)代電氣多個(gè)功率半導(dǎo)體項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)，其功率半導(dǎo)體器件業(yè)務(wù)營收占比有望擴(kuò)大，進(jìn)而推動(dòng)其業(yè)績實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步增長。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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中車時(shí)代半導(dǎo)體完成6.3億元戰(zhàn)略投資

3月22日，據(jù)“科創(chuàng)板日報(bào)”消息，高科集團(tuán)參股公司株洲中車時(shí)代高新投資有限公司（以下簡稱時(shí)代投資）參與的基金完成對株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱中車時(shí)代半導(dǎo)體）6.3億元人民幣的戰(zhàn)略投資，其中時(shí)代投資出資4700萬元。

作為中車時(shí)代電氣股份有限公司（以下簡稱時(shí)代電氣）下屬全資子公司，中車時(shí)代半導(dǎo)體自2019年1月成立以來，全面負(fù)責(zé)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)營，目前已成為國際少數(shù)同時(shí)掌握大功率晶閘管、IGCT、IGBT及SiC器件及其組件技術(shù)的IDM（集成設(shè)計(jì)制造）模式企業(yè)代表，擁有芯片—模塊—裝置—系統(tǒng)完整產(chǎn)業(yè)鏈。

近年來，時(shí)代電氣大力布局SiC相關(guān)產(chǎn)品。根據(jù)時(shí)代電氣在2022年4月發(fā)布的公告，時(shí)代電氣控股子公司中車時(shí)代半導(dǎo)體擬投資46160萬元人民幣實(shí)施SiC芯片生產(chǎn)線技術(shù)能力提升建設(shè)項(xiàng)目，通過本項(xiàng)目實(shí)施，形成面向新能源汽車、軌道交通方向的SiC芯片量產(chǎn)生產(chǎn)線。時(shí)代電氣在上述公告中稱，公司SiC產(chǎn)品在地鐵、新能源汽車等市場均已實(shí)現(xiàn)應(yīng)用示范。

而在2023年7月，時(shí)代電氣在互動(dòng)平臺表示，公司針對800V充電樁系統(tǒng)推出的SiC MOSFET芯片產(chǎn)品，正處于應(yīng)用推廣階段。同時(shí)，SiC電驅(qū)產(chǎn)品C-Power 220s正處于整車廠送樣驗(yàn)證階段，系統(tǒng)效率最高可達(dá)94%。

本輪融資有助于滿足中車時(shí)代半導(dǎo)體產(chǎn)能擴(kuò)充資金需求，進(jìn)而加速其SiC產(chǎn)品在新能源汽車、軌道交通等領(lǐng)域應(yīng)用進(jìn)程。

盈鑫半導(dǎo)體完成天使輪融資

3月29日，據(jù)“東莞科創(chuàng)金融集團(tuán)”官微消息，東莞科創(chuàng)金融集團(tuán)管理的松山湖天使基金完成對盈鑫半導(dǎo)體天使輪投資。通過本輪融資，盈鑫半導(dǎo)體將加速核心原材料自產(chǎn)進(jìn)度，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體拋光研磨材料進(jìn)口替代。

資料顯示，盈鑫半導(dǎo)體成立于2021年6月，是一家集研發(fā)、制造和銷售為一體的綜合型 CMP 制程材料供應(yīng)商，聚焦于泛半導(dǎo)體領(lǐng)域的卡脖子材料的國產(chǎn)替代。公司主要產(chǎn)品有無蠟吸附墊、拋光研磨墊等，廣泛應(yīng)用于第一、二、三代半導(dǎo)體、藍(lán)寶石和消費(fèi)電子行業(yè)。

據(jù)悉，盈鑫半導(dǎo)體在研磨拋光行業(yè)率先布局第三代半導(dǎo)體拋光研磨材料，配合行業(yè)龍頭企業(yè)工藝調(diào)試期間，同步開發(fā)SiC襯底和GaN外延CMP制程所需的吸附墊、拋光墊產(chǎn)品，率先實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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該專利摘要顯示，本發(fā)明公開了一種高壓SiC電機(jī)控制器及包含其的電動(dòng)汽車，高壓SiC電機(jī)控制器中，上蓋板和下蓋板分別連接箱體頂部和底部，下蓋板內(nèi)設(shè)有支撐電容，支撐電容延伸至箱體內(nèi)；濾波器設(shè)置在箱體側(cè)部，分別與高壓線束和支撐電容連接；SiC模塊設(shè)置在箱體底部，分別與支撐電容和三相連接組件Ⅰ的輸入端連接，三相連接組件Ⅰ的輸出端與三相連接組件Ⅱ的輸入端連接，三相連接組件Ⅱ的輸出端與電機(jī)連接；驅(qū)動(dòng)板設(shè)置在SiC模塊上部，SiC模塊與驅(qū)動(dòng)板連接；控制板設(shè)置在驅(qū)動(dòng)板上部，控制板與驅(qū)動(dòng)板之間設(shè)有屏蔽板，控制板與驅(qū)動(dòng)板進(jìn)行線束連接。本發(fā)明具有結(jié)構(gòu)緊湊、裝配簡單、體積小巧且密封性能好等優(yōu)點(diǎn)。

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值得一提的是，時(shí)代電氣去年還取得多項(xiàng)SiC相關(guān)專利，包括“SiC MOSFET器件的制造方法及SiC MOSFET器件”、“碳化硅肖特基二極管及其制備方法”。

其中，“SiC MOSFET器件的制造方法及SiC MOSFET器件”專利授權(quán)公告號CN112701151B，授權(quán)公告日為2022年5月6日。

該專利摘要顯示，本公開提供一種SiC MOSFET器件的制造方法及SiC MOSFET器件。該方法包括：提供SiC外延片，在所述SiC外延片表面沉積生長掩膜層；刻蝕所述掩膜層，在所述掩膜層上形成第一刻蝕槽；再次刻蝕所述掩膜層，在所述第一刻蝕槽內(nèi)形成第二刻蝕槽；通過第一刻蝕槽和第二刻蝕槽構(gòu)成的離子注入窗口，注入第一高能離子，形成階梯狀形貌的阱區(qū)；注入第二高能離子，形成源區(qū)。本公開通過階梯狀形貌的離子注入窗口，來實(shí)現(xiàn)自對準(zhǔn)工藝，可以非常精確的實(shí)現(xiàn)對溝道長度和位置的控制，工藝簡單穩(wěn)定。同時(shí)，形成階梯狀形貌的P阱區(qū)，擴(kuò)展了兩個(gè)P阱區(qū)之間的JFET區(qū)，增大了JFET區(qū)電流橫向輸出路徑，進(jìn)一步提升器件大電流密度輸出能力。

此外，“碳化硅肖特基二極管及其制備方法”專利授權(quán)公告號CN112713199B，授權(quán)公告日為2022年10月11日。

該專利摘要顯示，本公開提供一種碳化硅肖特基二極管及其制備方法。該二極管包括：第一導(dǎo)電類型碳化硅襯底、位于所述襯底上方的第一導(dǎo)電類型漂移層、位于所述漂移層上方的第二導(dǎo)電類型阻擋層和位于所述阻擋層上方的第一導(dǎo)電類型過渡層，所述過渡層包括用于設(shè)置所述肖特基二極管的結(jié)勢壘區(qū)和位于所述結(jié)勢壘區(qū)兩側(cè)的結(jié)終端保護(hù)區(qū)。本公開通過在SiC JBS漂移層上形成導(dǎo)電類型相反的碳化硅阻擋層，在不增加正向?qū)娮璧那疤嵯?，解決了SiC JBS反向漏電過大的問題，特別是反向偏壓低電壓時(shí)，肖特基反向漏電隨電壓增長而快速增大的問題。

目前，時(shí)代電氣正在大力布局SiC相關(guān)產(chǎn)品。根據(jù)時(shí)代電氣在去年4月發(fā)布的公告，時(shí)代電氣控股子公司中車時(shí)代半導(dǎo)體擬投資46160萬元人民幣（最終投資金額以實(shí)際投資金額為準(zhǔn)）實(shí)施SiC芯片生產(chǎn)線技術(shù)能力提升建設(shè)項(xiàng)目，通過本項(xiàng)目實(shí)施，形成面向新能源汽車、軌道交通方向的SiC芯片量產(chǎn)生產(chǎn)線。時(shí)代電氣在上述公告中稱，公司SiC產(chǎn)品在地鐵、新能源汽車等市場均已實(shí)現(xiàn)應(yīng)用示范。

而在今年7月，時(shí)代電氣在互動(dòng)平臺表示，公司針對800V充電樁系統(tǒng)推出的SiC MOSFET芯片產(chǎn)品，正處于應(yīng)用推廣階段。同時(shí)，SiC電驅(qū)產(chǎn)品C-Power 220s正處于整車廠送樣驗(yàn)證階段，系統(tǒng)效率最高可達(dá)94%。（來源：天眼查，集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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資料顯示，時(shí)代電氣圍繞技術(shù)與市場，形成了“基礎(chǔ)器件+裝置與系統(tǒng)+整機(jī)與工程”的完整產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)，產(chǎn)業(yè)涉及軌道交通、新能源發(fā)電、電力電子器件、汽車電驅(qū)、工業(yè)電氣、海工裝備等領(lǐng)域。

根據(jù)時(shí)代電氣在去年4月12日發(fā)布的公告，時(shí)代電氣控股子公司中車時(shí)代半導(dǎo)體擬投資46160萬元人民幣（最終投資金額以實(shí)際投資金額為準(zhǔn)）實(shí)施上述SiC芯片生產(chǎn)線技術(shù)能力提升建設(shè)項(xiàng)目，通過本項(xiàng)目實(shí)施，形成面向新能源汽車、軌道交通方向的SiC芯片量產(chǎn)生產(chǎn)線。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

SiC MOSFET可用于新能源汽車主逆變器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、車載充電器等部件中，伴隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展，SiC MOSFET正在加速上車，市場需求日益增長，這對SiC器件廠商的SiC芯片產(chǎn)能提出了越來越高的要求，投資擴(kuò)產(chǎn)成為各大廠商的共識。

同時(shí)，降本增效也成為SiC企業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。隨著時(shí)代電氣SiC芯片產(chǎn)能提升，形成規(guī)模效應(yīng)后有助于單片芯片成本下降，從4英寸升級為6英寸也是降本舉措，因?yàn)橐r底尺寸較大，單位襯底可以制造芯片的數(shù)量就較多，單片芯片成本就會有一定程度的降低。

時(shí)代電氣在上述公告中稱，公司SiC產(chǎn)品在地鐵、新能源汽車等市場均已實(shí)現(xiàn)應(yīng)用示范。而在今年7月，時(shí)代電氣在互動(dòng)平臺表示，公司針對800V充電樁系統(tǒng)推出的SiC MOSFET芯片產(chǎn)品，目前處于應(yīng)用推廣階段。SiC電驅(qū)產(chǎn)品C-Power 220s，系統(tǒng)效率最高可達(dá)94%，目前正在整車廠送樣驗(yàn)證階段。時(shí)代電氣SiC芯片升級項(xiàng)目的建成達(dá)產(chǎn)，一定程度上將為該公司相關(guān)產(chǎn)品的大規(guī)模推廣應(yīng)用做好產(chǎn)能準(zhǔn)備。

投建項(xiàng)目短期來看會增加公司的資本支出，但從長遠(yuǎn)來看對公司的業(yè)務(wù)布局和經(jīng)營業(yè)績均會有積極作用，實(shí)施SiC芯片升級項(xiàng)目，時(shí)代電氣提升產(chǎn)能的同時(shí)，有望降低成本，以便更好的迎合新能源汽車領(lǐng)域快速發(fā)展大趨勢，獲得更多與車企合作機(jī)會。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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