source：普興電子

根據(jù)公示，項目位于石家莊市鹿泉區(qū)山尹村鎮(zhèn)秀水街和望山路交口西北角普興電子廠區(qū)內(nèi)，總投資3.5億元，擬利用其1#廠房，建筑面積約4000m2，購置碳化硅外延設(shè)備及配套設(shè)備116臺(套)，形成一條6英寸低密度缺陷碳化硅外延材料生產(chǎn)線。項目建成后，將實現(xiàn)年產(chǎn)24萬片碳化硅外延片的生產(chǎn)能力。

官網(wǎng)資料顯示，普興電子是中電科半導體材料有限公司控股的股份制公司，成立于2000年11月，致力于高性能半導體材料的外延研發(fā)和生產(chǎn)，主要產(chǎn)品為各種規(guī)格型號的硅基外延片、氮化鎵和碳化硅外延片，可廣泛應(yīng)用于清潔能源、新能源汽車、航空航天、汽車、計算機、平板電腦、智能手機、家電等領(lǐng)域，客戶遍布中國內(nèi)地/大陸、中國香港、中國臺灣，以及美國、日本、韓國、俄羅斯、印度等國際市場。

項目進展方面，普興電子在2021年9月啟動了新產(chǎn)業(yè)基地建設(shè)項目。新基地占地面積130畝，并于2022年4月完成主廠房封頂，9月搬入首批生產(chǎn)、檢驗設(shè)備，11月實現(xiàn)了首片硅外延和碳化硅外延下線。

2022年4月，普興電子還公示另外一項6英寸碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化項目，總投資1.8億元，租用同輝公司（隸屬于中電科十三所）已有廠房，采購碳化硅外延爐15臺及配套測試儀器等，建設(shè)完成1條6英寸碳化硅外延片批量生產(chǎn)線，實現(xiàn)年產(chǎn)6英寸碳化硅外延片6萬片的生產(chǎn)能力。

值得一提的是，天域半導體碳化硅外延項目近日也披露了最新進展。8月13日，據(jù)“東莞發(fā)布”官微消息，廣東天域半導體總部和生產(chǎn)制造中心項目即將試產(chǎn)。

據(jù)悉，該項目總投資80億，位于松山湖生態(tài)園，總占地面積約114.65畝、建筑面積約24萬平方米，項目建設(shè)周期為2023年至2026年，建成后用于生產(chǎn)6英寸/8英寸碳化硅外延片，產(chǎn)能達150萬片/年。（集邦化合物半導體Zac整理）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

公告顯示，本項目總投資35070.16萬元，利用公司1#廠房進行改擴建，建筑面積約4000平米，購置碳化硅（SiC）外延設(shè)備及配套設(shè)備116臺（套）形成一條6英寸低密度缺陷SiC外延材料生產(chǎn)線。項目建成后，將實現(xiàn)年產(chǎn)24萬片SiC外延片的生產(chǎn)能力。

普興電子官網(wǎng)資料顯示，公司成立于2000年11月，致力于高性能半導體材料的外延研發(fā)和生產(chǎn)，是中電科半導體材料有限公司（以下簡稱電科材料）控股子公司。普興電子的主要產(chǎn)品為各種規(guī)格型號的硅基外延片、氮化鎵（GaN）和SiC外延片，可廣泛應(yīng)用于清潔能源、新能源汽車、航空航天、汽車、計算機、平板電腦、智能手機、家電等領(lǐng)域。

近年來，電科材料下屬普興電子積極布局第三代半導體外延材料的研發(fā)生產(chǎn)，在2021年9月啟動了占地面積130畝的新外延材料產(chǎn)業(yè)基地建設(shè)項目，并于2022年4月完成主廠房封頂，9月搬入首批生產(chǎn)、檢驗設(shè)備，11月即實現(xiàn)了首片硅外延和SiC外延下線，標志著該產(chǎn)業(yè)基地正式進入試生產(chǎn)和驗證階段。

據(jù)悉，2022年4月，普興電子還公示一項“6英寸碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化項目”，本項目總投資18000萬元，租用同輝公司（隸屬于中電科十三所）現(xiàn)有廠房，采購SiC外延爐15臺及配套測試儀器等，建設(shè)完成1條6英寸SiC外延片批量生產(chǎn)線，實現(xiàn)年產(chǎn)6英寸SiC外延片6萬片的生產(chǎn)能力。

隨著6英寸低密度缺陷SiC外延片產(chǎn)業(yè)化項目落地實施，普興電子6英寸SiC外延片產(chǎn)能將得到較大提升，有助于公司進一步深化第三代半導體外延材料領(lǐng)域布局。（集邦化合物半導體Zac整理）

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