具體來看,晶升股份2024年上半年實現(xiàn)營收1.99億元,同比增長73.76%;歸母凈利潤0.35億元,同比增長131.99%;歸母扣非凈利潤0.17億元,同比增長116.47%。
不僅僅是今年上半年,晶升股份在2023年全年同樣實現(xiàn)了營收凈利雙增長。其2023年實現(xiàn)營收4.06億元,同比增長82.70%;歸母凈利潤0.71億元,同比增長105.63%。
開源疊加節(jié)流,碳化硅設(shè)備廠戰(zhàn)績佳
晶升股份業(yè)績的持續(xù)增長,與近年來碳化硅產(chǎn)業(yè)的火熱發(fā)展密切相關(guān)。
碳化硅作為第三代半導體材料,具備禁帶寬度大、熱導率高、臨界擊穿場強高等特點,碳化硅器件較傳統(tǒng)硅基器件具備耐高壓、低損耗和高頻三大優(yōu)勢,可廣泛應用于新能源汽車、光儲充、軌道交通、5G通訊等領(lǐng)域。隨著近年來下游市場需求規(guī)模逐漸增長,帶動碳化硅晶圓制造產(chǎn)線投資建設(shè)不斷加碼,碳化硅相關(guān)設(shè)備的需求水漲船高。
作為一家半導體專用設(shè)備供應商,晶升股份主要從事晶體生長設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,向半導體材料廠商及其他材料客戶提供半導體級單晶硅爐、碳化硅單晶爐和其他設(shè)備等定制化產(chǎn)品。近年來,為滿足碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈設(shè)備需求,晶升股份業(yè)務布局持續(xù)向碳化硅領(lǐng)域傾斜。
目前,晶升股份碳化硅單晶爐包含PVT感應加熱/電阻加熱單晶爐、TSSG單晶爐等類別產(chǎn)品,下游應用完整覆蓋主流導電型/半絕緣型碳化硅晶體生長及襯底制備。
晶升股份豐富的碳化硅長晶設(shè)備產(chǎn)品序列,能夠滿足客戶不同的晶體生長制造工藝需求,在此基礎(chǔ)上,晶升股份在2023年陸續(xù)開拓了三安光電、東尼電子、比亞迪、合晶科技、上海新昇、金瑞泓、神工股份等眾多客戶。
晶升股份客戶群體中,不乏碳化硅襯底領(lǐng)域的國內(nèi)龍頭企業(yè)或主流客戶,這有利于其營收的持續(xù)、穩(wěn)定增長以及業(yè)務的進一步拓展。
在開源的同時,晶升股份兼顧節(jié)流。據(jù)悉,晶升股份在供應鏈方面采取了一些措施,包括進行國產(chǎn)替代、通過規(guī)?;少徑档筒少彸杀镜龋@些措施都對晶升股份降本增效起到了積極作用。
目前,晶升股份碳化硅設(shè)備零部件國產(chǎn)化率已經(jīng)達到較高的水平,不存在供應商進口依賴或單一依賴的情形,主要零部件均有多個供應商可供選擇,這些有利于提高采購質(zhì)量和響應速度,保證供應鏈的穩(wěn)定性,也在一定程度上有助于降低采購成本。
8英寸碳化硅設(shè)備出貨,提升晶升股份業(yè)績增長能見度
近期,晶升股份不斷傳出利好消息,在本次業(yè)績報喜前不久,晶升股份實現(xiàn)了8英寸碳化硅長晶設(shè)備批量交付,其第一批8英寸碳化硅長晶設(shè)備已于2024年7月在重慶完成交付。這不僅意味著晶升股份8英寸碳化硅長晶設(shè)備相關(guān)業(yè)務進入了新的發(fā)展階段,也意味著晶升股份獲得了新的業(yè)績增長點。
目前,碳化硅產(chǎn)業(yè)由6英寸向8英寸擴徑的趨勢日漸明朗,晶升股份的客戶未來擴產(chǎn)計劃也將主要集中在8英寸上。在已經(jīng)開始向客戶供應8英寸碳化硅長晶設(shè)備的基礎(chǔ)上,晶升股份相關(guān)客戶后續(xù)批量訂單的洽談也在進行中,未來晶升股份8英寸碳化硅長晶設(shè)備有望收獲更多訂單。
與此同時,通過與國內(nèi)碳化硅襯底大廠合作,晶升股份對客戶的核心需求、技術(shù)發(fā)展的趨勢等方面將有更加深刻的理解,有助于晶升股份在研發(fā)方面正確抉擇,強化碳化硅設(shè)備產(chǎn)品定制化開發(fā)屬性,更好地滿足市場和用戶需求。
值得一提的是,晶升股份碳化硅單晶爐結(jié)構(gòu)的模塊化設(shè)計,可根據(jù)不同客戶的不同需求,切換設(shè)備功能部件,縮短了供貨周期。多重因素疊加之下,晶升股份的業(yè)績?nèi)匀挥性鲩L空間。
8英寸需求釋放,碳化硅設(shè)備廠商未來可期
除晶升股份外,北方華創(chuàng)、愛思強、Aehr和Axcelis等國內(nèi)外碳化硅設(shè)備相關(guān)廠商近期也都發(fā)布了最新業(yè)績情況。其中,愛思強2024年第二季度營收符合預期,Aehr和Axcelis最新的季度營收均超出預期,北方華創(chuàng)2024年上半年營收凈利雙預增。隨著碳化硅市場規(guī)模逐年增長,碳化硅設(shè)備廠商有望持續(xù)獲得紅利。
在碳化硅8英寸轉(zhuǎn)型趨勢下,產(chǎn)線更新升級帶來的設(shè)備需求將持續(xù)釋放,這波需求是各大碳化硅設(shè)備廠商不容錯過的機遇。(文:集邦化合物半導體Zac)
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]]>8月7日,晶升股份在投資者互動平臺表示,其第一批8英寸碳化硅長晶設(shè)備已于2024年7月在重慶完成交付。這意味著晶升股份8英寸碳化硅長晶設(shè)備已完成驗證,開啟了批量交付進程。
圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫
晶升股份大力布局8英寸碳化硅設(shè)備
從產(chǎn)品研發(fā)-客戶驗證-批量交付的時間軸來看,晶升股份8英寸碳化硅長晶設(shè)備在產(chǎn)業(yè)化方面進展較快。今年1月,晶升股份在投資者關(guān)系活動記錄表中介紹了其碳化硅長晶設(shè)備的價格及研發(fā)進展。彼時,晶升股份8英寸碳化硅長晶設(shè)備已通過了客戶處的批量驗證。
而本次完成批量交付,意味著晶升股份8英寸碳化硅長晶設(shè)備相關(guān)業(yè)務進入了新的發(fā)展階段。
在8英寸轉(zhuǎn)型趨勢下,晶升股份正在全面布局8英寸碳化硅產(chǎn)線相關(guān)設(shè)備,除了長晶設(shè)備外,晶升股份針對外延、切片等工藝流程也在設(shè)備方面取得了一定進展。
切片方面,晶升股份此前曾披露,切割設(shè)備計劃于今年4月左右發(fā)往客戶做最終測試,若測試成功即可正式推出。
目前,晶升股份正在從設(shè)備方面大力布局8英寸碳化硅襯底和外延環(huán)節(jié),有望在2023年持續(xù)開拓三安光電、東尼電子、比亞迪等客戶的基礎(chǔ)上,進一步拓展市場。
碳化硅設(shè)備廠商進擊8英寸
在晶升股份8英寸碳化硅設(shè)備傳出利好消息的同時,國內(nèi)外主流碳化硅設(shè)備廠商也都在積極行動,并在8英寸布局上迎來了各自的高光時刻。
2024年以來,晶盛機電、連科半導體、優(yōu)晶科技、愛思強等國內(nèi)外設(shè)備廠商圍繞8英寸碳化硅設(shè)備披露了技術(shù)突破、新品發(fā)布、客戶簽單等各方面的進展。
其中,晶盛機電今年3月在SEMICON China 2024上海國際半導體展期間發(fā)布了8英寸雙片式碳化硅外延設(shè)備、8英寸碳化硅量測設(shè)備等8英寸碳化硅設(shè)備,意味著晶盛機電正在從長晶、檢測等環(huán)節(jié)深化對8英寸碳化硅設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈的布局。
據(jù)悉,晶盛機電于2023年6月宣布成功研發(fā)出具有國際先進水平的8英寸單片式SiC外延生長設(shè)備。據(jù)介紹,該設(shè)備可兼容6/8英寸SiC外延生產(chǎn),在6英寸外延設(shè)備原有的溫度高精度閉環(huán)控制、工藝氣體精確分流控制等技術(shù)基礎(chǔ)上,解決了腔體設(shè)計中的溫場均勻性、流場均勻性等控制難題,實現(xiàn)了成熟穩(wěn)定的8英寸SiC外延工藝。
隨后在5月,連科半導體發(fā)布新一代8英寸碳化硅長晶爐,正式實現(xiàn)了大尺寸碳化硅襯底設(shè)備的全面供應。
而在6月,優(yōu)晶科技披露其8英寸電阻法碳化硅單晶生長設(shè)備獲行業(yè)專家認可,成功通過技術(shù)鑒定評審。經(jīng)鑒定,優(yōu)晶科技8英寸電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備及工藝成果突破了國內(nèi)大尺寸晶體生長技術(shù)瓶頸。
在部分國內(nèi)廠商實現(xiàn)8英寸設(shè)備技術(shù)突破的同時,國際廠商愛思強簽下了8英寸碳化硅設(shè)備新訂單,安世半導體訂購了愛思強用于8英寸碳化硅量產(chǎn)的新型G10-SiC設(shè)備,這款G10-SiC設(shè)備最早發(fā)布于2022年9月,自上市以來銷量持續(xù)保持增長。
目前,盡管國內(nèi)設(shè)備廠商在8英寸碳化硅設(shè)備方面大多處于產(chǎn)品研發(fā)、客戶驗證以及小批量出貨階段,在規(guī)模交付方面與國際廠商仍有差距,但在國內(nèi)廠商的共同努力下,國產(chǎn)設(shè)備未來可期。
小結(jié)
尺寸越大,單位芯片成本越低,6英寸往8英寸方向升級,是碳化硅重要的降本路徑之一。目前,包括晶升股份在內(nèi)的國內(nèi)外大部分碳化硅設(shè)備廠商均在積極布局8英寸,有利于推動碳化硅產(chǎn)業(yè)降本增效,進而實現(xiàn)碳化硅相關(guān)產(chǎn)品更大范圍的普及應用。
隨著晶升股份8英寸碳化硅長晶設(shè)備實現(xiàn)批量交付,其有望與國際碳化硅設(shè)備大廠在長晶設(shè)備細分領(lǐng)域同臺競技,搶占一部分市場份額,加速碳化硅長晶設(shè)備國產(chǎn)替代進程。(文:集邦化合物半導體Zac)
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]]>source:晶升股份
今年1月初,晶升股份在投資者調(diào)研活動中介紹,其8英寸碳化硅長晶設(shè)備進展順利,已通過了客戶處的批量驗證。
隨后在今年5月,晶升股份液相法碳化硅晶體生長設(shè)備研究取得新進展,已成功研發(fā)出液相法碳化硅晶體生長設(shè)備并提供給了多家客戶,并繼續(xù)配合客戶不斷進行設(shè)備的優(yōu)化和改進工作。
據(jù)悉,目前,PVT生長工藝是國內(nèi)廠商生長碳化硅晶體的主流方法,液相法生長技術(shù)則處于研究和開發(fā)階段。關(guān)于液相法碳化硅晶體生長設(shè)備,晶升股份提前開展了相關(guān)布局并已經(jīng)在2023年提供樣機給多家客戶,隨后晶升股份協(xié)同客戶不斷進行優(yōu)化和改進,進一步提升晶體的品質(zhì)與良率。
而在近日,晶升股份在碳化硅設(shè)備研發(fā)方面再次取得新進展。7月17日,晶升股份在投資者互動平臺表示,其現(xiàn)已完成了兩類碳化硅產(chǎn)業(yè)核心設(shè)備的前期開發(fā)工作,目前處于內(nèi)部測試及客戶端工藝測試階段。
得益于豐富的碳化硅設(shè)備產(chǎn)品序列,能夠滿足客戶差異化、定制化的晶體生長制造工藝需求,晶升股份持續(xù)拓展業(yè)務并實現(xiàn)業(yè)績增長。2023年,晶升股份陸續(xù)開拓了三安光電、東尼電子、比亞迪、合晶科技、上海新昇、金瑞泓、神工股份等眾多客戶。
業(yè)績方面,7月9日晚間,晶升股份發(fā)布2024年半年度業(yè)績預告稱,預計2024年上半年實現(xiàn)歸母凈利潤3300-3650萬元,同比增加118.72%-141.92%;預計2024年上半年實現(xiàn)歸母扣非凈利潤1610-1850萬元,同比增加100.96%-130.92%。(集邦化合物半導體Zac整理)
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]]>晶升股份預計上半年凈利潤增長118.72-141.92%
7月9日晚間,晶升股份發(fā)布2024年半年度業(yè)績預告稱,預計2024年上半年實現(xiàn)歸母凈利潤3300-3650萬元,同比將增加1791.23-2141.23萬元,同比增加118.72%-141.92%;預計2024年上半年實現(xiàn)歸母扣非凈利潤1610-1850萬元,同比將增加808.84-1048.84萬元,同比增加100.96%-130.92%。
公告顯示,2023年上半年,晶升股份實現(xiàn)歸母凈利潤1508.77萬元,歸母扣非凈利潤801.16萬元。
關(guān)于業(yè)績變動原因,晶升股份表示,2024年上半年,其實現(xiàn)歸母凈利潤、歸母扣非凈利潤較上年同期有較大幅度增長,主要原因系:公司主營業(yè)務穩(wěn)健發(fā)展,客戶合作的深入與技術(shù)應用領(lǐng)域的拓展為公司創(chuàng)造收入增長;同時,公司不斷加強內(nèi)部經(jīng)營管理,持續(xù)降本增效,綜合盈利能力得到提升。
目前,晶升股份8英寸SiC長晶設(shè)備已實現(xiàn)批量出貨,其中包含PVT感應加熱/電阻加熱單晶爐、TSSG單晶爐等類別產(chǎn)品,下游應用完整覆蓋主流導電型/半絕緣型SiC晶體生長及襯底制備。
得益于在晶體生長設(shè)備領(lǐng)域形成豐富的產(chǎn)品序列,能夠滿足客戶差異化、定制化的晶體生長制造工藝需求,晶升股份逐步發(fā)展成為國內(nèi)具有較強競爭力的半導體級晶體生長設(shè)備供應商,并在2023年陸續(xù)開拓了三安光電、東尼電子、比亞迪、合晶科技、上海新昇、金瑞泓、神工股份等客戶。
聞泰科技Q2半導體業(yè)務收入及綜合毛利率環(huán)比改善
7月9日晚間,聞泰科技發(fā)布2024年半年度業(yè)績預告稱,預計2024年上半年實現(xiàn)歸母凈利潤1.3-1.95億元,同比將減少10.63-11.28億元,同比減少84%-90%。
關(guān)于業(yè)績變動原因,聞泰科技表示,受行業(yè)周期性影響,2024年上半年半導體業(yè)務的收入及綜合毛利率同比下降。從2024年第二季度來看,受部分市場需求回暖及公司降本增效等因素影響,半導體業(yè)務收入及綜合毛利率相較于2024年第一季度環(huán)比改善。
聞泰科技是集研發(fā)設(shè)計和生產(chǎn)制造于一體的半導體產(chǎn)品集成企業(yè)。其半導體業(yè)務采用IDM模式,產(chǎn)品包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護器件、MOS器件、GaN FET、SiC二極管與MOS、IGBT以及模擬IC和邏輯IC。
2023年,在三代半領(lǐng)域,聞泰科技實現(xiàn)了GaN產(chǎn)品D-M系列產(chǎn)品工業(yè)和消費領(lǐng)域的銷售,同時E-M產(chǎn)品通過所有測試認證,于2024年開始銷售;實現(xiàn)了SiC整流管的工業(yè)消費級的量產(chǎn)和MOS的工業(yè)消費級的測試驗證,SiC?MOS產(chǎn)品線的建立,讓其進入三代半1200V高壓市場,拓展新的增長空間。
士蘭微上半年6英寸SiC功率器件芯片處于產(chǎn)能爬坡階段
7月10日晚間,士蘭微發(fā)布2024年半年度業(yè)績預告稱,預計2024年上半年實現(xiàn)歸母凈利潤為-3000萬元到-2000萬元,同比將減少虧損1122萬元到2122萬元;預計2024年上半年實現(xiàn)歸母扣非凈利潤為12189萬元到13189萬元,同比將減少3070萬元到4070萬元,同比減少19%到25%。
關(guān)于業(yè)績變動原因,士蘭微表示,報告期內(nèi),其子公司士蘭明鎵6英寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線尚處于產(chǎn)能爬坡階段,SiC芯片產(chǎn)出相對較少,資產(chǎn)折舊等固定生產(chǎn)成本相對較高,導致其虧損較大。目前士蘭明鎵SiC芯片生產(chǎn)線已處于較快上量中,隨著產(chǎn)出持續(xù)增加,預計其下半年虧損將逐步減少。
同時,報告期內(nèi),其持續(xù)加大對模擬電路、功率器件、功率模塊、MEMS傳感器、SiC MOSFET等新產(chǎn)品的研發(fā)投入,加快汽車級、工業(yè)級電路和器件芯片工藝平臺的建設(shè)進度,加大汽車級功率模塊和新能源功率模塊的研發(fā)投入,公司研發(fā)費用同比增加34%左右。
6月18日上午,士蘭微旗下士蘭集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線在廈門海滄區(qū)開工。該項目總投資120億元,分兩期建設(shè),兩期建成后將形成8英寸SiC功率器件芯片年產(chǎn)72萬片的生產(chǎn)能力,將較好滿足國內(nèi)新能源汽車所需的SiC芯片需求,并有能力向光伏、儲能、充電樁等功率逆變產(chǎn)品提供高性能的SiC芯片。
東尼電子預計2024年上半年虧損同比收窄
7月9日晚間,東尼電子發(fā)布2024年半年度業(yè)績預告稱,預計2024年上半年實現(xiàn)歸母凈利潤-6800萬元到-4800萬元,將出現(xiàn)虧損;預計2024年上半年實現(xiàn)歸母扣非凈利潤-12600萬元到-10600萬元。
關(guān)于業(yè)績變動原因,東尼電子表示,2024年上半年,其母公司經(jīng)營情況良好,實現(xiàn)盈利,但控股子公司湖州東尼半導體科技有限公司預計將計提大額資產(chǎn)減值損失,研發(fā)費用較大。故本報告期其歸母凈利潤將出現(xiàn)虧損,但與上年同期相比虧損收窄。
今年上半年,東尼電子在SiC擴產(chǎn)方面有新進展。東尼電子2021年非公開發(fā)行募投項目“年產(chǎn)12萬片碳化硅半導體材料”已于2023年上半年實施完畢,其計劃在該募投項目基礎(chǔ)上進一步擴建。根據(jù)今年3月湖州市生態(tài)環(huán)境局公示的對東尼電子擴建SiC項目的環(huán)評文件審批意見,東尼半導體計劃利用東尼五期廠區(qū)廠房,實施擴建年產(chǎn)20萬片6英寸SiC襯底材料項目。
立昂微預計上半年營收同比增長8.7%
7月9日晚間,立昂微發(fā)布2024年半年度業(yè)績預告稱,預計2024年上半年實現(xiàn)營收14.59億元左右,同比增長8.7%左右;預計實現(xiàn)歸母凈利潤為-7350萬元至-5950萬元,同比將減少23314.88萬元至24714.88萬元。
關(guān)于業(yè)績變動原因,立昂微表示,報告期內(nèi),其歸母凈利潤下降的主要原因在于綜合毛利率大幅減少所致,綜合毛利率下降較多的主要原因:一是隨著2023年擴產(chǎn)項目陸續(xù)轉(zhuǎn)產(chǎn),本報告期折舊成本同比增加12090萬元;二是為了拓展市場份額,硅片產(chǎn)品和功率芯片產(chǎn)品的銷售單價有所下降。另外,報告期內(nèi)公司持有的上市公司股票股價下跌產(chǎn)生公允價值變動損失3804.71萬元(去年同期為公允價值變動收益2420.43萬元)。
立昂微于2002年3月注冊成立,專注于集成電路用半導體材料、半導體功率芯片、集成電路芯片設(shè)計、開發(fā)、制造和銷售。目前,立昂微擁有杭州、寧波、衢州、嘉興、海寧五大經(jīng)營基地,旗下?lián)碛泻贾萘簴|芯微電子有限公司、海寧立昂東芯微電子有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、金瑞泓科技(衢州)有限公司、金瑞泓微電子(衢州)有限公司、金瑞泓微電子(嘉興)有限公司、杭州立昂半導體技術(shù)有限公司、衢州金瑞泓半導體科技有限公司八家子公司。(集邦化合物半導體Zac整理)
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]]>關(guān)于液相法SiC晶體生長設(shè)備,晶升股份提前開展了相關(guān)布局并已經(jīng)在2023年提供樣機給多家客戶,隨后晶升股份協(xié)同客戶不斷進行優(yōu)化和改進,進一步提升晶體的品質(zhì)與良率。
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近日,晶升股份液相法SiC晶體生長設(shè)備研究取得新進展,已成功研發(fā)出液相法SiC晶體生長設(shè)備并提供給了多家客戶,將會繼續(xù)配合客戶不斷進行設(shè)備的優(yōu)化和改進工作。
此前,晶升股份8英寸SiC長晶設(shè)備已實現(xiàn)批量出貨,其中包含PVT感應加熱/電阻加熱單晶爐、TSSG單晶爐等類別產(chǎn)品,下游應用完整覆蓋主流導電型/半絕緣型SiC晶體生長及襯底制備。
得益于在晶體生長設(shè)備領(lǐng)域形成豐富的產(chǎn)品序列,能夠滿足客戶差異化、定制化的晶體生長制造工藝需求,晶升股份逐步發(fā)展成為國內(nèi)具有較強競爭力的半導體級晶體生長設(shè)備供應商,并在2023年陸續(xù)開拓了三安光電、東尼電子、比亞迪、合晶科技、上海新昇、金瑞泓、神工股份等客戶。
2023年,晶升股份業(yè)績表現(xiàn)良好,實現(xiàn)營收4.06億元,同比增長82.70%;歸母凈利潤0.71億元,同比增長105.63%;歸母扣非凈利潤0.42億元,同比增長86.64%。2023年,晶升股份、北方華創(chuàng)、晶盛機電等多家SiC設(shè)備相關(guān)廠商實現(xiàn)營收凈利雙雙增長,也在一定程度上顯示了SiC設(shè)備細分賽道發(fā)展前景光明。
此次成功研發(fā)出液相法SiC晶體生長設(shè)備,晶升股份將進一步擴充其SiC長晶設(shè)備產(chǎn)品系列,并有望進一步擴大客戶陣營。(集邦化合物半導體Zac整理)
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]]>晶升股份2023年營收4.06億,凈利同比增長105.63%
4月29日晚間,晶升股份發(fā)布2023年年度報告。2023年,晶升股份實現(xiàn)營收4.06億元,同比增長82.70%;歸母凈利潤0.71億元,同比增長105.63%;歸母扣非凈利潤0.42億元,同比增長86.64%;報告期內(nèi),晶升股份研發(fā)費用0.38億元,同比增長83.10%,占營業(yè)收入的9.37%。
2023年,晶升股份完成了首次公開發(fā)行股票并在上交所科創(chuàng)板上市,向社會公開發(fā)行人民幣普通股3459.1524萬股,每股發(fā)行價格為人民幣32.52元,募集資金總額為11.25億元,募集資金主要用于總部生產(chǎn)及研發(fā)中心建設(shè)等項目。
晶升股份是一家半導體專用設(shè)備供應商,主要從事晶體生長設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,向半導體材料廠商及其他材料客戶提供半導體級單晶硅爐、SiC單晶爐和其他設(shè)備等定制化產(chǎn)品。
晶升股份生產(chǎn)的SiC單晶爐主要應用于6-8英寸SiC單晶襯底,具有結(jié)構(gòu)設(shè)計模塊化、占地小、高精度控溫控壓、生產(chǎn)工藝可復制性強、高穩(wěn)定性運行等特點,其SiC單晶爐包含PVT感應加熱/電阻加熱單晶爐、TSSG單晶爐等類別產(chǎn)品,下游應用完整覆蓋主流導電型/半絕緣型碳化硅晶體生長及襯底制備。
與此同時,晶升股份發(fā)布2024年第一季度報告。2024年Q1,晶升股份實現(xiàn)營收0.81億元,同比增長111.29%;歸母凈利潤0.15億元,同比增長507.43%。
北方華創(chuàng)2023年營收凈利雙雙增長
4月29日晚間,北方華創(chuàng)發(fā)布2023年年度報告。2023年,北方華創(chuàng)實現(xiàn)營收220.79億元,同比增長50.32%;歸母凈利潤38.99億元,同比增長65.73%;歸母扣非凈利潤35.81億元,同比增長70.05%。
北方華創(chuàng)專注于半導體基礎(chǔ)產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和技術(shù)服務,主要產(chǎn)品為電子工藝裝備和電子元器件,電子工藝裝備包括半導體裝備、真空裝備和新能源鋰電裝備,電子元器件包括電阻、電容、晶體器件、模塊電源、微波組件等。
在半導體裝備業(yè)務板塊,北方華創(chuàng)的主要產(chǎn)品包括刻蝕、薄膜沉積、爐管、清洗、晶體生長等核心工藝裝備,廣泛應用于集成電路、功率半導體、三維集成和先進封裝、化合物半導體、新型顯示、新能源光伏、襯底材料等制造領(lǐng)域。
目前,北方華創(chuàng)已具備單晶硅、多晶硅、SiC、GaN等多種材料外延生長技術(shù)能力,覆蓋集成電路、功率半導體、化合物半導體等領(lǐng)域應用需求。截至2023年底,北方華創(chuàng)已發(fā)布20余款量產(chǎn)型外延設(shè)備,累計出貨超1000腔。
與此同時,北方華創(chuàng)發(fā)布2024年第一季度報告。2024年Q1,北方華創(chuàng)實現(xiàn)營收58.59億元,同比增長51.36%;歸母凈利潤11.27億元,同比增長90.40%;歸母扣非凈利潤10.72億元,同比增長100.91%。
合盛硅業(yè)2023年營收265.84億,8英寸SiC襯底已出樣
4月29日晚間,合盛硅業(yè)發(fā)布2023年年度報告。2023年,合盛硅業(yè)實現(xiàn)營收265.84億元,同比增長12.37%;歸母凈利潤26.23億元,同比下滑49.05%;歸母扣非凈利潤21.88億元,同比下滑56.80%。
合盛硅業(yè)主要從事工業(yè)硅及有機硅等硅基新材料產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售,是國內(nèi)硅基新材料行業(yè)中業(yè)務鏈最完整、生產(chǎn)規(guī)模最大的企業(yè)之一。截至2023年末,其工業(yè)硅產(chǎn)能122萬噸/年,有機硅單體產(chǎn)能173萬噸/年。
目前,合盛硅業(yè)已完整掌握了SiC材料的原料合成、晶體生長、襯底加工以及晶片外延等全產(chǎn)業(yè)鏈核心工藝技術(shù),突破了關(guān)鍵材料(多孔石墨、涂層材料)和裝備的技術(shù)壁壘,其SiC產(chǎn)品良率處于國內(nèi)企業(yè)先進水平,在關(guān)鍵技術(shù)指標方面已追趕上國際龍頭企業(yè)水平。6英寸襯底和外延片已得到國內(nèi)多家下游器件客戶的驗證,并順利開發(fā)了日韓、歐美客戶;8英寸襯底研發(fā)進展順利,并實現(xiàn)了樣品的產(chǎn)出。
與此同時,合盛硅業(yè)發(fā)布2024年第一季度報告。2024年Q1,合盛硅業(yè)實現(xiàn)營收54.16億元,同比下滑5.46%;歸母凈利潤5.28億元,同比下滑47.36%;歸母扣非凈利潤5.20億元,同比下滑46.02%。(集邦化合物半導體Zac整理)
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]]>晶升股份2023年凈利潤同比增長109.03%
2月25日晚間,SiC長晶設(shè)備企業(yè)晶升股份披露2023年度業(yè)績快報,公司2023年度實現(xiàn)營收4.06億元,同比增長82.70%;實現(xiàn)歸母凈利潤0.72億元,同比增長109.03%;歸母扣非凈利潤0.44億元,同比增長91.80%。
關(guān)于經(jīng)營業(yè)績變動的主要原因,晶升股份表示,2023年下游市場快速發(fā)展,公司積極豐富產(chǎn)品序列及應用領(lǐng)域,競爭力持續(xù)增強,銷售規(guī)模不斷擴大,同時運營效率得到有效提升。
今年1月初,晶升股份在接受投資機構(gòu)調(diào)研時介紹了公司SiC長晶設(shè)備的價格及研發(fā)進展。據(jù)介紹,晶升股份8英寸SiC長晶設(shè)備目前進展順利,已通過了客戶處的批量驗證。價格方面,6英寸SiC長晶設(shè)備已大批量出貨,價格趨于穩(wěn)定,相對較低;8英寸SiC長晶設(shè)備根據(jù)不同設(shè)計和配置,價格比6英寸設(shè)備高30%至50%左右。
高測股份2023年營收61.84億,SiC等訂單穩(wěn)步增長
2月26日晚間,SiC金剛線切片機廠商高測股份披露2023年度業(yè)績快報,公司2023年實現(xiàn)營收61.84億元,同比增長73.19%;實現(xiàn)歸母凈利潤14.61億元,同比增長85.32%;實現(xiàn)歸母扣非凈利潤14.36億元,同比增長91.36%。
關(guān)于業(yè)績變動原因,高測股份表示,2023年公司光伏設(shè)備訂單大幅增加;金剛線產(chǎn)能及出貨量大幅增加,基本實現(xiàn)滿產(chǎn)滿銷;硅片切割加工服務業(yè)務產(chǎn)能持續(xù)釋放,出貨規(guī)模大幅增加;公司半導體、藍寶石、磁材及SiC等創(chuàng)新業(yè)務設(shè)備及耗材產(chǎn)品訂單穩(wěn)步增長,業(yè)績實現(xiàn)大幅增長。
高測股份2023上半年財報顯示,該公司包含SiC金剛線切片機在內(nèi)的創(chuàng)新業(yè)務上半年實現(xiàn)營收1.07億元,同比增長40.81%。
據(jù)悉,2021年,高測股份首次將金剛線切割技術(shù)引入SiC材料切割。2022年,高測股份推出了國內(nèi)首款高線速SiC金剛線切片機GC-SCDW6500,實現(xiàn)國產(chǎn)替代,基本覆蓋行業(yè)新增金剛線切片產(chǎn)能需求。隨后在2022年底,高測股份升級推出適用于8英寸SiC襯底切割的GC-SCDW8300型SiC金剛線切片機,將金剛線切割技術(shù)引入8英寸SiC領(lǐng)域,對比砂漿切割產(chǎn)能提升118%,成本降低26%。
均勝電子2023年凈利大增,新獲訂單約737億
3月12日晚間,均勝電子公布2023年度業(yè)績快報,公司2023年實現(xiàn)營收556.50億元,同比增長11.76%,實現(xiàn)歸母凈利潤10.89億元,同比增長176.16%;實現(xiàn)歸母扣非凈利潤9.89億元,同比增長214.75%。
關(guān)于業(yè)績變動原因,均勝電子表示,公司積極把握智能電動汽車滲透率持續(xù)提升、中國自主品牌及頭部新勢力品牌市占率不斷提高、汽車出海等市場機遇,2023年度公司全球累計新獲訂單全生命周期金額約737億元,新業(yè)務訂單上持續(xù)保持著強勁的拓展勢頭。
據(jù)悉,均勝電子是全球最早實現(xiàn)800V高壓平臺產(chǎn)品量產(chǎn)的供應商之一。2019年,保時捷發(fā)布全球首款基于800V平臺打造的汽車Taycan,便搭載了均勝電子首代高性能800V高壓平臺功率電子產(chǎn)品。
在SiC技術(shù)加持下,800V平臺助力新能源汽車提升充電效率和續(xù)航里程,將得到進一步普及應用,均勝電子業(yè)績有望保持高速增長。
捷捷微電2023年營收21.06億,凈利潤同比下滑
3月12日晚間,功率半導體廠商捷捷微電公布2023年全年業(yè)績,公司2023年實現(xiàn)營收21.06億元,同比增長15.51%;實現(xiàn)歸母凈利潤2.19億元,同比下降39.04%;實現(xiàn)歸母扣非凈利潤2.04億元,同比下降31.98%。
作為一家功率半導體芯片和器件的研發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)和銷售廠商,捷捷微電主營產(chǎn)品為各類電力電子器件和芯片,包括IGBT器件及組件、SiC器件等。
據(jù)悉,2023年初,捷捷微電功率半導體“車規(guī)級”封測產(chǎn)業(yè)化項目已開工,建設(shè)期在2年左右。該項目總投資為133395.95萬元,擬投入募集資金119500萬元,主要從事車規(guī)級大功率器件的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售,建設(shè)完成后可達年產(chǎn)1900kk車規(guī)級大功率器件DFN系列產(chǎn)品、120kk車規(guī)級大功率器件TOLL系列產(chǎn)品、90kk車規(guī)級大功率器件LFPACK系列產(chǎn)品以及60kkWCSP電源器件產(chǎn)品的生產(chǎn)能力。項目達產(chǎn)后預計形成20億的銷售規(guī)模。
芯聯(lián)集成2023年預計營收53.24億,同比增長15.59%
2月23日晚間,晶圓代工大廠芯聯(lián)集成披露2023年業(yè)績快報(未經(jīng)審計)。報告期內(nèi),預計公司實現(xiàn)營收53.24億元,同比增長15.59%;歸母凈利潤為-19.67億元;歸母扣非凈利潤為-22.58億元。
關(guān)于業(yè)績變化原因,芯聯(lián)集成表示,報告期內(nèi),公司在12英寸產(chǎn)線、SiC MOSFET產(chǎn)線、模組封測產(chǎn)線等方面進行了大量的戰(zhàn)略規(guī)劃和項目布局。2023年度公司為購建固定資產(chǎn)、無形資產(chǎn)和其他長期資產(chǎn)支付的現(xiàn)金約為101.00億元,報告期內(nèi),公司預計產(chǎn)生的折舊及攤銷費用約為33.75億元,較上年增加約12.93億元。上述事項的前期費用和固定成本等,對公司報告期內(nèi)的經(jīng)營業(yè)績產(chǎn)生了較大影響。
展望未來,公司正在建設(shè)的8英寸SiC器件研發(fā)產(chǎn)線將于2024年通線,同時與多家新能源汽車主機廠簽訂合作協(xié)議,2024年SiC業(yè)務營收預計將超過10億元。隨著新增產(chǎn)能的逐步釋放,收入水平的快速提升,規(guī)模效應逐步顯現(xiàn),以及折舊的逐步消化,公司盈利能力將得到快速改善。
值得一提的是,芯聯(lián)集成近期相繼與蔚來、理想簽署SiC合作協(xié)議,將加速SiC產(chǎn)品上車。(集邦化合物半導體Zac整理)
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]]>晶升股份:2023年凈利潤預增96.9%-125.85%
1月24日晚間,晶升股份發(fā)布的2023年年度業(yè)績預告顯示,預計2023年年度實現(xiàn)歸屬于母公司所有者的凈利潤為6,800.00-7,800.00萬元,與上年同期(法定披露數(shù)據(jù))相比,將增加3,346.40-4,346.40萬元,同比增長96.90%-125.85%;預計2023年年度實現(xiàn)歸屬于母公司所有者的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤為4,100.00-4,900.00萬元,與上年同期(法定披露數(shù)據(jù))相比,將增加1,828.78-2,628.78萬元,同比增長80.52%-115.74%。
關(guān)于業(yè)績變化的原因,晶升股份表示,2023年下游市場快速發(fā)展,公司積極豐富產(chǎn)品序列及應用領(lǐng)域,競爭力持續(xù)增強,銷售規(guī)模不斷擴大,同時運營效率得到有效提升。
作為一家半導體設(shè)備供應商,在SiC功率器件市場需求日益增長的大趨勢下,晶升股份業(yè)務布局持續(xù)向SiC相關(guān)設(shè)備領(lǐng)域滲透。該公司于2018年開始投入4-6英寸導電型SiC單晶爐研發(fā),2019年實現(xiàn)首臺產(chǎn)品銷售,產(chǎn)品于2020年開始批量化投入SiC功率器件應用領(lǐng)域驗證及應用。
在此基礎(chǔ)上,晶升股份又于2020年完成6英寸半絕緣型SiC單晶爐研發(fā)、改進、定型;同年,該設(shè)備實現(xiàn)向天岳先進的首臺供應及產(chǎn)品驗證。
在6英寸向8英寸轉(zhuǎn)型升級趨勢下,晶升股份正積極推動8英寸SiC單晶爐的成熟及推廣應用。晶升股份8英寸SiC長晶設(shè)備目前進展順利,已通過了客戶的批量驗證。
技術(shù)和產(chǎn)品研發(fā)方面的持續(xù)突破促進了晶升股份業(yè)績增長,2023前三季度,公司營收2.40億元,同比增長81.29%;歸屬于上市公司股東凈利潤約0.43億元,同比增長126.57%;歸屬于上市公司股東扣非凈利潤約0.27億元,同比增長145.75%。
高測股份:2023年凈利潤預增82.6%-87.67%
1月23日晚間,高測股份發(fā)布的2023年年度業(yè)績預增公告顯示,預計2023年年度實現(xiàn)歸屬于母公司所有者的凈利潤為14.4-14.8億元,與上年同期(法定披露數(shù)據(jù))相比,預計將增加6.51-6.91億元,同比增長82.60%-87.67%;公司預計2023年年度實現(xiàn)歸屬于母公司所有者的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤為14-14.6億元,與上年同期(法定披露數(shù)據(jù))相比,預計將增加6.50-7.10億元,同比增長86.61%-94.61%。
關(guān)于業(yè)績變化的原因,高測股份表示,2023年公司半導體、藍寶石、磁材及SiC等創(chuàng)新業(yè)務設(shè)備及耗材產(chǎn)品訂單穩(wěn)步增長,業(yè)績實現(xiàn)大幅增長。其中,SiC金剛線切片機訂單規(guī)模大幅增長,市場滲透率快速提升;磁材訂單規(guī)模增長迅速,市占率快速提升;半導體及藍寶石設(shè)備及耗材保持高市占率。
據(jù)悉,切片是SiC由晶錠轉(zhuǎn)化為晶片的第一道工序,決定了后續(xù)加工的整體良率。目前,很多SiC襯底廠商選用砂漿切割,加工效率低,生產(chǎn)成本高。相比之下,金剛線切割在大幅提升生產(chǎn)效率的同時,能夠有效降低料損和晶片加工成本。
2021年,高測股份首次將金剛線切割技術(shù)引入SiC材料切割。2022年,高測股份推出了國內(nèi)首款高線速SiC金剛線切片機GC-SCDW6500,實現(xiàn)國產(chǎn)替代,基本覆蓋行業(yè)新增金剛線切片產(chǎn)能需求。
隨后在2022年底,高測股份升級推出適用于8英寸SiC襯底切割的GC-SCDW8300型SiC金剛線切片機,將金剛線切割技術(shù)引入8英寸SiC領(lǐng)域,對比砂漿切割產(chǎn)能提升118%,成本降低26%。
高測股份2023上半年財報顯示,該公司包含SiC金剛線切片機在內(nèi)的創(chuàng)新業(yè)務上半年實現(xiàn)營收1.07億元,同比增長40.81%。(集邦化合物半導體Zac整理)
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]]>晶升股份表示,“總部生產(chǎn)及研發(fā)中心建設(shè)項目”是在公司現(xiàn)有主營業(yè)務的基礎(chǔ)上實施產(chǎn)能擴充,同時進行晶體生長設(shè)備和長晶工藝的技術(shù)研發(fā)與升級,加快研發(fā)成果產(chǎn)業(yè)化,助力公司拓寬產(chǎn)品線,從而更好地滿足客戶需求。
作為一家專業(yè)從事8-12英寸半導體級單晶硅爐、6-8英寸SiC、GaAs等半導體材料長晶設(shè)備及工藝開發(fā)的企業(yè),隨著SiC等功率半導體市場需求增長,公司營收得到拉動。
據(jù)晶升股份2023第三季度報告,前三季度,公司營收達2.40億元,同比增長81.29%;歸屬上市股東凈利潤約0.43億元,同比增長126.57%;歸屬上市股東扣非凈利潤約0.27億元,同比增長145.75%。
圖片來源:晶升股份
值得一提的是,晶升股份近期在接受機構(gòu)調(diào)研時表示,公司積極開拓中國臺灣市場并與客戶保持密切的技術(shù)交流,目前已經(jīng)取得批量訂單且訂貨數(shù)量持續(xù)增加。此外,公司也正積極布局海外市場。
晶升股份進一步稱,公司的半導體級單晶硅爐和SiC單晶爐都已在中國臺灣成功交付并驗收,設(shè)備在客戶現(xiàn)場表現(xiàn)良好。公司在中國臺灣地區(qū)的主要競爭對手為德國、韓國以及日本等國外設(shè)備廠商。
放眼全球長晶設(shè)備市場,其中的主要參與者包括一些知名的設(shè)備制造商,如日本信越化學、日本勝高、PVA TePla AG、S-TECH Co., Ltd.等。在過去的幾十年里,這些國際公司通過不斷的技術(shù)創(chuàng)新和市場拓展,積累了豐富的經(jīng)驗和技術(shù)優(yōu)勢。他們的設(shè)備在晶體生長速度、良率、產(chǎn)能等方面具有較高的性能,為客戶提供了高質(zhì)量的產(chǎn)品和服務。
然而,近年來,隨著中國半導體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,國內(nèi)長晶設(shè)備公司逐漸崛起,像北方華創(chuàng)、晶升股份、晶盛機電等公司在技術(shù)、產(chǎn)能和國內(nèi)市場份額方面取得了顯著的進步,正逐漸成為國際長晶設(shè)備市場的強力競爭者。(集邦化合物半導體Morty整理)
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]]>晶升股份擬設(shè)立南京子公司,投資長晶設(shè)備生產(chǎn)項目
昨日(10/9)晚間,晶升股份發(fā)布公告宣布擬與南京溧水經(jīng)濟開發(fā)區(qū)管理委員會簽署《合作協(xié)議》,設(shè)立全資子公司南京晶恒半導體設(shè)備有限公司,在溧水經(jīng)濟開發(fā)區(qū)投資長晶設(shè)備生產(chǎn)項目。
長晶設(shè)備生產(chǎn)項目預計投資總額為4,700萬元。投資結(jié)構(gòu)分為兩部分:一部分用于設(shè)備投資:800萬元,占項目總投資17%;另一部分作為運營資金:3,900萬元,占項目總投資83%。項目全部達產(chǎn)后預計實現(xiàn)年銷售收入8,000萬元,預計年稅收270萬元,預計新增20個就業(yè)崗位。項目實施后,晶升股份將進一步提升長晶設(shè)備的生產(chǎn)能力。
實際上,這是晶升股份4月份上市以來第二次對外投設(shè)子公司。
根據(jù)5月消息,晶升股份表示擬與南京浦口經(jīng)濟開發(fā)區(qū)管理委員會簽署《項目投資協(xié)議》及其他相關(guān)補充協(xié)議,擬設(shè)立全資子公司南京晶采半導體科技有限公司,在浦口經(jīng)開區(qū)投資南京晶升浦口半導體晶體生長設(shè)備生產(chǎn)及實驗項目,項目投資總額預計為1億元,分為四部分:載體租賃費用為0.1億元;載體改造裝修投入為0.2億元;研發(fā)投入費用為0.3億元;生產(chǎn)設(shè)備及安裝投入為0.4億元。
目前,晶升股份的主要產(chǎn)品包括半導體級單晶爐、SiC單晶爐和藍寶石單晶爐。自2021年至2023年上半年,SiC長晶爐業(yè)務發(fā)展迅猛,收入占比均在60%以上。從產(chǎn)品收入結(jié)構(gòu)占比來看,晶升股份建設(shè)上述項目后,SiC單晶爐的產(chǎn)能也將得到明顯的提升。
下游需求增勢明確,SiC設(shè)備廠商加速跑
晶升股份并非個例,晶盛機電近年來也有投設(shè)子公司的動作,例如,其在2022年12月和2023年1月分別成立了晶誠新材料和晶盛創(chuàng)芯半導體設(shè)備子公司。兩家設(shè)備廠的動作都從側(cè)面反映了SiC、半導體等下游市場需求旺盛,上游業(yè)務規(guī)模不斷擴張的現(xiàn)象。
業(yè)績表現(xiàn)便是直接的證明。上半年,SiC設(shè)備相關(guān)廠商收獲頗豐,晶升股份和晶盛機電的營收和凈利潤都實現(xiàn)了增長。其中,晶升股份的SiC單晶爐實現(xiàn)收入6,965萬元,比上年同期的4,179萬元增長約67%。
目前來看,結(jié)合汽車電氣化和可再生能源發(fā)展的趨勢,SiC需求的增長勢頭非常明確,產(chǎn)業(yè)鏈上下游自今年以來簽單不斷,僅上半年就產(chǎn)生了近30起交易,而晶升股份也在8月宣布拿下了1.2億元的SiC單晶爐供貨訂單,很快就可以開始貢獻營收。
中長期來看,在大尺寸襯底成為大勢所趨的背景下,包括晶升股份和晶盛機電在內(nèi)的設(shè)備廠在8英寸設(shè)備上的布局也開始取得成果。以晶升股份為例,其已開始8英寸碳化硅長晶設(shè)備的批量生產(chǎn)。盡管,目前6英寸還是主流,但晶升股份預計,在未來2年左右的時間,碳化硅8英寸有望實現(xiàn)全面應用。
不僅如此,半導體設(shè)備國產(chǎn)化率正在逐步提升,未來,在國產(chǎn)替代潮的推動下,晶升股份及晶盛機電等設(shè)備廠商將駛?cè)肟焖侔l(fā)展的通道,加速研發(fā)成果產(chǎn)業(yè)化,兌現(xiàn)業(yè)績。(文:集邦化合物半導體Jenny)
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