8月26日,國產(chǎn)半導體氮化鎵激光芯片昨天在六安實現(xiàn)量產(chǎn),距離從安徽格恩半導體有限公司的實驗室里誕生,僅用了180天,意味著我國在氮化鎵激光芯片領域?qū)崿F(xiàn)突破。
同日,格恩半導體在六安曙光鉑尊酒店舉辦氮化鎵激光芯片產(chǎn)品發(fā)布會。
會上,格恩半導體共發(fā)布了十多款氮化鎵激光芯片產(chǎn)品,其中包...  [詳內(nèi)文]
這個國產(chǎn)氮化鎵激光芯片量產(chǎn)發(fā)布 |
作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2023 年 08 月 28 日 17:35 | 分類 光電 |