8月26日,國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體氮化鎵激光芯片昨天在六安實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),距離從安徽格恩半導(dǎo)體有限公司的實(shí)驗(yàn)室里誕生,僅用了180天,意味著我國(guó)在氮化鎵激光芯片領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破。
同日,格恩半導(dǎo)體在六安曙光鉑尊酒店舉辦氮化鎵激光芯片產(chǎn)品發(fā)布會(huì)。
會(huì)上,格恩半導(dǎo)體共發(fā)布了十多款氮化鎵激光芯片產(chǎn)品,其中包...  [詳內(nèi)文]
這個(gè)國(guó)產(chǎn)氮化鎵激光芯片量產(chǎn)發(fā)布 |
作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2023 年 08 月 28 日 17:35 | 分類 光電 |