圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

據(jù)介紹，這筆資金由美國國防部可信接入項目辦公室（TAPO）提供，是美國聯(lián)邦政府為支持格芯在佛蒙特州的氮化鎵項目而投入的最新資金。獲得這筆資金后，格芯將繼續(xù)為其氮化鎵IP產(chǎn)品組合和可靠性測試增加新的工具、設(shè)備和原型開發(fā)能力，其將更接近在佛蒙特州全面制造8英寸氮化鎵芯片。

據(jù)悉，自2020年以來，包括這項新資金在內(nèi)，格芯總共從美國政府獲得了8000多萬美元，用于支持研究、開發(fā)和全面制造氮化鎵芯片。其中包括2023年10月，格芯氮化鎵項目獲得了美國政府3500萬美元的資助。

而在今年2月，作為芯片和科學(xué)法案的一部分，美國商務(wù)部宣布計劃向格芯提供15億美元的直接資助，用以擴大其在美國的氮化鎵晶圓廠產(chǎn)能。

業(yè)務(wù)進展方面，今年6月，格芯和BAE Systems建立了合作伙伴關(guān)系，以加強美國國家安全項目的關(guān)鍵半導(dǎo)體供應(yīng)。根據(jù)該協(xié)議，兩家公司將就增加美國半導(dǎo)體創(chuàng)新和制造的長期戰(zhàn)略進行合作，雙方共同目標是推進美國國內(nèi)芯片制造和封裝生態(tài)系統(tǒng)，主要針對航空航天和國防系統(tǒng)的安全芯片及解決方案。

隨后在7月，格芯收購了Tagore Technology的氮化鎵功率產(chǎn)品組合，并在印度加爾各答創(chuàng)建了格芯加爾各答功率中心。該中心與格芯位于佛蒙特州的工廠密切配合并為其提供支持，有助于推動格芯在氮化鎵芯片制造領(lǐng)域的研發(fā)和量產(chǎn)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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據(jù)介紹，Ang先生于2010年加入GF，并在公司擔(dān)任過多個高級領(lǐng)導(dǎo)職務(wù)，包括最近擔(dān)任的首席制造官，領(lǐng)導(dǎo)GF全球工廠，之前還擔(dān)任過GF新加坡所有業(yè)務(wù)的負責(zé)人。

值得一提的是，作為世界晶圓代工的龍頭之一，GF的分支機構(gòu)集中在北美洲、亞洲、歐洲等地。

在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，得益于芯片法案，從2023年至今年2月，GF已累計獲得了15.35億美元的資助。GF將用這些資金來擴大其在美國的GaN晶圓廠產(chǎn)能。部分擬議資金將支持GF建立美國第一家能夠大批量生產(chǎn)下一代GaN半導(dǎo)體的工廠，這些半導(dǎo)體將用于電視、電網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、5G和6G智能手機以及其他關(guān)鍵技術(shù)。

此外，投資還將用于GF位于紐約州馬耳他的工廠，增加GF新加坡和德國工廠已經(jīng)投入生產(chǎn)的技術(shù)，為美國汽車行業(yè)提供服務(wù)。

GF亞洲總裁兼中國區(qū)主席KC Ang表示：“在汽車等關(guān)鍵終端市場，我們提供的差異化技術(shù)解決方案與我們在制造方面的卓越表現(xiàn)相結(jié)合，使我們成為亞洲快速增長客戶的完美合作伙伴。此外，我們正在響應(yīng)許多現(xiàn)有的跨國客戶，他們正在尋找與GF合作的方式，GF以高質(zhì)量的制造和關(guān)鍵芯片技術(shù)滿足其中國終端客戶日益增長的需求。”（文：集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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部分擬議資金將支持格芯建立美國第一家能夠大批量生產(chǎn)下一代GaN半導(dǎo)體的工廠，這些半導(dǎo)體將用于電視、電網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、5G和6G智能手機以及其他關(guān)鍵技術(shù)。該工廠將落座于格芯佛蒙特州埃塞克斯交界處的200mm工廠。值得一提的是，2023年10月，格芯GaN項目還獲得了美國政府3500萬美元（折合人民幣約2.5億元）的資助。

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這筆15億美元的投資還將有助于提升和擴大格芯現(xiàn)有佛蒙特工廠的產(chǎn)能。此外，投資還將用于格芯位于紐約州馬耳他的工廠，增加格芯新加坡和德國工廠已經(jīng)投入生產(chǎn)的技術(shù)，為美國汽車行業(yè)提供服務(wù)。

總體而言，根據(jù)市場要求和需求，格芯計劃在未來10年內(nèi)通過公私合作伙伴關(guān)系，在聯(lián)邦和州政府以及包括主要戰(zhàn)略客戶在內(nèi)的生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴的支持下，在其美國兩個工廠投資超過120億美元（折合人民幣約862億元）。

集邦化合物半導(dǎo)體Morty編譯

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格芯生產(chǎn)的GaN芯片在處理高溫和高壓的優(yōu)良表現(xiàn)，可以大幅改良手機、汽車、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)（IOT）以及電網(wǎng)和其他關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施在5G、6G通訊方面的性能和效率。

其中，美國國防部資助的這3500萬美元中的一部分，格芯計劃購買更多的設(shè)備以擴展開發(fā)和設(shè)計的能力，加快其大規(guī)模生產(chǎn)8英寸GaN-on-Si晶圓的進度。另一部分，格芯將用來減少自身以及客戶受鎵供應(yīng)鏈限制的風(fēng)險，同時提高美國制造的GaN芯片的開發(fā)速度、供應(yīng)保證和競爭力。

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此次投資建立在格芯與政府多年合作的基礎(chǔ)上——2020-2022年期間政府資助了格芯4000萬美元（折合人民幣約2.93億元）。格芯的研發(fā)團隊擁有著8英寸晶圓制作的相關(guān)經(jīng)驗，可助力8英寸GaN-on-Si晶圓的制造。

“GaN-on-Si是新興市場高性能射頻、高壓電源開關(guān)和控制應(yīng)用技術(shù)的理想載體，對于6G無線通信、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和電動汽車非常重要?！笨偛眉媸紫瘓?zhí)行官Thomas Caulfield博士評論，“格芯與美國政府有著長期的合作伙伴關(guān)系，這筆資金對加速GaN-on-Si芯片批量生產(chǎn)至關(guān)重要。這些芯片將使我們的客戶能夠?qū)崿F(xiàn)大膽的新設(shè)計，突破我們?nèi)粘Ｒ蕾嚨年P(guān)鍵技術(shù)的能源效率和性能極限?！?/p>

與傳統(tǒng)GaN-on-SiC等技術(shù)路線相比，GaN-on-Si選用的襯底成本與可靠性有顯著優(yōu)勢，GaN外延生長缺陷也顯著降低。

格芯（GF）是世界領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商之一。格芯正在通過開發(fā)和提供功能豐富的工藝技術(shù)解決方案來重新定義半導(dǎo)體制造，這些解決方案可在普遍的高增長市場中提供領(lǐng)先的性能。
（文：化合物半導(dǎo)體Morty編譯）

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