相關(guān)資訊：氮化鎵

碳化硅、氮化鎵領(lǐng)域新增2起投資
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 21 日 17:51 | 分類 功率
8月20日，中國臺灣新竹科學(xué)園公告了第18次園區(qū)審議會核準(zhǔn)投資案（竹科）詳情。其中，環(huán)翔科技股份有限公司（下文簡稱“環(huán)翔科技”）、碳矽電子股份有限公司（下文簡稱“碳矽電子”）增資議案被批通過，二者分在氮化鎵（GaN）/碳化硅（SiC）領(lǐng)域有所布局。 公告顯示，環(huán)翔科技此次獲資金額...  [詳內(nèi)文]

AI服務(wù)器、人形機(jī)器人等引燃，氮化鎵打響“翻身仗”！
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 20 日 17:43 | 分類 氮化鎵GaN
從歡呼聲到質(zhì)疑聲，GaN（氮化鎵）近幾年在功率半導(dǎo)體市場并非一路坦途，中間呈現(xiàn)出些許“雷聲大雨點(diǎn)小”的態(tài)勢，但GaN巨大的應(yīng)用潛力一直毋庸置疑，用心挖掘其技術(shù)潛能并認(rèn)真耕耘市場的企業(yè)深知，GaN只是還沒到綻放的時機(jī)。而當(dāng)下多種跡象逐漸證明，GaN將迎來華麗轉(zhuǎn)身，如今的走向與當(dāng)初看...  [詳內(nèi)文]

WaveLoad計(jì)劃明年初量產(chǎn)氮化鎵外延片
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 19 日 17:25 | 分類 企業(yè)
8月18日，WaveLoad對外宣布，公司計(jì)劃明年年初量產(chǎn)氮化鎵外延片。 WaveLoad已在韓國京畿道華城市建成占地300平方米、潔凈度達(dá)1000級的無塵室，可批量生產(chǎn)氮化鎵外延片。該設(shè)施可生產(chǎn)4英寸和8英寸氮化鎵外延片，產(chǎn)能分別為2,000片/月和500片/月。目前，Wave...  [詳內(nèi)文]

印度或?qū)⒎謩e新建一座碳化硅和氮化鎵晶圓廠
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 15 日 17:50 | 分類 功率
8月14日，據(jù)外媒報(bào)道，L&T Semiconductor Technologies（LTSCT）計(jì)劃投資100億~120億美元，在未來5到10年內(nèi)在印度建立三個半導(dǎo)體制造工廠，分別專注于硅、碳化硅和氮化鎵技術(shù)。 LTSCT為L&T的全資子公司，是一家無晶圓廠公司...  [詳內(nèi)文]

年產(chǎn)4萬片，SweGaN氮化鎵外延廠開始出貨
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 14 日 15:58 | 分類 企業(yè)
8月13日，瑞典企業(yè)SweGaN宣布，公司生產(chǎn)碳化硅基氮化鎵（GaN on SiC）晶圓的新工廠已開始出貨，產(chǎn)品將用于下一代5G先進(jìn)網(wǎng)絡(luò)高功率射頻應(yīng)用。 資料顯示，SweGaN新工廠位于瑞典林雪平，于2023年3月動工建設(shè)，可年產(chǎn)4萬片4/6英寸碳化硅基氮化鎵外延片。SweGaN...  [詳內(nèi)文]

助力碳化硅/氮化鎵，南通市出臺新政策
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 12 日 17:20 | 分類 企業(yè)
8月7日，南通市人民政府印發(fā)《關(guān)于加快培育發(fā)展未來產(chǎn)業(yè)的實(shí)施意見》（以下簡稱《實(shí)施意見》），提出布局六大未來產(chǎn)業(yè)，聚焦7個科創(chuàng)細(xì)分賽道，全力打造長三角未來產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新高地。 《實(shí)施意見》明確，重點(diǎn)布局未來空天、未來海洋、未來能源、未來材料、未來通信、未來健康六大未來產(chǎn)業(yè)方向，謀劃布局...  [詳內(nèi)文]

超31億！2個化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目取得新進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 08 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)
近日，2個化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目披露了最新進(jìn)展，分別為韓國特西氪公司總部及半導(dǎo)體設(shè)備項(xiàng)目和福建晶旭半導(dǎo)體科技有限公司二期項(xiàng)目，2個項(xiàng)目總投資超過31億元。 source：上杭融媒 韓國特西氪公司總部及半導(dǎo)體設(shè)備項(xiàng)目落戶江蘇江陰 8月7日，據(jù)“江陰發(fā)布”官微消息，韓國特西氪公司總部及半...  [詳內(nèi)文]

25億，萬年晶第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目已投產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 22 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)
7月19日，據(jù)“上饒市人民政府發(fā)布”官微消息，今年二季度，投資25億元的萬年晶第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目已正式投產(chǎn)。據(jù)悉，萬年晶半導(dǎo)體是江西首家藍(lán)寶石基功率器件研發(fā)、生產(chǎn)和銷售廠商，主營第三代半導(dǎo)體高電子遷移率晶體管芯片，可廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心、儲能、汽車電子等領(lǐng)域。 source：上饒...  [詳內(nèi)文]

3家碳化硅設(shè)備廠商齊傳訂單喜訊
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 17 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)
近期，碳化硅設(shè)備賽道格外熱鬧，愛思強(qiáng)、Aehr、優(yōu)睿譜、硅酷科技4家碳化硅設(shè)備廠商相繼傳出利好消息，顯示了碳化硅設(shè)備產(chǎn)業(yè)的生機(jī)與活力。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 碳化硅設(shè)備廠商好戲連臺 7月16日，愛思強(qiáng)宣布安世半導(dǎo)體訂購了愛思強(qiáng)用于8英寸碳化硅量產(chǎn)的新型G10-SiC設(shè)備，安...  [詳內(nèi)文]

EPC四項(xiàng)涉訴專利均已進(jìn)入無效審查階段，英諾賽科掌握主動權(quán)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 10 日 14:03 | 分類 企業(yè)
近年來，第三代半導(dǎo)體技術(shù)，尤其是氮化鎵（GaN）領(lǐng)域的快速發(fā)展，吸引了全球科技巨頭的關(guān)注與競爭。在這場技術(shù)革命中，中國領(lǐng)軍企業(yè)英諾賽科與美國知名企業(yè)宜普（EPC）之間的專利糾紛成為業(yè)界焦點(diǎn)。 對此，英諾賽科發(fā)表聲明稱，目前針對EPC的四項(xiàng)涉訴專利提起的IPR（Inter part...  [詳內(nèi)文]