source:愛仕特
據(jù)悉,該項目技術(shù)研發(fā)涵蓋SiC功率模塊、高可靠性電子控制系統(tǒng)及混合動力驅(qū)動系統(tǒng)。其中,愛仕特將著力研發(fā)SiC功率器件的關(guān)鍵封裝及測試、驅(qū)動和結(jié)溫保護等技術(shù),重點開發(fā)SiC驅(qū)動,實現(xiàn)門極震蕩的抑制、快速精準(zhǔn)的保護性能。
作為一家SiC MOS芯片設(shè)計、模塊生產(chǎn)和系統(tǒng)開發(fā)廠商,愛仕特產(chǎn)品涵蓋電壓650V-3300V、電流5A-150A的SiC MOS芯片,高功率低耗損的SiC MOS模塊,以及基于SiC MOS模塊的整機應(yīng)用系統(tǒng)方案,產(chǎn)品性能達到國際先進水平,提供各類規(guī)格參數(shù)的SiC MOS定制化服務(wù)。
近年來,愛仕特持續(xù)通過合作加深SiC產(chǎn)業(yè)布局。去年3月,愛仕特與漢磊集團在1700V和3300V SiC MOS的量產(chǎn)準(zhǔn)備、共同合作開發(fā)SiC MOS trench工藝技術(shù)、共同合作開發(fā)8英寸SiC MOS工藝技術(shù)等方面達成重要合作。
在與漢磊集團交流過程中,愛仕特展示了自主研發(fā)生產(chǎn)的全SiC MOS模塊,全部采用漢磊代工生產(chǎn)的1200V 17毫歐SiC MOS芯片,也是國內(nèi)較早上車使用的自主研發(fā)的SiC MOS芯片。
而在今年3月1日,愛仕特宣布,公司成功中標(biāo)中國電氣裝備集團旗下“SiC模塊封裝設(shè)計與工藝開發(fā)技術(shù)服務(wù)項目”。
愛仕特指出,此次中標(biāo),公司將提供SiC功率模塊封裝設(shè)計與工藝開發(fā)技術(shù)服務(wù),在項目工期內(nèi)交付基于愛仕特1200V/1700V SiC芯片的62mm封裝定制開發(fā)功率模塊。愛仕特將根據(jù)需求持續(xù)批量交付高質(zhì)量SiC功率器件,進一步拓展新能源市場。
值得一提的是,2023年1月,愛仕特完成超3億元戰(zhàn)略融資,由武岳峰資本領(lǐng)投,國家開發(fā)銀行、中信建投資本、瑞芯資本、善金資本等跟投,本輪融資資金用于加速車規(guī)級SiC MOS芯片研發(fā)與技術(shù)創(chuàng)新。
本次合作及項目獲批,有助于愛仕特提升車規(guī)級SiC功率器件技術(shù)水平,加速其SiC MOS產(chǎn)品上車。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)
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]]>天科合達SiC晶片二期擴產(chǎn)項目招標(biāo)
3月4日,據(jù)江蘇省公告資源交易平臺披露,江蘇天科合達半導(dǎo)體有限公司碳化硅(SiC)晶片二期擴產(chǎn)項目自控智能化工程正向外公開招標(biāo)。
公告顯示,江蘇天科合達將花費約4256萬元完成公司SiC晶片二期擴產(chǎn)項目自控智能化工程,主要對弱電系統(tǒng)、FMCS系統(tǒng)進行改造調(diào)試。
據(jù)了解,該項目總投資8.3億元,項目建筑面積約4.9萬平方米,新建廠房及配套設(shè)施,購置安裝單晶生長爐及配套的多線切割機,外圓及平面磨床,雙磨研磨機等設(shè)備共計499臺(套)以及配套動力輔助設(shè)備設(shè)施,8月份正式投產(chǎn),年產(chǎn)SiC襯底16萬片。
愛仕特中標(biāo)中國電氣裝備集團SiC模塊開發(fā)項目
3月1日,愛仕特宣布,公司于日前成功中標(biāo)中國電氣裝備集團旗下“SiC模塊封裝設(shè)計與工藝開發(fā)技術(shù)服務(wù)項目”。
愛仕特指出,此次中標(biāo),公司將提供SiC功率模塊封裝設(shè)計與工藝開發(fā)技術(shù)服務(wù),在項目工期內(nèi)交付基于愛仕特1200V/1700V SiC芯片的 62mm封裝定制開發(fā)功率模塊。雙方將以此次合作為起點,深化和擴大在電氣、儲能等領(lǐng)域的合作,愛仕特將根據(jù)需求持續(xù)批量交付高質(zhì)量SiC功率器件,共拓新能源市場。
據(jù)介紹, 該款62mm 封裝SiC功率模塊采用成熟的半橋拓撲設(shè)計,具有高功率密度,允許使用相同的結(jié)構(gòu)尺寸來增加逆變器輸出功率。該模塊具有出色的溫度循環(huán)能力和175°C的連續(xù)工作溫度(Tvjop),可靠性高。其內(nèi)部的對稱環(huán)流設(shè)計,使得產(chǎn)品具有更低寄生參數(shù)及開關(guān)特性。
文:集邦化合物半導(dǎo)體Rick整理
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