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瀚天天成完成Pre-IPO輪融資

據廈門產投官微消息，12月31日，廈門產投聯(lián)合兩只工銀AIC基金共同助力碳化硅外延片企業(yè)瀚天天成電子科技（廈門）股份有限公司（以下簡稱：瀚天天成）增資擴產，完成瀚天天成本輪Pre-IPO輪融資。

廈門產投消息顯示，瀚天天成于2011年在廈門成立，是國內首家商業(yè)化生產3英寸、4英寸、6英寸和8英寸碳化硅外延晶片的制造商。

根據天眼查信息，自2011年成立至今，瀚天天成已完成近10輪融資。在本輪融資加持下，瀚天天成將加快在廈門投資建設8英寸碳化硅外延片生產線。

據介紹，廈門產投2024年已投資士蘭微在廈門落地的8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產線，本次領投瀚天天成，廈門產投將形成在碳化硅外延和器件產業(yè)鏈的聯(lián)動布局。

目前，士蘭微旗下廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司碳化硅功率器件生產線建設項目已驗收。該項目依托現(xiàn)有廠房，新增一條SiC產線，主要生產SiC功率芯片產品。項目新增SiC產能規(guī)模為MOSFET芯片28.8萬片/年、SBD芯片28.8萬片/年。

百識電子完成數(shù)億元B輪融資

據百識電子官微消息，百識電子近日完成數(shù)億元B輪融資，由投中資本、華泰證券擔任本輪融資財務顧問。

資料顯示，百識電子成立于2019年8月，可提供6英寸碳化硅，以及6英寸、8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）專業(yè)外延代工服務。在2024年4月，百識電子宣布其正式具備國產8英寸碳化硅外延片量產能力。

根據天眼查信息，在本輪融資之前，百識電子已相繼完成5輪融資。

碳化硅外延技術是碳化硅產業(yè)鏈中的關鍵環(huán)節(jié)，隨著大尺寸外延片的發(fā)展、外延設備的改進以及器件性能的提升，碳化硅外延技術將為第三代半導體產業(yè)的蓬勃發(fā)展提供有力支撐，相關企業(yè)將獲得發(fā)展機遇，其中也包括融資機會。（集邦化合物半導體Zac整理）

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百識電子All in外延

據了解，第三代半導體外延技術推動著相關材料的研究和應用不斷深入，帶來了更加高效、穩(wěn)定和可靠的電子設備和器件，是產業(yè)鏈重要環(huán)節(jié)之一。由此，吸引了眾多廠商布局SiC、GaN外延業(yè)務，百識電子便是其中之一。

不同于部分企業(yè)同時涉足襯底與外延技術，百識電子自2019年成立以來，All in外延領域。由于其核心團隊成員來自亞洲現(xiàn)有第三代半導體外延片領域的供貨商，使得百識電子熟悉市場及客戶不同產品需求與痛點，能夠進行針對性產品與技術研發(fā)。

2023年，百識電子外延工藝和技術水平持續(xù)突破，3300V SiC外延片實現(xiàn)高良率高質量生產，產品厚度均勻性1.18%，濃度均勻性1.32%，并穩(wěn)定出貨全球軌交頭部客戶。此外，超高耐壓（6500V及以上）外延技術也取得新進展。

2024年，SiC外延技術和產品質量的進一步提升，推動百識電子正式獲得8英寸SiC外延片量產能力。產品質量方面，據稱，百識電子所生產的8英寸SiC外延片質量達到國際先進水平，即厚度不均勻性小于1.5%，濃度不均勻性小于4%，3mm*3mm管芯良率達到99%以上。

技術進展方面，據悉，SiC外延層的厚度、濃度與表面缺陷的數(shù)量會影響器件電氣特性，導致SiC器件良率有所損失。目前一般外延技術只能控制表面尺寸較大的致命缺陷，密度大約1/cm2，表面微坑洞數(shù)量高達每片5,000顆以上。而百識電子獨有的外延技術可將表面缺陷數(shù)量控制在密度小于0.4/cm2，表面微坑洞每片小于1,000個。

產能方面，百識電子首條產線于2021年投產，當前年產能達5萬片。其計劃近期在長三角落地二期產線，產能規(guī)劃28萬片/年，以期打造先進的車規(guī)級三代半外延片制造工廠。持續(xù)的產能建設，也為百識電子具備8英寸SiC外延片量產能力提供了一定程度的支撐。

此前，百識電子已能夠可提供6英寸SiC，以及6/8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延代工服務，在具備8英寸SiC外延片量產能力后，百識電子業(yè)務觸角將進一步向8英寸SiC領域延伸，向8英寸轉型趨勢下，百識電子有望躋身主流SiC廠商行列。

國內廠商進擊8英寸

當前，在材料方面，SiC產業(yè)重心正逐步向8英寸傾斜，國內眾多廠商紛紛緊跟潮流，致力于開發(fā)8英寸SiC產品，不少玩家在近期取得了重大進展，其中包括中宜創(chuàng)芯、青禾晶元等。

今年2月，中宜創(chuàng)芯公司實驗室成功生長出河南省第一塊8英寸SiC單晶晶錠，據介紹，中宜創(chuàng)芯利用先進的粉體合成爐和自動化無污染破碎技術組織研發(fā)生產，具有單爐產能大、顆粒度大、純度高、阿爾法含量高和游離碳低等優(yōu)點，更適合8英寸SiC厚單晶晶錠的生長。

而在4月，青禾晶元宣布，其在國內率先成功制備了8英寸SiC鍵合襯底。青禾晶元表示，SiC長晶受限于生長良率低、周期長等瓶頸導致成本居高不下，而SiC鍵合襯底技術可以將高、低質量SiC襯底進行鍵合集成，有效利用低質量長晶襯底，與長晶技術一同推進SiC材料成本降低。青禾晶元本次突破8英寸SiC鍵合襯底制備，有望通過降本加速8英寸SiC襯底量產進程。

同時，芯聯(lián)集成8英寸SiC晶圓和芯片研發(fā)進展比較順利，計劃年內送樣，離最終量產供貨也已為時不遠，屆時，芯聯(lián)集成將成為8英寸SiC陣營又一個新玩家。

此外，科友半導體正在與俄羅斯N公司開展“8英寸SiC完美籽晶”項目合作。通過該項目，科友半導體將研發(fā)獲得“無微管，低位錯”完美籽晶，而應用品質優(yōu)異的籽晶進行晶體生長，能夠大幅降低8英寸SiC晶體內部的微管、位錯等缺陷密度，從而提高晶體生長的質量和良率，并推動SiC長晶爐體及工藝技術的優(yōu)化與升級，最終目的也是降本增效。

上述廠商在8英寸SiC賽道的探索與成果，有望刺激更多企業(yè)加大8英寸SiC產品研發(fā)投入。

小結

能夠量產8英寸SiC外延片，意味著百識電子相關技術已成熟，為其后續(xù)合作、供貨、擴產打下了基礎，有望成為其業(yè)績增長的新引擎，也將在一定程度上助力實現(xiàn)8英寸SiC外延片國產替代。

國內廠商在8英寸SiC技術和產品方面的持續(xù)突破，在加速國產替代的同時，也通過降本推動SiC產業(yè)市場規(guī)模不斷邁上新臺階。（文：集邦化合物半導體Zac）

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據介紹，百識電子成立于2019年，可提供6吋碳化硅（SiC），以及6吋、 8吋硅基氮化鎵（GaN-on-Si）專業(yè)外延代工服務。

百識電子指出，2023年公司外延工藝和技術水平持續(xù)精進，3300V SiC外延片實現(xiàn)高良率高質量生產，產品厚度均勻性1.18%，濃度均勻性1.32%，并穩(wěn)定出貨全球軌交頭部客戶。此外，超高耐壓（6500V及以上）外延技術迎來持續(xù)突破，缺陷控制已達國際先進水平。

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融資方面，據天眼查顯示，百識電子已完成了5輪融資，僅算披露的融資金額已超4.5億元。

產能方面，百識電子首條產線位于南京市浦口區(qū)于2021年投產，當前年產能達5萬片，客戶多為全球巨頭及國內龍頭。公司計劃近期在長三角落地二期產線，產能規(guī)劃28萬片/年，以期打造全國領先的車規(guī)級三代半外延片制造工廠。

目前百識電子南京廠量產順利，二期產線也在積極落地中。

文：集邦化合物半導體Morty整理

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