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據(jù)報道，羅姆將在氮化鎵功率半導體領域加強和臺積電合作，擬通過水平分工、對抗海外競爭對手。在近日舉行的“第85屆應用物理學會秋季學術講座”上，羅姆宣布將全面委托臺積電代工生產(chǎn)。

報道指出，羅姆將全面委托臺積電代工生產(chǎn)有望運用于廣泛用途的650V耐壓產(chǎn)品，通過活用外部資源，因應急增的需求，擴大事業(yè)規(guī)模。報道稱，羅姆此前應該就已委托臺積電代工，只不過羅姆本身未曾對外公開過。

近期，羅姆頻頻通過合作強化第三代半導體產(chǎn)業(yè)布局。

今年8月22日，據(jù)賽米控丹佛斯官微消息，賽米控丹佛斯和羅姆將強化合作伙伴關系，雙方將基于低功率芯片，擴展低功率模塊產(chǎn)品。據(jù)悉，雙方的合作范圍涉及羅姆的第四代碳化硅MOSFET和RGA IGBT，二者都適用于賽米控丹佛斯的模塊。

隨后在9月27日，芯動半導體宣布，正式與羅姆簽署以碳化硅為核心的車載功率模塊戰(zhàn)略合作伙伴協(xié)議。通過此次合作，芯動半導體將致力于搭載羅姆碳化硅芯片的車載功率模塊的創(chuàng)新和性能提升，以延長xEV的續(xù)航里程。未來，雙方將會進一步加快以碳化硅為核心的創(chuàng)新型車載電源解決方案的開發(fā)速度。

而在9月30日，據(jù)電裝官網(wǎng)消息，電裝和羅姆宣布計劃建立專注于汽車應用的半導體合作伙伴關系。電裝和羅姆一直在汽車應用半導體的貿易和開發(fā)方面進行合作。未來，兩家公司將考慮通過這種合作伙伴關系實現(xiàn)高度可靠產(chǎn)品的穩(wěn)定供應，并采取各種措施開發(fā)高質量、高效率的半導體。（集邦化合物半導體Zac整理）

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據(jù)悉，電裝為目前幾乎所有品牌和型號的車輛開發(fā)技術和組件，羅姆則生產(chǎn)一系列功率器件和分立器件，包括碳化硅芯片和模塊，在汽車電子領域擁有廣泛的產(chǎn)品線。

電裝和羅姆一直在汽車應用半導體的貿易和開發(fā)方面進行合作。未來，兩家公司將考慮通過這種合作伙伴關系實現(xiàn)高度可靠產(chǎn)品的穩(wěn)定供應，并采取各種措施開發(fā)高質量、高效率的半導體。

近年來，在新能源汽車產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展帶動下，碳化硅功率器件市場需求持續(xù)增長，在此背景下，電裝和羅姆均加大了碳化硅產(chǎn)業(yè)布局力度。

電裝方面，2023年9月底消息傳出，日本電裝、日立、三菱電機和住友電氣四家企業(yè)對投資Coherent的碳化硅業(yè)務感興趣，且已就收購Coherent公司碳化硅業(yè)務的少數(shù)股權進行了討論，投資金額或高達50億美元。

同年10月10日，Coherent宣布將成立一家子公司獨立運營碳化硅業(yè)務，更好地滿足電動汽車等下游市場對碳化硅的需求。彼時，電裝和三菱電機已確定投資共計10億美元，三方還簽訂了長期供貨協(xié)議，Coherent將為電裝和三菱電機兩家公司供應6/8英寸碳化硅襯底和外延片。

羅姆方面，今年7月5日，據(jù)外媒報道，羅姆子公司SiCrystal GmbH將在德國紐倫堡東北部現(xiàn)有廠址的正對面新建一座生產(chǎn)廠房。新廠房將增加6000平方米的生產(chǎn)面積，并將配備最先進的技術，進一步提升碳化硅襯底的產(chǎn)能。毗鄰現(xiàn)有工廠將確保生產(chǎn)流程的緊密結合。到2027年，包括現(xiàn)有廠房在內，SiCrystal公司碳化硅襯底的總產(chǎn)能將比2024年增加約三倍。

而在9月27日，芯動半導體正式與羅姆簽署以碳化硅為核心的車載功率模塊戰(zhàn)略合作伙伴協(xié)議。通過此次合作，芯動半導體將致力于搭載羅姆碳化硅芯片的車載功率模塊的創(chuàng)新和性能提升，以延長xEV的續(xù)航里程。（集邦化合物半導體Zac整理）

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source：芯動半導體

芯動半導體表示，隨著新能源汽車（xEV）市場的不斷擴大，市場對于延長續(xù)航里程和提高充電速度的需求也日益高漲。SiC作為解決這些問題的關鍵器件被寄予厚望，并在核心驅動部件——牽引逆變器和車載充電器中逐漸得到廣泛應用。

通過此次合作，芯動半導體將致力于搭載羅姆SiC芯片的車載功率模塊的創(chuàng)新和性能提升，以延長xEV的續(xù)航里程。未來，雙方將會進一步加快以SiC為核心的創(chuàng)新型車載電源解決方案的開發(fā)速度，為汽車技術創(chuàng)新貢獻力量。

芯動半導體董事長鄭春來表示：“隨著xEV市場的擴大，對SiC芯片的需求也在持續(xù)增長。芯動半導體正在通過與優(yōu)質供應商建立長期合作關系來加強SiC功率模塊開發(fā)體系。與羅姆之間的戰(zhàn)略合作伙伴關系將會進一步鞏固長城汽車的垂直整合體系，并加快更高性能xEV的開發(fā)速度?！?/p>

同時，長城汽車還投資了河北同光半導體股份有限公司，此舉將進一步發(fā)揮產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同作用。

值的一提的是，今年上半年，芯動半導體芯動半導體無錫“第三代半導體模組封測項目”制造基地也完成了建設。source：芯動半導體資料顯示，芯動半導體無錫“第三代半導體模組封測項目”制造基地，總投資8億元，建筑面積約30000㎡，規(guī)劃車規(guī)級模組年產(chǎn)能120萬套。項目于2023年2月開工，2024年2月完工。（來源：芯動半導體、集邦化合物半導體整理）

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賽米控丹佛斯表示，雙方合作一方面加強了芯片供應安全性，另一方面，在合作伙伴關系下，賽米控丹佛斯能夠參與到芯片開發(fā)的早期階段，這樣在整個芯片的開發(fā)周期，賽米控丹佛斯都能夠發(fā)揮重要作用。

羅姆則表示，賽米控丹佛斯參與芯片開發(fā)早期階段，使得羅姆可以及時得到關于產(chǎn)品的反饋，便于改進產(chǎn)品。同時，與賽米控丹佛斯合作，羅姆得到了拓展工業(yè)市場應用的機會。

據(jù)悉，雙方的合作范圍涉及羅姆的第四代碳化硅MOSFET和RGA IGBT，二者都適用于賽米控丹佛斯的模塊。這兩種芯片基本適用于任何工業(yè)應用，但賽米控丹佛斯和羅姆主要聚焦的是電機驅動應用，這與兩種芯片的技術特性相匹配，碳化硅MOSFET短路魯棒性較好，RGA IGBT具備電機驅動應用所需的dvdt范圍。

碳化硅業(yè)務方面，2022年3月，在賽米控宣布與丹佛斯硅動力合并成立賽米控丹佛斯公司之前，賽米控就與德國某汽車制造商簽訂了一份超百億人民幣的車規(guī)級碳化硅功率模塊合同，約定在2025年在該汽車客戶的下一代電動車控制器平臺上，全面采用eMPack系列車規(guī)級碳化硅功率模塊。

據(jù)了解，eMPack是賽米控丹佛斯推出的一款平臺級模塊產(chǎn)品，適用于400V/800V電驅系統(tǒng)應用，最大輸出可達750KW。eMPack允許賽米控丹佛斯根據(jù)客戶需求進行定制，包括選擇IGBT或碳化硅MOSFET作為模塊芯片。eMPack的技術優(yōu)勢包括將雜散電感將至2.5nH、大幅延長使用壽命等，預計在2025年實現(xiàn)量產(chǎn)。

近年來，羅姆一直是賽米控丹佛斯在碳化硅器件供應方面的合作伙伴。2022年7月，賽米控丹佛斯和羅姆就碳化硅功率器件展開新的合作，羅姆的第四代碳化硅MOSFET正式被用于賽米控丹佛斯的車規(guī)級碳化硅功率模塊eMPack。

IGBT業(yè)務方面，2023年4月，賽米控丹佛斯推出配備羅姆1200V IGBT的功率模塊。同年7月，英飛凌與賽米控丹佛斯簽署了一份多年批量供應硅基電動汽車芯片的協(xié)議。英飛凌將為賽米控丹佛斯供應由IGBT和二極管組成的芯片組，這些芯片主要用于電動汽車主驅逆變器的功率模塊。（集邦化合物半導體Zac整理）

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羅姆9日發(fā)表聲明稱，其藍碧石半導體宮崎縣工廠已暫停運營，以檢查生產(chǎn)設備的狀態(tài)并確保安全。羅姆表示，包括藍碧石半導體宮崎第二工廠在內的人員和建筑物都并未受到傷害。

據(jù)公開資料顯示，藍碧石半導體宮崎縣工廠目前主要生產(chǎn)IC、傳感器、二極管、碳化硅功率器件、IGBT。

藍碧石半導體宮崎第二工廠（曾為“原國富工廠”）原屬于Solar Frontier，2023年11月，羅姆成功將其收購納入了自己的生產(chǎn)網(wǎng)絡。經(jīng)過修整之后，羅姆計劃將藍碧石半導體宮崎第二工廠作為碳化硅功率半導體的主要生產(chǎn)基地，并于2024年年內投產(chǎn)。

source：羅姆

此次地震對羅姆旗下碳化硅功率半導體工廠造成的影響還在評估之中，集邦化合物半導體將持續(xù)關注。（集邦化合物半導體Rick整理）

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據(jù)悉，SiCrystal成立于1996年，1997年其第一批晶圓投入市場。2000年，SiCrystal與西門子旗下的SiC供應商Freitronics Wafer GmbH&Co.KG合并。2009年，SiCrystal被羅姆正式收購。

SiC襯底產(chǎn)能方面，羅姆半導體株式會社社長松本功在2023年11月的財報電話會議上宣布，將在位于日本宮崎縣的第二家工廠生產(chǎn)8英寸SiC襯底，主要供該公司內部使用，預計將于2024年開始投產(chǎn)。這將是羅姆首次在日本生產(chǎn)SiC襯底。

據(jù)了解，宮崎第二工廠規(guī)劃項目是羅姆近幾年產(chǎn)能擴張計劃的一部分，羅姆計劃在2021-2025年為SiC業(yè)務投入1700億-2200億日元（折合人民幣約77億元-100億元）。

合作方面， SiCrystal當前的產(chǎn)能除了滿足羅姆的需求之外，今年4月還宣布與意法半導體在現(xiàn)有的6英寸SiC襯底多年期供貨協(xié)議基礎上，繼續(xù)擴大合作。根據(jù)新簽署的長期供貨協(xié)議，SiCrystal公司將對意法半導體加大德國紐倫堡產(chǎn)的SiC襯底供應力度，預計協(xié)議總價不低于2.3億美元。（集邦化合物半導體Zac整理）

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松本功表示：“東芝和我們的半導體業(yè)務在包括產(chǎn)品組合在內的各個方面都非常平衡且高度兼容，我們希望就如何創(chuàng)造這種協(xié)同效應提出建議?！彪p方設想通過批量采購通用設備和零部件、相互銷售內部設備以及相互外包產(chǎn)品銷售來降低成本。

據(jù)了解，2023年12月，東芝從東京證券交易所退市，日本產(chǎn)業(yè)合作伙伴公司（JIP）等企業(yè)財團將其收購。這一過程中，羅姆出資3000億日元（折合人民幣約139億元），成為了最大的投資者，為后續(xù)雙方合作埋下了伏筆。

同月，羅姆和東芝宣布將合作生產(chǎn)碳化硅（SiC）和硅（Si）功率半導體器件，這一計劃還得到了日本政府的支持。

該計劃旨在讓羅姆和東芝分別對SiC功率半導體和Si功率半導體進行重點投資，依據(jù)對方生產(chǎn)力優(yōu)勢進行互補，有效提高供應能力。項目總投資為3883億日元（折合人民幣約180億元），其中政府將支持1294億日元（折合人民幣約60億元），占比高達三分之一。羅姆旗下位于宮崎縣的工廠將負責生產(chǎn)SiC功率器件和SiC晶圓，而東芝旗下位于石川縣的工廠將以生產(chǎn)Si芯片為主。

此外，羅姆計劃在2027財年之前，對SiC業(yè)務整體投資5100億日元（折合人民幣約237億元）。到2027財年，羅姆預計SiC功率器件的銷售額將增長到2700億日元（折合人民幣約125億元），是2022財年的9倍。由東芝負責傳統(tǒng)的Si半導體業(yè)務將使羅姆公司能夠把投資重點放在更尖端的SiC產(chǎn)品上。（集邦化合物半導體Morty整理）

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擴大后的合同約定未來數(shù)年向意法半導體供應在德國紐倫堡生產(chǎn)的SiC晶圓，預計合同期間的交易額將超過2.3億美元（折合人民幣約16.7億元）。

source：拍信網(wǎng)

ST執(zhí)行副總裁兼首席采購官Geoff West表示：“通過擴大與SiCrystal的SiC晶圓長期供應合同，我們得以確保6英寸SiC晶圓的新增需求量。這將有助于擴大相應產(chǎn)品的產(chǎn)能，確保向全球汽車和工業(yè)設備領域客戶供貨。另外，很好地保持各地區(qū)的內部產(chǎn)能和外部產(chǎn)能的平衡，將有助于提升供應鏈的彈性，促進未來的長效發(fā)展。”

羅姆集團SiCrystal總裁兼CEO Robert Eckstein（博士）表示：“SiCrystal是SiC的領軍企業(yè)羅姆集團旗下的公司，具有多年的SiC晶圓生產(chǎn)經(jīng)驗。我們很高興能夠與我們的老客戶ST擴大了這項供應合同。未來，我們將通過繼續(xù)增加6英寸SiC晶圓的供應量并始終提供高可靠性的產(chǎn)品，來支持我們的合作伙伴擴大SiC業(yè)務?！?/p>

SiC功率半導體以其出色的能效著稱，能夠以更可持續(xù)的方式促進汽車和工業(yè)設備的電子化發(fā)展。通過促進高效的能源發(fā)電、分配和存儲，在向更清潔的出行解決方案和廢物排放更少的工業(yè)工藝轉型過程中，SiC可提供強有力的支持。同樣，還有助于為AI應用的數(shù)據(jù)中心等資源密集型基礎設施提供更可靠的電力供應。（來源：羅姆）

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英飛凌推出Cool SiC MOSFET G2

3月5日，英飛凌宣布，公司推出了下一代碳化硅 (SiC) MOSFET溝槽技術產(chǎn)品，CoolSiC MOSFET G2系列產(chǎn)品。

source：英飛凌

英飛凌表示，新一代CoolSiC MOSFET 650V和1200V產(chǎn)品與上一代相比，MOSFET的關鍵性能指標（例如存儲能量和電荷）提高了20%，同時又不影響質量和可靠性水平。

CoolSiC MOSFET G2技術繼續(xù)利用SiC的性能優(yōu)勢，實現(xiàn)更低的能量損耗，從而在功率轉換過程中提高效率，這對于光伏、儲能、直流電動汽車充電、電機驅動和工業(yè)電源等各種功率半導體應用客戶來說，將提供很大的優(yōu)勢。

與前幾代產(chǎn)品相比，配備 CoolSiC G2的電動汽車直流快速充電站最多可減少10%的功率損耗，同時在不影響外形尺寸的情況下實現(xiàn)更高的充電容量?；贑oolSiC G2設備的牽引逆變器可進一步增加電動汽車的續(xù)航里程。在可再生能源領域，采用CoolSiC G2設計的太陽能逆變器可以在保持高功率輸出的同時實現(xiàn)更小的尺寸，從而降低每瓦成本。

“大趨勢需要新的、高效的方式來產(chǎn)生、傳輸和利用能源。憑借CoolSiC MOSFET G2，英飛凌將SiC性能提升到了一個新的水平?！庇w凌綠色工業(yè)電力部門總裁Peter Wawer博士說道，“新一代SiC技術能夠加速設計成本更加優(yōu)化、緊湊、可靠且高效的系統(tǒng)，從而節(jié)省能源并減少現(xiàn)場安裝的每瓦特的CO2排放量。”

羅姆GaN器件被臺達電子采用

羅姆今（6）日宣布，旗下650V GaN器件（EcoGaN）被臺達電子Innergie品牌的45W輸出AC適配器（快速充電器）“C4 Duo”采用。

source：羅姆

據(jù)介紹，臺達是基于IoT技術的綠色解決方案全球供應商。

羅姆指出，Innergie的AC適配器通過搭載可提高電源系統(tǒng)效率的羅姆EcoGaN“GNP1150TCA-Z”，提高了產(chǎn)品性能和可靠性的同時也實現(xiàn)了小型化。

羅姆表示，GaN的潛力很大，但處理起來卻很難，目前羅姆正在推進注重“易用性”的產(chǎn)品開發(fā)并提供相關解決方案。在分立產(chǎn)品方面，羅姆已于2022年開始量產(chǎn)150V耐壓的GaN HEMT，并于2023年開始量產(chǎn)實現(xiàn)業(yè)界超高性能（RDS（ON）×Ciss / RDS（ON）×Coss）的650V耐壓GaN HEMT。

集邦化合物半導體Morty整理

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ROHM和東芝將分別對SiC和Si功率器件進行密集投資，兩者將依據(jù)對方生產(chǎn)力優(yōu)勢進行互補，有效提高供應能力。

兩家公司計劃在合作項目上花費3883億日元（折合人民幣約193億元），其中日本政府可提供最高1294億日元（折合人民幣約64億元）的補貼，資金占比高達1/3。羅姆旗下位于宮崎縣的工廠將負責生產(chǎn)SiC功率器件和SiC晶圓，而東芝旗下位于石川縣的工廠將以生產(chǎn)Si芯片為主。

source:Rohm

據(jù)悉，制作SiC功率器件是ROHM的強項，產(chǎn)品的能量轉換效率高。而東芝在傳統(tǒng)的Si器件領域實力雄厚，可為包括鐵路和電力公司在內的多個客戶提供服務。未來，這兩家公司將在產(chǎn)品開發(fā)、生產(chǎn)和銷售方面進行緊密協(xié)作。

值得一提的是，東芝將于12月20日實現(xiàn)私有化，由Japan Industrial Partners牽頭的日本國內財團斥資2萬億日元（折合人民幣約994億元）收購。而ROHM是該財團最大的投資者，將出資3000億日元（折合人民幣約149億元）購買優(yōu)先股和普通股。

此外，ROHM計劃在2027財年之前，對SiC業(yè)務整體投資5100億日元（折合人民幣約254億元），到2027財年，SiC功率器件的銷售額將增長到2700億日元（折合人民幣約134億元），是2022財年的9倍。由東芝負責傳統(tǒng)的Si半導體業(yè)務將使羅姆公司能夠把投資重點放在更尖端的SiC產(chǎn)品上。（集邦化合物半導體Rick編譯）

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