2023天天操天天干,qyule亚洲精品视频网址导航 http://m.juzizheng.cn 集邦化合物半導(dǎo)體是化合物半導(dǎo)體行業(yè)門戶網(wǎng)站，提供SiC、GaN等化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資訊、研討會(huì)以及分析報(bào)告。 Mon, 13 Nov 2023 09:31:31 +0000 zh-CN hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.3.1 封頂，譽(yù)鴻錦GaN項(xiàng)目建設(shè)進(jìn)度再刷新 http://m.juzizheng.cn/Company/newsdetail-66122.html Mon, 13 Nov 2023 09:36:38 +0000 http://m.juzizheng.cn/?p=66122 近日，譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體二期產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目廠房舉行了主體結(jié)構(gòu)封頂儀式，這標(biāo)志著該公司GaN Super IDM 全產(chǎn)業(yè)鏈的布局與建設(shè)取得重大進(jìn)展。

譽(yù)鴻錦提出的Super IDM產(chǎn)業(yè)集群概念，即“Super IDM產(chǎn)業(yè)集群 = 上游設(shè)備材料+IDM+終端技術(shù)應(yīng)用+零售服務(wù)生態(tài)鏈”。 基于該產(chǎn)業(yè)集群的深度耦合，實(shí)現(xiàn)上游設(shè)備自主可控、成本下降，IDM環(huán)節(jié)極致效率，應(yīng)用終端快速導(dǎo)入和批量驗(yàn)證，實(shí)現(xiàn)推動(dòng)GaN產(chǎn)業(yè)快速普及的產(chǎn)業(yè)目標(biāo)。

據(jù)介紹，譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目由江西譽(yù)鴻錦芯片科技有限公司投資開(kāi)發(fā)建設(shè)，以GaN芯片研發(fā)與制造為中心，集成半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游設(shè)備材料、下游終端應(yīng)用，全面打造Super IDM產(chǎn)業(yè)集群。

該項(xiàng)目位于江西省撫州市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)區(qū)，總建筑面積約26.2萬(wàn)㎡。項(xiàng)目于2022年7月正式開(kāi)工建設(shè)，主體結(jié)構(gòu)提前1個(gè)月完成里程碑工期，二次結(jié)構(gòu)已提前施工，首條批量線預(yù)計(jì)于2024年底前建成，月產(chǎn)能為6-7萬(wàn)片。項(xiàng)目全部建成投產(chǎn)后，每月產(chǎn)能將達(dá)到25萬(wàn)片，屆時(shí)將成為全球最大的GaN IDM工廠。

作為一家2021年成立的新企業(yè)，譽(yù)鴻錦用1.5年實(shí)現(xiàn)了從建廠(一期產(chǎn)業(yè)園)到中試線穩(wěn)定產(chǎn)能1.5萬(wàn)片，并且良率高達(dá)85%，一期產(chǎn)業(yè)園同時(shí)具備了在行業(yè)里數(shù)量最多、工序最為齊全的設(shè)備產(chǎn)線。二期產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目的建成投產(chǎn)，將大規(guī)模啟用譽(yù)鴻錦自研和國(guó)產(chǎn)扶持的半導(dǎo)體設(shè)備，如MOCVD、蝕刻機(jī)等關(guān)鍵設(shè)備。

目前譽(yù)鴻錦自研的MOCVD設(shè)備已經(jīng)上線并進(jìn)入最后的調(diào)試階段，經(jīng)過(guò)中試線成熟生產(chǎn)工藝調(diào)整，其后續(xù)建設(shè)、調(diào)試和量產(chǎn)的速度會(huì)極其迅速，將進(jìn)一步大幅度降低成本、提高效率。同時(shí)譽(yù)鴻錦訂購(gòu)的十多臺(tái)光刻機(jī)將于明后兩年陸續(xù)到貨進(jìn)廠，也將全部應(yīng)用于二期產(chǎn)業(yè)園的生產(chǎn)線。

此外，在上個(gè)月召開(kāi)的GaN器件品牌發(fā)布會(huì)上，譽(yù)鴻錦正式發(fā)布了全功率段的GaN器件，包括100V、650V、900-1200V等產(chǎn)品，能應(yīng)用于多種電力電子領(lǐng)域?！肮綠aN器件已經(jīng)做到1200V，并正在研發(fā)1700V、3100V等產(chǎn)品。”譽(yù)鴻錦董事長(zhǎng)閆懷寶表示。

除了GaN HEMT器件外，譽(yù)鴻錦正式發(fā)布的行業(yè)首個(gè)GaN SBD器件，以及900V藍(lán)寶石基GaN晶圓的實(shí)物展示引起了行業(yè)的重點(diǎn)關(guān)注。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢《2023全球GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析報(bào)告》顯示，全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長(zhǎng)到2026年的13.3億美金，復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)65%。

GaN作為第三代半導(dǎo)體材料，具有高電子遷移率、高熱導(dǎo)率、高擊穿電場(chǎng)等優(yōu)良特性。但其功率器件相比于硅基器件，滲透率偏低。隨著國(guó)內(nèi)的GaN產(chǎn)能不斷提升，對(duì)提高GaN滲透率起著積極作用。
從市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局來(lái)看，目前功率元件市場(chǎng)由Power integrations、Navitas、英諾賽科、EPC、GaN Systems、Transphorm等占據(jù)。通過(guò)譽(yù)鴻錦的IDM產(chǎn)業(yè)鏈不斷完善，有望改變這一局勢(shì)，給行業(yè)帶來(lái)新的機(jī)遇與活力。

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