據(jù)北京順義消息，北京銘鎵半導體有限公司（以下簡稱“銘鎵半導體”）在超寬禁帶半導體氧化鎵材料開發(fā)及應用產(chǎn)業(yè)化方面實現(xiàn)新突破，已領先于國際同類產(chǎn)品標準。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 銘鎵半導體董事長陳政委表示，半絕緣型（010）鐵摻襯底和該襯底加導電型薄膜外延，目前國際可做到25毫米...  [詳內(nèi)文]