少妇激情内射高潮无码,欧美成人性毛片视频 http://m.juzizheng.cn 集邦化合物半導(dǎo)體是化合物半導(dǎo)體行業(yè)門戶網(wǎng)站,提供SiC、GaN等化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資訊、研討會(huì)以及分析報(bào)告。 Mon, 23 Sep 2024 08:33:08 +0000 zh-CN hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.3.1 鎵仁半導(dǎo)體推出氧化鎵專用長(zhǎng)晶設(shè)備 http://m.juzizheng.cn/Company/newsdetail-69617.html Mon, 23 Sep 2024 08:33:08 +0000 http://m.juzizheng.cn/?p=69617 9月20日,杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱“鎵仁半導(dǎo)體”)發(fā)布了公司首臺(tái)氧化鎵專用晶體生長(zhǎng)設(shè)備。該設(shè)備不僅滿足氧化鎵晶體生長(zhǎng)的各項(xiàng)需求,還集成了多項(xiàng)自主創(chuàng)新技術(shù),是鎵仁半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)氧化鎵單晶材料技術(shù)閉環(huán)的新里程碑。

鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵專用長(zhǎng)晶設(shè)備

source:鎵仁半導(dǎo)體

據(jù)介紹,鎵仁半導(dǎo)體此次推出的氧化鎵專用晶體生長(zhǎng)設(shè)備滿足氧化鎵生長(zhǎng)所需的高溫和高氧環(huán)境。設(shè)備采用非銥(Ir)坩堝材料,可在空氣氣氛下工作。研發(fā)團(tuán)隊(duì)自主設(shè)計(jì)了獨(dú)特的復(fù)合測(cè)溫技術(shù)和控溫算法,確保晶體生長(zhǎng)過(guò)程的穩(wěn)定性、均勻性和一致性。

該設(shè)備實(shí)現(xiàn)了全自動(dòng)化晶體生長(zhǎng)流程,減少了人工干預(yù),顯著提高了生產(chǎn)效率和晶體質(zhì)量。通過(guò)該設(shè)備制備的氧化鎵晶體為柱狀外形,通過(guò)工藝控制可獲得多種不同晶面的大尺寸單晶,且支持向更大尺寸單晶的升級(jí),以適應(yīng)不斷發(fā)展的外延技術(shù)和器件需求。

除了在設(shè)備領(lǐng)域有動(dòng)作,鎵仁半導(dǎo)體今年在融資、合作以及氧化鎵技術(shù)方面也有相關(guān)進(jìn)展。

今年4月,鎵仁半導(dǎo)體推出了新產(chǎn)品2英寸晶圓級(jí)(010)氧化鎵半絕緣單晶襯底,并實(shí)現(xiàn)了2英寸(010)氧化鎵單晶襯底的自主量產(chǎn),打破了國(guó)際壟斷。

6月底,鎵仁半導(dǎo)體與蘇州邁姆思半導(dǎo)體科技有限公司簽訂合作協(xié)議,雙方將協(xié)作實(shí)現(xiàn)碳化硅和氧化鎵的鍵合,用碳化硅出色的散熱性能來(lái)彌補(bǔ)氧化鎵散熱性能的不足,同時(shí)通過(guò)氧化鎵和硅的鍵合,大幅度降低成本,推動(dòng)氧化鎵作為功率器件的量產(chǎn)化。

7月,鎵仁半導(dǎo)體成功制備出了3英寸晶圓級(jí)(010)氧化鎵單晶襯底。

8月,鎵仁半導(dǎo)體完成了Pre-A輪融資并與杭州銀行戰(zhàn)略合作協(xié)議的簽訂。

9月上旬,鎵仁半導(dǎo)體宣布公司在氧化鎵襯底加工技術(shù)上取得突破性進(jìn)展,成功研制超薄6英寸襯底,襯底厚度小于200微米。(集邦化合物半導(dǎo)體整理)

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鎵仁半導(dǎo)體完成近億元Pre-A輪融資 http://m.juzizheng.cn/Company/newsdetail-69082.html Thu, 08 Aug 2024 09:27:32 +0000 http://m.juzizheng.cn/?p=69082 8月7日,杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(下文簡(jiǎn)稱“鎵仁半導(dǎo)體”)迎來(lái)了Pre-A輪融資及戰(zhàn)略合作簽約慶典。本輪投資由九智資本領(lǐng)投,普華資本共同投資。公司天使輪投資機(jī)構(gòu)藍(lán)馳創(chuàng)投、禹泉資本、毅嶺資本均出席共同見(jiàn)證此次融資簽約儀式。

source:鎵仁半導(dǎo)體

鎵仁半導(dǎo)體表示,本輪融資資金的注入,不僅是對(duì)公司技術(shù)實(shí)力和市場(chǎng)前景的高度認(rèn)可,更為公司的未來(lái)發(fā)展提供了堅(jiān)實(shí)的資金保障。

同時(shí),隨著與杭州銀行戰(zhàn)略合作協(xié)議的簽訂,公司將進(jìn)一步深化與金融機(jī)構(gòu)的合作,共同探索科技與金融深度融合的新模式、新路徑,為公司的持續(xù)快速發(fā)展注入新的活力。

據(jù)悉,鎵仁半導(dǎo)體成立于2022年9月,是一家專注于氧化鎵等超寬禁帶半導(dǎo)體單晶襯底及外延材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技型企業(yè)。鎵仁半導(dǎo)體開(kāi)創(chuàng)了非導(dǎo)模法氧化鎵單晶生長(zhǎng)新技術(shù),突破了國(guó)際市場(chǎng)對(duì)氧化鎵材料的壟斷,可提供具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的氧化鎵單晶襯底材料。

技術(shù)進(jìn)展方面,此前,鎵仁半導(dǎo)體聯(lián)合浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院、硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,采用楊德仁院士團(tuán)隊(duì)自主開(kāi)創(chuàng)的鑄造法成功制備了高質(zhì)量6英寸非故意摻雜及導(dǎo)電型氧化鎵(β-Ga2O3)單晶襯底。

2024年4月,鎵仁半導(dǎo)體推出了新產(chǎn)品2英寸晶圓級(jí)(010)氧化鎵半絕緣單晶襯底,并實(shí)現(xiàn)了2英寸(010)氧化鎵單晶襯底的自主量產(chǎn),打破了國(guó)際壟斷。

2024年7月,鎵仁半導(dǎo)體成功制備出了3英寸晶圓級(jí)(010)氧化鎵單晶襯底。(來(lái)源:鎵仁半導(dǎo)體、集邦化合物半導(dǎo)體)

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鎵仁半導(dǎo)體制備出3英寸晶圓級(jí)(010)氧化鎵單晶襯底 http://m.juzizheng.cn/Company/newsdetail-68785.html Tue, 16 Jul 2024 08:53:22 +0000 http://m.juzizheng.cn/?p=68785 7月15日,據(jù)鎵仁半導(dǎo)體官微消息,鎵仁半導(dǎo)體于今年7月成功制備出3英寸晶圓級(jí)(010)氧化鎵單晶襯底,據(jù)稱為目前國(guó)際上已報(bào)導(dǎo)的最大尺寸。

source:鎵仁半導(dǎo)體

據(jù)鎵仁半導(dǎo)體介紹,在氧化鎵單晶襯底常見(jiàn)的主流晶面中,(010)襯底在物理特性和外延方面具有出色的表現(xiàn)。首先,(010)襯底熱導(dǎo)率最高,有利于提升功率器件性能;第二,(010)襯底具有較快的外延生長(zhǎng)速率;第三,基于(010)襯底制備的器件具有更優(yōu)異的性能。

資料顯示,鎵仁半導(dǎo)體成立于2022年9月,是一家專注于氧化鎵等超寬禁帶半導(dǎo)體單晶襯底及外延材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的廠商。鎵仁半導(dǎo)體開(kāi)創(chuàng)了非導(dǎo)模法氧化鎵單晶生長(zhǎng)新技術(shù),突破了國(guó)際市場(chǎng)對(duì)氧化鎵材料的壟斷,可提供具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的氧化鎵單晶襯底材料。

技術(shù)進(jìn)展方面,此前,鎵仁半導(dǎo)體聯(lián)合浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院、硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,采用楊德仁院士團(tuán)隊(duì)自主開(kāi)創(chuàng)的鑄造法成功制備了高質(zhì)量6英寸非故意摻雜及導(dǎo)電型氧化鎵(β-Ga2O3)單晶襯底。

2024年4月,鎵仁半導(dǎo)體推出了新產(chǎn)品2英寸晶圓級(jí)(010)氧化鎵半絕緣單晶襯底,并實(shí)現(xiàn)了2英寸(010)氧化鎵單晶襯底的自主量產(chǎn),打破了國(guó)際壟斷。

融資方面,今年4月,鎵仁半導(dǎo)體宣布完成數(shù)千萬(wàn)元天使輪融資,本輪融資由藍(lán)馳創(chuàng)投領(lǐng)投,禹泉資本、毅嶺資本跟投,融資資金將用于強(qiáng)化團(tuán)隊(duì)、加速氧化鎵襯底材料新方法及中試線研發(fā)。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)

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聚焦氧化鎵,鎵仁半導(dǎo)體與邁姆思達(dá)成戰(zhàn)略合作 http://m.juzizheng.cn/Company/newsdetail-68602.html Mon, 01 Jul 2024 10:00:49 +0000 http://m.juzizheng.cn/?p=68602 6月28日,據(jù)蘇州納米城官微消息,杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱鎵仁半導(dǎo)體)近日與蘇州邁姆思半導(dǎo)體科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱邁姆思)于杭州簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議。雙方將在先進(jìn)半導(dǎo)體氧化鎵晶圓鍵合領(lǐng)域展開(kāi)深度合作。

圖片來(lái)源:拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

據(jù)悉,邁姆思將與鎵仁半導(dǎo)體協(xié)作實(shí)現(xiàn)SiC和氧化鎵的鍵合,用SiC出色的散熱性能來(lái)彌補(bǔ)氧化鎵散熱性能的不足,同時(shí)通過(guò)氧化鎵和硅的鍵合,大幅度降低成本,推動(dòng)氧化鎵作為功率器件的量產(chǎn)化。

據(jù)了解,本次合作是將第三代半導(dǎo)體材料與第四代半導(dǎo)體材料進(jìn)行融合研發(fā)的戰(zhàn)略合作。

官網(wǎng)資料顯示,鎵仁半導(dǎo)體成立于2022年9月,是一家專注于超寬禁帶半導(dǎo)體材料氧化鎵研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的廠商。

技術(shù)研發(fā)方面,鎵仁半導(dǎo)體開(kāi)創(chuàng)了氧化鎵單晶生長(zhǎng)新技術(shù),擁有國(guó)際、國(guó)內(nèi)發(fā)明專利十余項(xiàng),突破了美國(guó)、德國(guó)、日本等西方國(guó)家在氧化鎵襯底材料上的壟斷和封鎖。

產(chǎn)品方面,鎵仁半導(dǎo)體產(chǎn)品包括不同尺寸、晶向和電阻率的氧化鎵拋光片,可定制的氧化鎵籽晶等,主要應(yīng)用于面向國(guó)家電網(wǎng)、新能源汽車、軌道交通、5G通信等領(lǐng)域的電力電子器件。目前,鎵仁半導(dǎo)體已掌握從設(shè)備開(kāi)發(fā)、熱場(chǎng)設(shè)計(jì)、晶體生長(zhǎng)、晶體加工等全鏈條的核心技術(shù),可提供完全具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的氧化鎵襯底。

今年4月9日,鎵仁半導(dǎo)體宣布正式推出2英寸晶圓級(jí)(010)氧化鎵單晶襯底。鎵仁半導(dǎo)體指出,在氧化鎵單晶襯底常見(jiàn)的主流晶面中,(010)襯底在物理特性和外延方面具有出色的表現(xiàn):(010)襯底熱導(dǎo)率較高,有利于提升功率器件性能;(010)襯底還具有較快的外延生長(zhǎng)速率。

邁姆思則于2022年在蘇州工業(yè)園區(qū)建立公司總部作為生產(chǎn)中心,用于大規(guī)模量產(chǎn)SOI晶圓和開(kāi)發(fā)新的晶圓材料。邁姆思在國(guó)外已經(jīng)研究開(kāi)發(fā)SOI晶圓材料超過(guò)15年,并在技術(shù)上取得了實(shí)質(zhì)性進(jìn)展,填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)在SOI加工領(lǐng)域高級(jí)工藝技術(shù)的空白。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)

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鎵仁半導(dǎo)體推出2英寸晶圓級(jí)(010)氧化鎵單晶襯底 http://m.juzizheng.cn/power/newsdetail-67690.html Wed, 10 Apr 2024 05:51:54 +0000 http://m.juzizheng.cn/?p=67690 4月9日,杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(下文簡(jiǎn)稱“鎵仁半導(dǎo)體”)宣布正式推出2英寸晶圓級(jí)(010)氧化鎵單晶襯底,在(010)襯底的研發(fā)生產(chǎn)方面再創(chuàng)新高。

source:鎵仁半導(dǎo)體

據(jù)介紹,氧化鎵(β-Ga2O3) 具有禁帶寬度大、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、巴利加優(yōu)值大等優(yōu)點(diǎn),使基于氧化鎵的功率器件具有更大的工作電流、電壓以及更小的導(dǎo)通電阻、器件尺寸和更高的轉(zhuǎn)換效率,主要用于制備功率器件、射頻器件及探測(cè)器件,在軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源汽車、光伏發(fā)電、5G移動(dòng)通信、國(guó)防軍工等領(lǐng)域具有廣闊應(yīng)用前景。此外,與目前火熱的碳化硅相比,氧化鎵的大硅片相對(duì)容易制造,有利于降低生產(chǎn)成本并提高產(chǎn)量,市場(chǎng)潛力大。

鎵仁半導(dǎo)體指出,在氧化鎵單晶襯底常見(jiàn)的主流晶面中,(010)襯底在物理特性和外延方面具有出色的表現(xiàn)。首先,(010)襯底熱導(dǎo)率最高,有利于提升功率器件性能;第二,(010)襯底具有較快的外延生長(zhǎng)速率;第三,基于(010)襯底制備的器件具有更優(yōu)異的性能。

值得一提的是,此前,鎵仁半導(dǎo)體聯(lián)合浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院、硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,采用自主開(kāi)創(chuàng)的鑄造法于今年2月成功制備了高質(zhì)量6英寸非故意摻雜及導(dǎo)電型氧化鎵(β-Ga2O3)單晶,并加工獲得了6英寸氧化鎵襯底片。鎵仁半導(dǎo)體也借此成為了國(guó)內(nèi)首個(gè)掌握6英寸氧化鎵單晶襯底制備技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化公司。

如今鎵仁半導(dǎo)體再次推出新產(chǎn)品——2英寸晶圓級(jí)(010)氧化鎵半絕緣單晶襯底,并實(shí)現(xiàn)了2英寸(010)氧化鎵單晶襯底的自主量產(chǎn),對(duì)國(guó)內(nèi)氧化鎵相關(guān)產(chǎn)業(yè)擺脫國(guó)際壟斷起正面作用。(集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理)

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國(guó)內(nèi)首個(gè)6英寸氧化鎵襯底產(chǎn)業(yè)化公司誕生 http://m.juzizheng.cn/Company/newsdetail-67390.html Thu, 21 Mar 2024 03:21:08 +0000 http://m.juzizheng.cn/?p=67390 3月20日,杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(下文簡(jiǎn)稱“鎵仁半導(dǎo)體”)宣布,公司聯(lián)合浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院、硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,采用自主開(kāi)創(chuàng)的鑄造法于今年2月成功制備了高質(zhì)量6英寸非故意摻雜及導(dǎo)電型氧化鎵(β-Ga2O3)單晶,并加工獲得了6英寸氧化鎵襯底片。

6英寸非故意摻雜(上)與導(dǎo)電型(下)氧化鎵單晶(source:鎵仁半導(dǎo)體)

鎵仁半導(dǎo)體表示,基于上述成果,其也成為了國(guó)內(nèi)首個(gè)掌握6英寸氧化鎵單晶襯底制備技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化公司。

據(jù)介紹,鎵仁半導(dǎo)體是一家專注于氧化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技型企業(yè)。
鎵仁半導(dǎo)體指出,此次制備6英寸氧化鎵襯底采用的鑄造法,具有以下顯著優(yōu)勢(shì):第一,鑄造法成本低,由于貴金屬Ir的用量及損耗相比其他方法大幅減少,成本顯著降低;第二,鑄造法簡(jiǎn)單可控,其工藝流程短、效率高、尺寸易放大;第三,鑄造法擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán),中國(guó)和美國(guó)專利已授權(quán),為突破國(guó)外技術(shù)壟斷,實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化替代奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

公開(kāi)資料顯示,氧化鎵是一種超寬禁帶材料,超越了目前已經(jīng)商用器件的禁帶寬度,達(dá)到了4.2電子伏特以上,也有人稱之為第四代半導(dǎo)體材料。相比于以碳化硅,氧化鎵的制造成本較低。
就氧化鎵襯底方面來(lái)看,日本的NCT目前占據(jù)領(lǐng)先地位。但隨著國(guó)內(nèi)企業(yè)制備氧化鎵襯底的技術(shù)升級(jí)和產(chǎn)能提升,總體呈現(xiàn)追趕態(tài)勢(shì),后續(xù)有望獲取更多氧化鎵市場(chǎng)。

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專注于第四代半導(dǎo)體,鎵仁半導(dǎo)體完成天使輪融資 http://m.juzizheng.cn/info/newsdetail-63562.html Tue, 04 Apr 2023 07:05:21 +0000 http://m.juzizheng.cn/?p=63562 根據(jù)藍(lán)馳創(chuàng)投官方消息,杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱:鎵仁半導(dǎo)體)近日正式完成數(shù)千萬(wàn)天使輪融資。該輪融資由藍(lán)馳創(chuàng)投領(lǐng)投,禹泉資本跟投;融資將用于強(qiáng)化團(tuán)隊(duì)、加速氧化鎵襯底材料新方法及中試線研發(fā)。

據(jù)悉,氧化鎵是一種無(wú)機(jī)化合物。作為第四代半導(dǎo)體的代表,氧化鎵被視為“替代碳化硅和氮化鎵”的新一代半導(dǎo)體材料,具有禁帶寬度大(4.8 eV)、臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)高(8MV/cm)、導(dǎo)通特性幾乎是碳化硅的10倍、材料生長(zhǎng)成本低于第三代半導(dǎo)體等優(yōu)勢(shì),未來(lái)有望在通信、雷達(dá)、航空航天、高鐵動(dòng)車、新能源汽車等領(lǐng)域得到應(yīng)用。

目前,各國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)正爭(zhēng)先恐后布局氧化鎵。其中,中國(guó)已經(jīng)成長(zhǎng)為一股不可忽視的力量。

據(jù)韓媒The Elec報(bào)道,根據(jù)AnA Patent對(duì)韓國(guó)、中國(guó)、美國(guó)、歐洲、日本等6個(gè)主要PCT國(guó)家/地區(qū)所持有的氧化鎵功率半導(dǎo)體元件有效專利分析,截至2021年9月共有1011件專利,其中中國(guó)擁有328件,日本擁有專利313件,兩國(guó)專利數(shù)量占總數(shù)的50%以上;而2021年9月至2022年11月新增的460件專利中,也大部分來(lái)自中國(guó)(240件)和日本(87件)。

今年以來(lái),中國(guó)在氧化鎵領(lǐng)域也不斷取得突破:

2月,中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院龍世兵教授課題組聯(lián)合中科院蘇州納米所加工平臺(tái),分別采用氧氣氛圍退火和N離子注入技術(shù),首次研制出了氧化鎵垂直槽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管;

同月,中國(guó)電科46所成功制備出我國(guó)首顆6英寸氧化鎵單晶,達(dá)到國(guó)際最高水平;

3月,西安郵電大學(xué)由電子工程學(xué)院管理的新型半導(dǎo)體器件與材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室陳海峰教授團(tuán)隊(duì)成功在8吋硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片。

此次獲得融資的鎵仁半導(dǎo)體成立于2022年9月,是一家專注于氧化鎵等超寬禁帶半導(dǎo)體單晶襯底及外延材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技型企業(yè)。據(jù)了解,鎵仁半導(dǎo)體開(kāi)創(chuàng)了非導(dǎo)模法氧化鎵單晶生長(zhǎng)新技術(shù),突破了國(guó)際市場(chǎng)對(duì)氧化鎵材料的壟斷,可提供具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的氧化鎵單晶襯底材料。(化合物半導(dǎo)體市場(chǎng) Winter整理)

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