據(jù)了解，該SiC中心獲美國國家科學基金會（NSF）提供的1800萬美元（折合人民幣約1.3億元）資助和美國陸軍研究實驗室的額外支持，于2023年8月破土動工。

source：阿肯色大學

該項目的第一階段對現(xiàn)有潔凈室實驗室進行擴建，將于今年開始運營。負責該項目的教授Alan Mantooth表示，新大樓的建設預計將于2025年1月完工，屆時整個MUSiC（Multi-User SiC）研究和制造設施將投入使用。

阿肯色大學表示，該工廠將解決國內SiC芯片產(chǎn)能不足的問題，因為美國現(xiàn)有的制造工廠僅限于內部使用。阿肯色大學這一新的開放式工廠將是美國首個，可為外部工程研究人員提供原型制作、演示和設備設計的機會。

美國國家科學基金會的資金將用于基礎設施、設備和技術安裝，以及支持員工和研究人員。該工廠將大學數(shù)十年的SiC研究經(jīng)驗與尖端設備相結合，旨在生產(chǎn)卓越的芯片，用于更輕、更快、更節(jié)能的電子系統(tǒng)，并可在極端溫度下運行。

該研究和制造中心的潛在應用范圍覆蓋軍事和工業(yè)系統(tǒng)到汽車電子、重型運輸、建筑設備，甚至包括地熱和太空探索領域。除了研究進展之外，該中心還將在培訓下一代半導體研究人員和工程師，讓學生接觸高需求的科學技術領域方面發(fā)揮至關重要的作用。

總體而言，這項國家項目的建立或將產(chǎn)生重大的影響，推動美國走在SiC半導體設計和制造的發(fā)展前沿。（集邦化合物半導體Morty整理）

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