source：長(zhǎng)飛先進(jìn)

據(jù)介紹，長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地項(xiàng)目本次搬入的設(shè)備涵蓋芯片制造各個(gè)環(huán)節(jié)，包括薄膜淀積、離子注入、光刻、刻蝕等。目前，長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地項(xiàng)目正推進(jìn)建設(shè)并對(duì)設(shè)備進(jìn)行安裝調(diào)試，預(yù)計(jì)2025年5月實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)通線。

據(jù)長(zhǎng)飛先進(jìn)官微此前消息，長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地主要聚焦于第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，項(xiàng)目總投資預(yù)計(jì)超過(guò)200億元，占地面積約22.94萬(wàn)㎡，建筑面積約30.15萬(wàn)㎡，主要建設(shè)內(nèi)容包括晶圓制造廠房、封裝廠房、外延廠房、動(dòng)力廠房、成品庫(kù)、綜合辦公樓、員工宿舍以及生產(chǎn)配套用房設(shè)施等。項(xiàng)目投產(chǎn)后可年產(chǎn)36萬(wàn)片碳化硅晶圓及外延、6100萬(wàn)個(gè)功率器件模塊，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能、充電樁等領(lǐng)域。

據(jù)了解，近期除長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地外，還有2個(gè)碳化硅芯片/模塊項(xiàng)目披露了最新進(jìn)展，分別位于江蘇東臺(tái)、福建廈門(mén)。

11月21日，相關(guān)環(huán)保網(wǎng)披露的文件顯示，士蘭微旗下廈門(mén)士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司碳化硅功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目已驗(yàn)收。該項(xiàng)目依托現(xiàn)有廠房，新增一條SiC產(chǎn)線，主要生產(chǎn)SiC功率芯片產(chǎn)品。項(xiàng)目新增SiC產(chǎn)能規(guī)模為MOSFET芯片28.8萬(wàn)片/年、SBD芯片28.8萬(wàn)片/年。

12月6日，瑞福芯科技“車規(guī)級(jí)SiC半導(dǎo)體功率模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”落地東臺(tái)高新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)，公司與東臺(tái)高新區(qū)正式簽署了《投資協(xié)議》、《補(bǔ)充協(xié)議》。投資協(xié)議顯示，整個(gè)項(xiàng)目投資10-15億元，分兩期實(shí)施，首期投資3億元。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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環(huán)球晶圓表示，補(bǔ)助將用于支持公司位于德州謝爾曼市（Texas）及密蘇里州圣彼得斯市（ Missouri）的先進(jìn)半導(dǎo)體晶圓廠40億美元投資計(jì)劃。美國(guó)商務(wù)部將根據(jù)GWA和MEMC完成各項(xiàng)專案里程碑的情況，于數(shù)年內(nèi)分次發(fā)放該項(xiàng)補(bǔ)助。

此外，作為獎(jiǎng)勵(lì)條款的一部分，環(huán)球晶圓已同意將其位于德州謝爾曼市的部分現(xiàn)有硅外延晶圓產(chǎn)線改為碳化硅外延晶圓產(chǎn)線，制造6英寸（150mm）或8英寸（200mm）碳化硅外延。

source：環(huán)球晶圓

在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域布局方面，環(huán)球晶圓旗下業(yè)務(wù)涵蓋碳化硅和氮化鎵。碳化硅方面，環(huán)球晶圓在中國(guó)臺(tái)灣生產(chǎn)碳化硅襯底，在美國(guó)德州生產(chǎn)6英寸和8英寸碳化硅外延。

據(jù)悉，其碳化硅產(chǎn)品已通過(guò)一線大廠認(rèn)證。針對(duì)碳化硅襯底，公司的制造產(chǎn)能主要在中國(guó)臺(tái)灣。

環(huán)球晶圓此前表示，待該地滿載后，出于對(duì)美國(guó)德州電費(fèi)和土地成本的考量，公司不排除在德州進(jìn)行長(zhǎng)晶業(yè)務(wù)。氮化鎵方面，環(huán)球晶母公司中美晶在2021年投資的氮化鎵廠商Transphorm已被日本瑞薩收購(gòu)，環(huán)球晶圓目前與其保持合作關(guān)系。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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source：長(zhǎng)江新區(qū)

資料顯示，金信新材料主要研發(fā)生產(chǎn)半導(dǎo)體碳化硅晶錠、半導(dǎo)體超高純碳化硅粉料及超純碳化硅結(jié)構(gòu)件等產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于芯片和光伏領(lǐng)域。

金信新材料董事長(zhǎng)董世昌表示，金信新材料攻克了碳化硅原料超高純度提純以及6到8英寸碳化硅晶錠生產(chǎn)的技術(shù)難題，實(shí)現(xiàn)了8英寸碳化硅襯底材料的規(guī)?；a(chǎn)。

據(jù)悉，大尺寸高純度碳化硅晶錠指的是一種尺寸較大、純度較高的碳化硅晶體材料，通常呈圓柱形或長(zhǎng)方體形。這種晶錠可用于制備高純度、高性能的碳化硅單晶和多晶材料，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、電子、電力、航空航天等領(lǐng)域。

圍繞8英寸碳化硅晶錠，國(guó)內(nèi)企業(yè)在材料和設(shè)備方面都有突破。材料方面，今年2月，中宜創(chuàng)芯公司實(shí)驗(yàn)室成功生長(zhǎng)出河南省第一塊8英寸碳化硅單晶晶錠；設(shè)備方面，今年8月，江蘇通用半導(dǎo)體有限公司自主研發(fā)的國(guó)內(nèi)首套8英寸碳化硅晶錠激光全自動(dòng)剝離設(shè)備正式交付碳化硅襯底生產(chǎn)領(lǐng)域頭部企業(yè)，并投入生產(chǎn)。

值得一提的是，今年9月，世界首款碳化硅AR眼鏡鏡片亮相。它外形與日常太陽(yáng)鏡無(wú)異，但與傳統(tǒng)AR眼鏡鏡片相比，更加輕薄，單片重量只有2.7克、厚度僅0.55毫米。而據(jù)金信新材料董事長(zhǎng)董世昌介紹，目前，金信新材料還在著手開(kāi)發(fā)AI產(chǎn)業(yè)用AR鏡片。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

據(jù)報(bào)道，格力芯片工廠是一座投資近百億元建設(shè)的碳化硅芯片工廠。該項(xiàng)目于2022年12月開(kāi)始打樁建設(shè)，2023年4月開(kāi)始鋼結(jié)構(gòu)吊裝，當(dāng)年10月設(shè)備移入，12個(gè)月實(shí)現(xiàn)通線。項(xiàng)目規(guī)劃占地面積600畝，包含芯片工廠、封測(cè)工廠以及配套的半導(dǎo)體檢測(cè)中心和超級(jí)能源站。

值得一提的是，該項(xiàng)目關(guān)鍵核心工藝國(guó)產(chǎn)化設(shè)備導(dǎo)入率超過(guò)70%，據(jù)稱是全球第二組、亞洲第一座全自動(dòng)化第三代半導(dǎo)體芯片制造工廠，同時(shí)，成為全球首個(gè)導(dǎo)人全自動(dòng)缺陷檢測(cè)方案的碳化硅芯片制造工廠。

近年來(lái)，格力持續(xù)加碼在芯片領(lǐng)域的布局。2012年，格力建設(shè)全國(guó)第一條國(guó)產(chǎn)化IPM功率模塊線；2018年，其成立珠海零邊界集成電路有限公司；同年格力電器與長(zhǎng)安汽車等8家企業(yè)合資成立湖南國(guó)芯半導(dǎo)體科技有限公司；2019年，格力斥資30億入股聞泰科技參與完成安世半導(dǎo)體的收購(gòu)；2020年，格力電器入股三安光電；2022年成立格力電子元器件有限公司。目前，格力在芯片領(lǐng)域已形成較完整的產(chǎn)業(yè)布局。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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source：X-fab

X-fab介紹，XbloX整合了經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的SiC工藝開(kāi)發(fā)模塊和平面MOSFET生產(chǎn)的模塊，簡(jiǎn)化了入門(mén)流程，并顯著降低了設(shè)計(jì)風(fēng)險(xiǎn)和產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)間。

通過(guò)將經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的工藝模塊與強(qiáng)大的設(shè)計(jì)規(guī)則、控制計(jì)劃和失效模式及影響分析（FMEA）相結(jié)合，XbloX實(shí)現(xiàn)了更快的原型制作、更簡(jiǎn)便的設(shè)計(jì)評(píng)估和更短的市場(chǎng)上市時(shí)間。該平臺(tái)為客戶提供了競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，允許設(shè)計(jì)師創(chuàng)建多樣化的產(chǎn)品組合，同時(shí)比傳統(tǒng)開(kāi)發(fā)方法提前多達(dá)九個(gè)月實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)。

新一代平臺(tái)在保持穩(wěn)健的工藝控制以及漏電和擊穿性能的同時(shí)，減小了活動(dòng)區(qū)域設(shè)計(jì)單元尺寸。XSICM03平臺(tái)憑借穩(wěn)健的設(shè)計(jì)規(guī)則，允許客戶創(chuàng)建單元間距比上一代小25%以上的SiC平面MOSFET。

這一改進(jìn)使得每片晶圓的芯片數(shù)量比上一代增多30%。利用經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的工藝模塊，平臺(tái)確保了柵氧可靠性和器件穩(wěn)健性。豐富的PCM庫(kù)和增強(qiáng)的設(shè)計(jì)支持使得客戶能夠快速流片，從而加速產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。

X-fab Texas的首席執(zhí)行官Rico Tillner評(píng)論道：“通過(guò)其簡(jiǎn)化的方法，我們的下一代工藝平臺(tái)滿足了汽車、工業(yè)和能源應(yīng)用中對(duì)高性能SiC器件日益增長(zhǎng)的需求。公司通過(guò)加速原型制作和設(shè)計(jì)評(píng)估，使現(xiàn)有和新客戶能夠創(chuàng)建應(yīng)用優(yōu)化的產(chǎn)品組合，顯著縮短上市時(shí)間。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty編譯）

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官微資料顯示，清連科技致力于提供高性能功率器件高可靠封裝解決方案，團(tuán)隊(duì)依托納米金屬燒結(jié)材料與封裝設(shè)備研發(fā)基礎(chǔ)，開(kāi)發(fā)了全系列銀/銅燒結(jié)材料與配套解決方案。其中，具有獨(dú)立知識(shí)產(chǎn)權(quán)的銀燒結(jié)產(chǎn)品已通過(guò)車規(guī)級(jí)認(rèn)證并形成批量訂單，銅燒結(jié)產(chǎn)品已向國(guó)內(nèi)外眾多頭部客戶提供制樣并完成驗(yàn)證。

據(jù)悉，銀/銅燒結(jié)工藝是以碳化硅為代表的高性能功率器件芯片封裝的核心技術(shù)，技術(shù)門(mén)檻較高。此次融資完成后，清連科技將進(jìn)一步提升銀/銅燒結(jié)產(chǎn)品與設(shè)備的量產(chǎn)能力，加速客戶服務(wù)中心建設(shè)。

值得一提的是，近期還有另外一家碳化硅銀燒結(jié)技術(shù)相關(guān)廠商完成了新一輪融資。

10月22日，據(jù)中科光智官微消息，中科光智完成了A+輪融資，融資金額為數(shù)千萬(wàn)元人民幣，由重慶科技創(chuàng)新投資集團(tuán)有限公司控股（持股比例99%）子公司重慶科創(chuàng)長(zhǎng)嘉私募股權(quán)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）投資。

2024年上半年，中科光智研發(fā)出高精度全自動(dòng)貼片機(jī)、納米銀壓力燒結(jié)機(jī)兩款碳化硅芯片封裝工藝設(shè)備，均已進(jìn)入市場(chǎng)驗(yàn)證階段。銀燒結(jié)技術(shù)用于電力電子功率模塊、碳化硅器件封裝等，能夠顯著提高這些器件的可靠性、效率和壽命。

值得關(guān)注的是，清連科技本輪融資新增股東之一的哈勃科技（哈勃科技創(chuàng)業(yè)投資有限公司）為華為投資控股有限公司全資子公司，投資領(lǐng)域?yàn)榈谌雽?dǎo)體（碳化硅）、EDA工具、芯片設(shè)計(jì)、激光設(shè)備、半導(dǎo)體核心材料等多個(gè)領(lǐng)域。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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source：晶盛機(jī)電

據(jù)介紹，晶盛機(jī)電圍繞硅、藍(lán)寶石、碳化硅三大主要半導(dǎo)體襯底材料開(kāi)發(fā)了一系列關(guān)鍵設(shè)備并延伸至化合物襯底材料領(lǐng)域，賦能全球半導(dǎo)體及光伏等產(chǎn)業(yè)。此前，晶盛機(jī)電已于2016年成立晶盛機(jī)電日本株式會(huì)社，開(kāi)啟半導(dǎo)體裝備國(guó)際化研發(fā)之路，并與普萊美特日本株式會(huì)社共同設(shè)立了合資公司，逐步在全球構(gòu)建起研發(fā)和供應(yīng)鏈網(wǎng)絡(luò)。

據(jù)悉，晶盛機(jī)電正在持續(xù)拓展海外市場(chǎng)。10月23日晚間，晶盛機(jī)電公布了2024年第三季度報(bào)告。晶盛機(jī)電表示，報(bào)告期內(nèi)，其碳化硅材料實(shí)現(xiàn)8英寸產(chǎn)能的快速爬坡，并拓展了海外客戶。

今年以來(lái)，除晶盛機(jī)電外，國(guó)內(nèi)碳化硅相關(guān)廠商加速出海步伐，并各自取得了一定的進(jìn)展。

3月22日，據(jù)高測(cè)股份官微消息，其8英寸半導(dǎo)體金剛線切片機(jī)再簽新訂單，設(shè)備交付后將發(fā)往歐洲某半導(dǎo)體企業(yè)，這是高測(cè)股份半導(dǎo)體設(shè)備收獲的首個(gè)海外客戶。

而在4月，世紀(jì)金芯與日本某客戶簽訂碳化硅襯底訂單。按照協(xié)議約定，世紀(jì)金芯將于2024年、2025年、2026年連續(xù)三年向該客戶交付8英寸碳化硅襯底共13萬(wàn)片，訂單價(jià)值約2億美元（約14.57億人民幣）。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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在此背景下，國(guó)內(nèi)外功率器件大廠圍繞碳化硅芯片開(kāi)始了新一輪角逐，市場(chǎng)上不時(shí)傳出各類利好消息。近日，美國(guó)商務(wù)部表示，已與德國(guó)汽車零部件供應(yīng)商博世（Bosch）達(dá)成初步協(xié)議，將為博世在加州的碳化硅功率半導(dǎo)體工廠興建計(jì)劃，提供多達(dá)2.25億美元（約16.38億人民幣）的補(bǔ)貼。

據(jù)悉，美國(guó)商務(wù)部將以這筆補(bǔ)貼支持博世將在加州羅斯維爾市（Roseville）投資19億美元（約138.33億人民幣），把制造設(shè)施轉(zhuǎn)型為生產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體工廠的計(jì)劃。博世預(yù)期，這座半導(dǎo)體工廠2026年起將以200毫米（8英寸）晶圓生產(chǎn)芯片。美國(guó)商務(wù)部稱，博世這座工廠產(chǎn)能全開(kāi)時(shí)，在全美碳化硅芯片制造產(chǎn)能中的占比將超過(guò)40%。

博世持續(xù)蓄力碳化硅

隨著碳化硅在汽車電子領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)逐步顯現(xiàn)，作為全球第一大汽車零部件及系統(tǒng)供應(yīng)商，博世早在2019年就開(kāi)始探索碳化硅車用業(yè)務(wù)。

2021年底，博世開(kāi)始在德國(guó)羅伊特林根工廠大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅芯片，以應(yīng)用于電動(dòng)和混動(dòng)汽車的電力電子器件中。目前，博世針對(duì)該工廠的規(guī)劃已經(jīng)過(guò)多次修改，投資金額和產(chǎn)能不能提升。

近年來(lái)，博世在全球范圍內(nèi)持續(xù)加碼碳化硅布局，尤其是中國(guó)和美國(guó)兩個(gè)大市場(chǎng)。

隨著中國(guó)新能源汽車市場(chǎng)的火熱發(fā)展，博世在2023年1月12日與蘇州工業(yè)園區(qū)管理委員會(huì)簽署投資協(xié)議，并宣布在蘇州投資建立博世新能源汽車核心部件及自動(dòng)駕駛研發(fā)制造基地。

據(jù)悉，博世計(jì)劃在未來(lái)幾年內(nèi)累計(jì)向該項(xiàng)目投資約70億人民幣。項(xiàng)目研發(fā)生產(chǎn)方向則將圍繞新能源汽車核心部件，包括商用車電動(dòng)化所需的配備了新一代碳化硅功率模塊單元的電驅(qū)產(chǎn)品。

隨后在2023年8月，博世表示，其已經(jīng)收購(gòu)了加州芯片制造商TSI Semiconductors，將在美國(guó)建立碳化硅芯片制造基地。隨著博世在美國(guó)獲得補(bǔ)貼，并開(kāi)始碳化硅芯片工廠建設(shè)計(jì)劃，該公司碳化硅芯片產(chǎn)能有望進(jìn)一步提升。

值得關(guān)注的是，博世位于加州羅斯維爾市的碳化硅工廠將生產(chǎn)8英寸碳化硅芯片，將推動(dòng)博世成為碳化硅功率器件領(lǐng)域又一家轉(zhuǎn)型8英寸的廠商。

8英寸碳化硅芯片投產(chǎn)潮來(lái)襲

TrendForce集邦咨詢認(rèn)為，碳化硅從6英寸升級(jí)到8英寸，襯底的加工成本有所增加，但可以提升芯片產(chǎn)量，8英寸能夠生產(chǎn)的芯片數(shù)量約為6英寸碳化硅晶圓的1.8倍，向8英寸轉(zhuǎn)型，是降低碳化硅器件成本的可行之法。同時(shí)，8英寸襯底厚度增加有助于在加工時(shí)保持幾何形狀，減少邊緣翹曲度，降低缺陷密度，從而提升良率，采用8英寸襯底能夠大幅降低單位綜合成本。

由于8英寸有利于降低碳化硅器件成本，在碳化硅產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)日趨激烈的情況下，包括意法半導(dǎo)體、英飛凌、安森美等國(guó)際功率器件大廠以及士蘭微、方正微電子等國(guó)內(nèi)廠商都在致力于通過(guò)8英寸轉(zhuǎn)型降本增效，提升競(jìng)爭(zhēng)力。

國(guó)際廠商方面，作為全球碳化硅襯底龍頭，Wolfspeed是目前少有的已量產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓的廠商。今年6月Wolfspeed曾表示，其位于美國(guó)紐約的莫霍克谷8英寸碳化硅晶圓工廠的利用率達(dá)到了20%。

意法半導(dǎo)體則計(jì)劃在2025年將碳化硅產(chǎn)品全面升級(jí)為8英寸。為達(dá)成這一目標(biāo)，意法半導(dǎo)體與三安光電合資在重慶建設(shè)8英寸碳化硅器件廠，目前8英寸碳化硅芯片產(chǎn)線正在安裝調(diào)試中，預(yù)計(jì)2025年完成階段性建設(shè)并逐步投產(chǎn)。

英飛凌則在今年8月宣布其位于馬來(lái)西亞居林的8英寸碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠一期項(xiàng)目正式啟動(dòng)運(yùn)營(yíng)，預(yù)計(jì)2025年可實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)。

安森美位于韓國(guó)富川的碳化硅晶圓廠已于2023年完成擴(kuò)建，計(jì)劃于2025年完成相關(guān)技術(shù)驗(yàn)證后過(guò)渡到8英寸生產(chǎn)，屆時(shí)產(chǎn)能將擴(kuò)大到當(dāng)前規(guī)模的10倍。

羅姆在日本福岡縣筑后工廠的碳化硅新廠房已于2022年開(kāi)始量產(chǎn)6英寸晶圓，后續(xù)將切換為8英寸晶圓產(chǎn)線。按照羅姆的規(guī)劃，其預(yù)計(jì)在2025年量產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓。

為順應(yīng)8英寸轉(zhuǎn)型趨勢(shì)，三菱電機(jī)位于熊本縣正在建設(shè)的8英寸碳化硅晶圓廠將提前開(kāi)始運(yùn)營(yíng)。該工廠的運(yùn)作日期將從2026年4月變更為2025年11月。

國(guó)內(nèi)企業(yè)中，士蘭微8英寸碳化硅功率器件項(xiàng)目已進(jìn)入土方工程收尾階段，一期項(xiàng)目預(yù)計(jì)將于2025年三季度末初步通線，四季度試生產(chǎn)；芯聯(lián)集成擁有一條8英寸碳化硅晶圓試驗(yàn)線，其8英寸碳化硅晶圓工程批已于今年4月20日下線，計(jì)劃今年四季度正式開(kāi)始向客戶送樣，2025年進(jìn)入規(guī)模量產(chǎn)；方正微電子當(dāng)前有兩個(gè)Fab，其中，F(xiàn)ab2的8英寸碳化硅晶圓生產(chǎn)線預(yù)計(jì)將于2024年底通線。

從上述各大廠商的8英寸發(fā)展規(guī)劃可以看出，2025年有望成為8英寸碳化硅器件密集投產(chǎn)期，進(jìn)而推動(dòng)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈全面進(jìn)入8英寸時(shí)代。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

此前，鐳赫技術(shù)曾在2023年12月完成千萬(wàn)級(jí)人民幣天使輪融資，由東方富海獨(dú)家投資。本輪融資資金主要用于購(gòu)買設(shè)備零部件、建設(shè)廠房以及擴(kuò)充團(tuán)隊(duì)。

公開(kāi)資料顯示，鐳赫技術(shù)由王巖松博士和Philippe GASTALDO博士于2022年創(chuàng)立，是一家結(jié)合了歐洲技術(shù)基礎(chǔ)與國(guó)內(nèi)本地化團(tuán)隊(duì)而成的新興半導(dǎo)體前道檢測(cè)量測(cè)設(shè)備供應(yīng)商。

目前，鐳赫技術(shù)已完成檢測(cè)系列所有設(shè)備的內(nèi)部開(kāi)發(fā)，覆蓋12英寸硅片、碳化硅（SiC）及先進(jìn)封裝等方面，共推出七款檢測(cè)設(shè)備，涵蓋檢測(cè)系列各品類，覆蓋多種尺寸和材料。

在量測(cè)設(shè)備方面，鐳赫技術(shù)計(jì)劃在2025年一季度開(kāi)始進(jìn)行測(cè)試，預(yù)計(jì)明年上半年完成全部檢測(cè)量測(cè)設(shè)備的首測(cè)，各類設(shè)備驗(yàn)證時(shí)間到2025年年終，此后實(shí)現(xiàn)各類設(shè)備批量生產(chǎn)。

近期，除鐳赫技術(shù)外，國(guó)內(nèi)還有多家碳化硅檢測(cè)量測(cè)設(shè)備相關(guān)廠商完成了新一輪融資，顯示了設(shè)備賽道的火熱發(fā)展，其中包括國(guó)科測(cè)試、忱芯科技等。

10月29日，據(jù)天眼查披露消息，第三代半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備企業(yè)蘇州國(guó)科測(cè)試科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱：國(guó)科測(cè)試）近日完成數(shù)千萬(wàn)元人民幣A輪融資，由鑫霓資產(chǎn)獨(dú)家投資，本輪融資資金將會(huì)用于批量產(chǎn)業(yè)化、人才建設(shè)、晶圓AOI研發(fā)和市場(chǎng)開(kāi)拓。

國(guó)科測(cè)試在蘇州總部有6000多平米的生產(chǎn)基地，專注于第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域電學(xué)檢測(cè)系統(tǒng)及機(jī)器視覺(jué)設(shè)備的智能制造。

12月3日，據(jù)忱芯科技官微消息，碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體測(cè)試裝備提供商忱芯科技近期已完成B輪融資，金額為2億元，本輪融資由國(guó)投創(chuàng)業(yè)領(lǐng)投，陽(yáng)光融匯和老股東火山石投資跟投。本輪融資資金將主要用于公司前瞻產(chǎn)品研發(fā)、新產(chǎn)品量產(chǎn)及全球化業(yè)務(wù)布局。

目前，忱芯科技的碳化硅功率半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)產(chǎn)品線涵蓋了碳化硅基功率半導(dǎo)體器件的測(cè)試環(huán)節(jié)，覆蓋功率半導(dǎo)體晶圓級(jí)測(cè)試、芯片級(jí)測(cè)試、單管/模塊級(jí)測(cè)試和系統(tǒng)級(jí)測(cè)試。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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從技術(shù)趨勢(shì)分析，第三季SiC（碳化硅）逆變器滲透率較前一季微增1%，但較去年同期下降2%。值得關(guān)注的是，中國(guó)市場(chǎng)貢獻(xiàn)全球約65%的SiC逆變器裝機(jī)量，盡管其核心零件的功率模塊仍由國(guó)際半導(dǎo)體廠商主導(dǎo)，但“國(guó)產(chǎn)替代”策略正在推動(dòng)本土廠商實(shí)現(xiàn)突破，未來(lái)可能挑戰(zhàn)國(guó)際企業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)地位。

在一級(jí)供應(yīng)商的競(jìng)爭(zhēng)格局上，比亞迪受益于旗下車型熱銷，第三季牽引逆變器裝機(jī)市占率季增1%，達(dá)18%，首度超越日廠Denso，成為市占率最高的公司。匯川技術(shù)的市占率亦提升至6%，顯示出中國(guó)廠商在該領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力持續(xù)增強(qiáng)?？傮w而言，中國(guó)廠商、日本廠商和Tesla合計(jì)占據(jù)全球裝機(jī)量的一半，而歐美廠商影響力則逐漸減弱。

TrendForce集邦咨詢表示，牽引逆變器區(qū)域的分化日益明顯，中國(guó)市場(chǎng)裝機(jī)量占全球總量的61%，歐洲則在市場(chǎng)萎縮的壓力下積極改革，削減支出以提升電動(dòng)車產(chǎn)業(yè)鏈的競(jìng)爭(zhēng)力。短期內(nèi)，中國(guó)市場(chǎng)的穩(wěn)定需求將繼續(xù)支撐牽引逆變器市場(chǎng)的增長(zhǎng)。長(zhǎng)期來(lái)看，歐洲汽車產(chǎn)業(yè)鏈若能成功實(shí)施改革，將有助于提振全球牽引逆變器與電動(dòng)車市場(chǎng)的整體表現(xiàn)。來(lái)源：TrendForce集邦咨詢

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