英諾賽科發(fā)布三款GaN驅動器產品

5月30日，據英諾賽科官微消息，其宣布推出三款GaN驅動器產品，分別是INS1001DE（單通道驅動器）、INS2001FQ（半橋驅動器）和INS2001W（半橋驅動器），可廣泛應用于數據中心、汽車電子、電池化成、太陽能微逆、馬達驅動等多個領域。

source：英諾賽科

其中，單通道GaN驅動器INS1001DE與行業(yè)同類型產品對比，輸入電壓更寬（6V-20V），驅動能力更強（1.3Ω上拉/0.5Ω下拉電阻），保護功能更多（欠壓/過壓/過溫保護）；100V半橋GaN驅動器INS2001FQ/INS2001W與行業(yè)同類型產品對比，VCC靜態(tài)電流更低（35uA），驅動能力更強（1Ω上拉/0.2Ω下拉電阻），傳輸延遲更短（14ns），延遲匹配更優(yōu)（1ns）。

另據英諾賽科官微消息，5月16日，英諾賽科宣布推出700V GaN合封系列新品ISG610xQA，該系列產品針對消費類電子領域定制開發(fā)，具備超高集成度，支持45W/60W/100W/140W等手機、平板、筆記本快充應用。

該系列產品集成了700V/140mΩ-450mΩ GaN功率器件，具備自適應驅動電路，無損電流采樣，以及眾多保護功能；具備零反向恢復電荷，2MHz高開關頻率，高達80V輸入電壓和115uA低靜態(tài)電流等特性。

CGD推出新款低熱阻GaN功率IC封裝

6月4日，據CGD官微消息，其今日推出兩款新型ICeGaN產品系列GaN功率IC封裝，具有低熱阻并便于光學檢查。這兩種封裝均采用經過驗證的DFN封裝，堅固可靠。

source：劍橋氮化鎵器件

其中，DHDFN-9-1（雙散熱器DFN）是一種薄的雙面冷卻封裝，外形尺寸僅為10x10mm，并采用側邊可濕焊盤技術，便于光學檢查。它具有低熱阻（Rth(JC)），可采用底部、頂部和雙側冷卻方式運行，在設計上具有靈活性。在頂部尤其是雙側冷卻配置中，性能優(yōu)于常用的TOLT封裝。DHDFN-9-1封裝采用雙極引腳設計，有助于優(yōu)化PCB布局和簡單并聯。

BHDFN-9-1（底部散熱器DFN）是一種底部冷卻式組件，同樣采用側邊可濕焊盤技術，便于光學檢查，其熱阻為0.28K/W。BHDFN的外形尺寸為10x10mm，雖然比常用的TOLL封裝更小，但具有相似封裝布局，因此也可以使用TOLL封裝的GaN功率IC進行通用布局，便于使用和評估。

CGD產品市場營銷經理Nare Gabrielyan表示，ICeGaN產品系列GaN功率IC適用于服務器、數據中心、逆變器/電機驅動器、微型逆變器和其他工業(yè)應用，能夠帶來更高的功率密度和效率。

另據CGD官微消息，5月30日，CGD與中國臺灣綠能與環(huán)境研究所（ITRI）簽署了諒解備忘錄，在為USB-PD適配器開發(fā)高性能GaN解決方案方面加強合作。

據悉，USB-PD適配器是GaN市場上首類商用化產品，也是CGD和ITRI首次合作瞄準的領域。雙方合作協議涵蓋了為電動汽車、電動工具、筆記本電腦和手機應用開發(fā)功率密度超過30W/in3的電源解決方案，功率范圍140-240W。（來源：劍橋氮化鎵器件、英諾賽科，集邦化合物半導體整理）

圖片來源：拍信網正版圖庫

CGD與ITRI簽署GaN電源開發(fā)諒解備忘錄

5月30日，Cambridge GaN Devices（CGD）與中國臺灣綠能與環(huán)境研究所（ITRI）簽署了諒解備忘錄，在為USB-PD適配器開發(fā)高性能 GaN 解決方案方面加強合作。

CGD首席商務官Andrea Bricconi表示，CGD 將于6月在紐倫堡舉行的PCIM展會上展示部分 ITRI 的電路板設計。通過利用CGD獨特的IC芯片架構和ITRI的專利設計，這些設計實現了縮小應用尺寸、高能效、高功率密度，提高了競爭力。

ITRI商用電源設計團隊負責人Wen-Tien Tsai表示，CGD的IC增強型GaN ICeGaN系列產品提高了易用性，促進了智能溫度控制，并提高了柵極可靠性。

據悉，USB-PD適配器是GaN市場上首類商用化產品，也是CGD和ITRI首次合作瞄準的領域。雙方合作協議涵蓋了為電動汽車、電動工具、筆記本電腦和手機應用開發(fā)功率密度超過30W/in3的電源解決方案，功率范圍140-240W。

資料顯示，CGD是一家無晶圓廠環(huán)?？萍及雽w公司，開發(fā)了一系列高能效GaN功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。

佳恩半導體與西安電子科技大學達成戰(zhàn)略合作

5月28日，青島佳恩半導體有限公司（以下簡稱佳恩半導體）與西安電子科技大學戰(zhàn)略合作簽約儀式在青島舉行。

此次合作，雙方將共同研究開展GaN功率器件結構設計與特性仿真，獲得器件優(yōu)化結構及參數，基于GaN器件制造平臺開展器件核心工藝實驗研究、工藝參數優(yōu)化及器件樣品研制，針對GaN功率器件特點，開展器件仿真研究，揭示器件特性與結構的內在關聯，開展GaN功率器件的柵結構及柵金屬、歐姆接觸、鈍化層等核心工藝研究。

作為一家功率半導體技術設計公司，佳恩半導體致力于高端半導體功率器件的設計、開發(fā)、制造及銷售，擁有IGBT、MOSFET和FRD等功率半導體芯片的設計和工藝集成技術，并建有IGBT產品性能測試、應用及可靠性試驗室。

產品方面，佳恩半導體自主研發(fā)的產品涵蓋了600V-1200V IGBT芯片、500V-1500V MOS芯片、400V-1200V FRD芯片。

終端應用方面，佳恩半導體研發(fā)的產品被廣泛應用于變頻器、高鐵配套設施、工業(yè)逆變控制、無刷電機驅動、電焊機、電磁感應加熱、UPS、汽車充電樁及消費類開關電源等領域。（集邦化合物半導體Zac整理）

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