利用氣體供應(yīng)原料,在基板上制造晶體,可以減少設(shè)備的維護(hù)頻率,也可以降低運(yùn)營(yíng)成本。
日本酸素正在將制作設(shè)備商用化,做到隨時(shí)可向客戶供貨。
這種作方法屬于“有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積(MOCVD)法”,通過(guò)在密閉裝置內(nèi)充滿氣體狀原料,在基板上制造出GaO的晶體。該方法與現(xiàn)有的氫化物氣相外延(HVPE)制法相比,可以制作更高頻率器件。
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據(jù)悉,GaO的耐壓性超過(guò)SiC和GaN這兩種材料,其可以在降低電力轉(zhuǎn)換時(shí)的損耗。GaO有望用于純電動(dòng)汽車(EV)、白色家電及光伏發(fā)電等領(lǐng)域。
并且,其彌補(bǔ)了傳統(tǒng)的氫化物氣相外延法,難以與高電子遷移率晶體管所需的鋁進(jìn)行混晶的缺點(diǎn)。GaO晶體除了可以用于制造功率元件,還可以制作“高電子遷移率晶體管(HEMT)”,供通訊設(shè)備使用。
與原先的方法相比,東京農(nóng)工大等團(tuán)隊(duì)通過(guò)MOCVD方法,將GaO晶體的生長(zhǎng)速度提高至每小時(shí)約16微米,速度提升了16倍。東京農(nóng)工大學(xué)教授熊谷義直表示:“MOCVD方法與HVPE方法屬于并列關(guān)系”。
目前,已經(jīng)有幾家企業(yè)實(shí)現(xiàn)了實(shí)用化,根據(jù)富士經(jīng)濟(jì)提供的數(shù)據(jù)顯示,到2023年GaO市場(chǎng)可達(dá)到470億日元(折合人民幣約23.1億)。
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