據(jù)介紹，該平臺的核心是0.12μm柵極RF GaN HEMT技術(shù)，該技術(shù)結(jié)合了多項改進(jìn)，以增強(qiáng)直流和射頻的耐用性，并增加芯片級防潮性。NP12-0B集成了多項晶體管改進(jìn)，在深度飽和/高壓縮脈沖和連續(xù)波條件下運(yùn)行時具備高耐用性。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

這種新的耐用技術(shù)通過消除在GaN HEMT功率放大器中觀察到的脈沖下降現(xiàn)象，從而提高了脈沖模式雷達(dá)系統(tǒng)的范圍和靈敏度。此外，NP12-0B還提供增強(qiáng)型防潮性選項，在塑料封裝中使用時具有出色的耐濕性。

NP12-0B平臺支持全MMIC，允許客戶開發(fā)適用于50GHz以下應(yīng)用的緊湊型脈沖或CW飽和功率放大器。該工藝適用于28V工作電壓，在29GHz頻段可產(chǎn)生4.5 W/mm的飽和輸出功率，線性增益為12 dB，功率附加效率超過40%。NP12-0B技術(shù)非常適合用于先進(jìn)雷達(dá)系統(tǒng)的堅固型脈沖模式高功率放大器。

NP12-0B鑒定測試已經(jīng)完成，最終建模/PDK生成預(yù)計將于2024年8月完成，并計劃于2024年第三季度末發(fā)布完整的生產(chǎn)版本。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty編譯）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。