公開資料顯示，日本礙子成立于1919年5月5日，主要業(yè)務(wù)包括制造和銷售汽車尾氣凈化所需的各種工業(yè)用陶瓷產(chǎn)品、電子及電氣設(shè)備用陶瓷產(chǎn)品、特殊金屬產(chǎn)品、蓄電系統(tǒng)、絕緣子和電力相關(guān)設(shè)備等。

6英寸SiC晶圓（source：日本礙子）

除了展示8英寸SiC晶圓以外，日本礙子還將披露“在多種襯底上生長低BPD密度4H-SiC單晶的新方法”。

日本礙子表示，減少SiC襯底中的BPD是提高SiC功率器件產(chǎn)量和可靠性的重要手段。公司開發(fā)出了一種工藝，利用其陶瓷加工技術(shù)在多個襯底上生長具有低BPD密度的4H-SiC晶體。今年3月，日本礙子表示，通過該工藝，其完成了在4英寸4H-SiC籽晶上同時生長了9個晶體的實驗。

除了碳化硅，日本礙子在氮化鎵（GaN）方面也有布局。

早在2012年，日本礙子便在其他研究機構(gòu)的協(xié)助下，在開發(fā)出來的GaN晶圓上制造了LED元件，并進(jìn)行了發(fā)光性能試驗。據(jù)介紹，日本礙子的GaN晶片采用其專有的液相晶體生長法生產(chǎn)，整個晶圓表面的BPD密度大幅降低。

目前，日本礙子已開發(fā)出用于激光二極管等光源器件的2英寸GaN晶圓的量產(chǎn)結(jié)構(gòu)。日本礙子現(xiàn)正開發(fā)射頻器件和功率器件應(yīng)用，努力進(jìn)一步增大直徑并降低位錯密度，旨在早日開發(fā)出量產(chǎn)結(jié)構(gòu)。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

Wolfspeed的莫霍克谷SiC晶圓廠的晶圓開工利用率已達(dá)到20%，Wolfspeed表示，這是公司努力滿足對SiC功率器件日益增長的需求的關(guān)鍵一步。

莫霍克谷SiC晶圓廠(source：Wolfspeed）

此外，Wolfspeed的Building 10 Materials工廠已實現(xiàn)其8英寸晶圓的生產(chǎn)目標(biāo)，預(yù)計到2024年底，莫霍克谷晶圓廠可借此將晶圓開工利用率提升至約25%。后續(xù)，Wolfspeed計劃在8月份的2024財年第四季度財報電話會議上向市場更新其對莫霍克谷的下一個利用里程碑。

Wolfspeed指出，這座位于莫霍克谷的工廠是世界上第一個全自動8英寸SiC工廠，與Wolfspeed市場領(lǐng)先的8英寸SiC材料生產(chǎn)相結(jié)合，鞏固了Wolfspeed作為目前唯一一家完全垂直整合的大規(guī)模8英寸SiC制造商的競爭地位。

此外，Wolfspeed位于北卡羅來納州錫勒市的John Palmour制造中心（“JP”）建成后將成為世界上最大、最先進(jìn)的SiC材料工廠，在垂直施工開始后不到一年的時間里，該中心已安裝并啟動了初始熔爐。因此，該設(shè)施將按計劃在2024年8月初之前獲得晶體認(rèn)證。這一進(jìn)度增強了公司的信心，認(rèn)為其有能力在2025年夏季之前向莫霍克谷交付晶圓。

Wolfspeed還表示，其達(dá)勒姆6英寸器件工廠發(fā)生了一起設(shè)備事故，這導(dǎo)致在故障修復(fù)期間產(chǎn)能有所下降。目前生產(chǎn)已經(jīng)恢復(fù)，公司預(yù)計達(dá)勒姆6英寸器件工廠的產(chǎn)能利用率將在8月份恢復(fù)到先前的目標(biāo)水平。公司預(yù)計第四季度的收入不會受到影響，但由于生產(chǎn)中斷，預(yù)計第四季度會受到利用率不足的影響，并產(chǎn)生其他成本。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty編譯）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

source：英飛凌

英飛凌計劃于今年8月正式啟用居林Module 3廠區(qū)，并于2024年底開始生產(chǎn)SiC。據(jù)了解，該晶圓廠總投資為70億歐元，其也是馬來西亞政府1000億美元計劃的核心。

目前，SiC產(chǎn)線的生產(chǎn)設(shè)備正在安裝中，晶圓廠氣體的設(shè)計可適應(yīng)新型設(shè)備、產(chǎn)量和結(jié)構(gòu)要求。
報道稱，英飛凌和Wolfspeed將爭奪全球最大的8英寸SiC晶圓廠的頭銜，但雙方都沒有披露具體產(chǎn)能計劃。

而在不久前，意法半導(dǎo)體宣布將在意大利卡塔尼亞（Catania）投資50億歐元，建造全球首個綜合碳化硅晶圓工廠。該工廠以8英寸工藝為基礎(chǔ)，計劃于2026年開始生產(chǎn)，并于2030年滿負(fù)荷運行。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty編譯）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

source：優(yōu)睿譜

據(jù)介紹，優(yōu)睿譜本次推出的SICE200設(shè)備可兼容6&8英寸碳化硅&硅襯底和外延晶圓邊緣檢測，也適用于其他化合物襯底及外延晶圓的邊緣缺陷檢測；可同時實現(xiàn)對晶圓360°檢測；擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的光機系統(tǒng)可實現(xiàn)高分辨率、高檢出率及高檢測速率……

除了SICE200，針對碳化硅，優(yōu)睿譜半導(dǎo)體于2023年推出了碳化硅襯底晶圓位錯及微管檢測設(shè)備SICD200和晶圓電阻率量測設(shè)備SICV200。SID200可實現(xiàn)碳化硅位錯檢測的整片晶圓全檢測，并已獲境外顧客訂；SICV200可用于硅片電阻率、碳化硅或其它半導(dǎo)體材料摻雜濃度的測量，已得到多家客戶的訂單。

半導(dǎo)體量檢測設(shè)備是芯片生產(chǎn)的核心設(shè)備之一，貫穿整個芯片的生產(chǎn)過程，對保證芯片良率起著關(guān)鍵作用。

值得一提的是，同為半導(dǎo)體量檢測設(shè)備企業(yè)的蓋澤科技也于近日完成了新一輪融資。

天眼查顯示，在一年左右的時間里，蓋澤科技已完成3輪融資。

據(jù)悉，蓋澤科技已完成12英寸大尺寸晶圓的Online晶圓量測技術(shù)，覆蓋FTIR膜厚量測技術(shù)、元素濃度計量技術(shù)等，可應(yīng)用于硅、碳化硅、氮化鎵、砷化鎵、磷化銦等材料晶圓的量檢需求，目前已向多家央企、國企、上市晶圓公司等知名半導(dǎo)體企業(yè)交付，并用于碳化硅、硅晶圓外延層的批量量測中。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

公開資料顯示，Clas-SiC于2017年6月成立，是一家致力于碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造的開放式晶圓代工廠。該公司提供加速工藝研發(fā)和器件快速上市服務(wù)，并支持工藝和器件開發(fā)、取樣、直徑150 mm晶圓的中批量生產(chǎn)。

據(jù)外媒報道，Clas-SiC正在與幾家公司討論以技術(shù)合作伙伴的身份在印度建立一座或多座SiC功率半導(dǎo)體晶圓廠。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

據(jù)了解，該提案中涉及金額為7億美元，Zoho的預(yù)算約為2億美元（折合人民幣約14.5億元），并希望州和印度當(dāng)局再提供5億美元或6億美元（折合人民幣約36.2億元~43.5億元）資助，以建造200mm晶圓廠。

Zoho Corp.的聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Sridhar Vembu在近日參加活動期間表示：“我們已經(jīng)申請了許可證，正在等待政府批準(zhǔn)。一旦獲得批準(zhǔn)，我們將發(fā)布正式公告?！?/p>

當(dāng)被問及Clas-SiC將向Zoho提供制造工藝技術(shù)時，Clas-SiC首席財務(wù)官Scott Forrest表示：“我們正在與幾家公司討論在印度開展SiC制造業(yè)務(wù)。但由于討論的機密性，無法確認(rèn)任何公司的名字?！?/p>

除了Clas-SiC，其他向印度政府申請生產(chǎn)SiC許可證的公司包括總部位于欽奈的Archean Chemical Industries的子公司SiCSem，以及總部位于美國的Silicon Power Group的印度子公司RIR Power Electronics。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Morty編譯）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

公開資料顯示，SK Siltron CSS公司為SK Siltron集團旗下?lián)碛蠸iC材料產(chǎn)能的子公司，其前身為美國杜邦公司的SiC晶圓部門，2020年被SK Siltron所收購以支持該集團的電動汽車業(yè)務(wù)。

source：SK Siltron

據(jù)介紹，該項目在建設(shè)階段預(yù)計將創(chuàng)造多達(dá)200個建筑工作崗位，在位于密歇根州貝城的SK Siltron CSS工廠全面投產(chǎn)后，預(yù)計該工廠將躋身全球前五大SiC晶圓制造商之列，從而提升美國制造業(yè)的競爭力。

據(jù)了解，SiC半導(dǎo)體器件專為高壓使用而設(shè)計，是電動汽車動力系統(tǒng)（包括逆變器）和配電系統(tǒng)（如車載充電器和DC-DC轉(zhuǎn)換器）的關(guān)鍵部件。

自2021年以來，美國電動汽車銷量增長了4倍多，路上行駛的電動汽車數(shù)量超過450萬輛。電動汽車含有的半導(dǎo)體數(shù)量大約是內(nèi)燃機汽車的2倍。由于電動汽車市場預(yù)計在未來幾年將大幅增長，電車高壓架構(gòu)的采用將推動全球?qū)iC半導(dǎo)體的需求 。該項目將有助于滿足電動汽車日益增長的市場需求，并建立安全的技術(shù)供應(yīng)鏈。

與傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體相比，SiC半導(dǎo)體具有更高的效率和電壓，這意味著充電時間更快，續(xù)航時間最多可延長10%。然而，要最大限度地提高這些性能，就必須使用高質(zhì)量的SiC晶圓制造半導(dǎo)體。目前，高品質(zhì)晶圓供不應(yīng)求，而隨著2023年電動汽車銷量的空前增長，需求預(yù)計也將隨之上升。

如果LPO資助的項目順利完成，將幫助SK Siltron CSS利用其現(xiàn)有的2個位于密歇根的制造工廠來填補美國這一市場空白。擴建后的貝城工廠將使用奧本開發(fā)的技術(shù)來生產(chǎn)實現(xiàn)美國政府為達(dá)成電動汽車目標(biāo)所需的高質(zhì)量晶圓。

該貸款將通過LPO的先進(jìn)技術(shù)車輛制造 (ATVM) 貸款計劃提供，該計劃支持美國國內(nèi)先進(jìn)技術(shù)車輛、合格零部件和提高燃油經(jīng)濟性材料的制造。

雖然這一有條件的承諾表明該部門有意為該項目提供資金，但該公司必須滿足某些技術(shù)、法律、環(huán)境和財務(wù)條件，然后該部門才能簽訂最終的融資文件并為貸款提供資金。

值得一提的是，今年1月，英飛凌與SK Siltron CSS正式簽署了一項協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，SK Siltron CSS將向英飛凌提供6英寸SiC晶圓，用于SiC半導(dǎo)體的生產(chǎn)。下一階段，SK Siltron CSS將協(xié)助英飛凌向8英寸SiC晶圓過渡。

集邦化合物半導(dǎo)體Morty編譯

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

據(jù)了解， Clas-SiC是英國唯一的商業(yè)電力SiC晶圓廠，也是全球第一家專門的6英寸SiC晶圓代工廠，能夠生產(chǎn)SiC功率二極管和MOSFET，具有中低規(guī)模的SiC產(chǎn)能。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

前不久，該公司發(fā)生了人事變動，由Jen Walls接替Rae Hyndman 成為Clas-SiC新的首席執(zhí)行官。

公司執(zhí)行主席Carl Johnson表示：“我們相信Jen Walls和我們的高級管理團隊將成功領(lǐng)導(dǎo) Clas-SiC進(jìn)入公司發(fā)展和演變的下一個階段?！睋?jù)媒體報道，Jen Walls決定擴產(chǎn)可能與工廠的運營情況掛鉤——Clas-SiC 2024年70%的工廠產(chǎn)能已經(jīng)完成了分配。這種健康的訂單量在一定程度上讓高層管理認(rèn)為現(xiàn)在是擴張的正確時機。

Jen Walls指出，除了尋求投資擴產(chǎn)之外，他們正在開發(fā)用于MOSFET的3.3 kV工藝設(shè)計套件，未來將持續(xù)專注于新工藝開發(fā)。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Rick編譯）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

報道稱，意法半導(dǎo)體為維持其競爭力，擬自2024年起轉(zhuǎn)型升級至8英寸晶圓，并結(jié)合Soitec的SmartSiC技術(shù)，以提高效能，同時減少碳排放。同時，該公司積極提升產(chǎn)能、掌握內(nèi)部制造并與中國廠商三安光電合作，以期將SiC芯片相關(guān)營收由今年預(yù)期的12億美元（約85億人民幣）在2030年前提升至50億美元（約356億人民幣）。

其中，意法半導(dǎo)體與三安光電強強聯(lián)手曾在行業(yè)內(nèi)引發(fā)廣泛關(guān)注。今年6月7日，意法半導(dǎo)體和三安光電共同宣布，雙方已簽署協(xié)議，將在重慶建立一個新的8英寸SiC器件合資制造廠，投資總額預(yù)計達(dá)32億美元（約228億人民幣）。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

為了保障這項規(guī)模龐大的投資計劃順利實施，三安光電表示將利用自研SiC襯底工藝，單獨建造和運營一個新的8英寸SiC襯底制造廠，以滿足上述合資廠的襯底需求，這有助于合作方意法半導(dǎo)體加速向8英寸進(jìn)軍。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢分析，目前SiC產(chǎn)業(yè)以6英寸襯底為主，占據(jù)高達(dá)80%的市場份額，而8英寸襯底僅占1%，向更大的8英寸襯底過渡是進(jìn)一步降低SiC器件成本的關(guān)鍵策略。

8英寸SiC襯底比6英寸同類襯底具有明顯的成本優(yōu)勢，6英寸向8英寸升級是行業(yè)發(fā)展大趨勢，國內(nèi)爍科晶體、晶盛機電、南砂晶圓、同光股份、科友半導(dǎo)體、乾晶半導(dǎo)體等龍頭企業(yè)都在推進(jìn)8英寸SiC襯底的開發(fā)，從占總生產(chǎn)成本45%左右的襯底上實現(xiàn)降本后，SiC器件有望進(jìn)一步推廣普及，反哺各大廠商，形成良性循環(huán)。

不僅僅是國內(nèi)廠商，國際半導(dǎo)體巨頭英飛凌（Infineon Technologies)、安森美（Onsemi）等也都在積極搶食市場大蛋糕。其中，英飛凌已經(jīng)在工廠制備了第一批8英寸晶圓機械樣品，很快將它們轉(zhuǎn)化為電子樣品，并計劃在2030年之前大規(guī)模量產(chǎn)應(yīng)用，安森美、羅姆等國際器件大廠都制定了8英寸SiC晶圓的發(fā)展規(guī)劃。

目前，頭部廠商占據(jù)了超過90%的市場份額，競爭激烈，一旦步伐放緩，就可能讓追趕者有可乘之機。根據(jù)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，2022年SiC功率半導(dǎo)體主要廠商的市場份額占比TOP5分別是意法半導(dǎo)體（36.5%）、英飛凌（17.9%）、Wolfspeed（16.3%）、安森美（11.6%）、羅姆（8.1%），剩余廠商僅占9.6%。

意法半導(dǎo)體此次在意大利投資建廠，不僅能夠平衡集團在意法兩國布署，也有助于穩(wěn)固自身在SiC功率器件領(lǐng)域的優(yōu)勢。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

由此可見，英飛凌SiC晶圓的尺寸升級和產(chǎn)能建設(shè)都在穩(wěn)步推進(jìn)當(dāng)中，未來幾年，將實現(xiàn)較大進(jìn)展。

據(jù)Wawer介紹，在2001年，英飛凌比Cree早兩個月推出了首款SiC二極管。公司早期開發(fā)是圍繞JFET進(jìn)行的，因為柵極氧化物可靠性問題使公司認(rèn)為這是正確的出路。隨后SiC MOSFET面世，英飛凌在這方面起步較晚。

盡管Wawer認(rèn)為英飛凌在SiC MOSFET方面并非先行者，但在整個SiC賽道，英飛凌似乎進(jìn)展相當(dāng)迅速。SiC批量市場目前以1200V產(chǎn)品為主，但英飛凌目前已開發(fā)3300V SiC部件。而且英飛凌對公司在2025財年的SiC營收，將提前實現(xiàn)10億歐元的目標(biāo)充滿了信心。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

英飛凌的信心來源于多個方面，其中包括對SiC未來發(fā)展?jié)摿Φ母兄?、產(chǎn)能方面的大手筆擴建、將多個領(lǐng)域頭部客戶收入囊中、對未來市場份額的樂觀預(yù)估。

SiC未來發(fā)展?jié)摿薮笠殉蔀樾袠I(yè)共識。英飛凌預(yù)計在本十年內(nèi)，全球電網(wǎng)的年度投資將從3000億歐元增加到6000億歐元，而在這一領(lǐng)域，基于功率半導(dǎo)體的需求不斷增加，除IGBT外，現(xiàn)在客戶也在考慮SiC。同時，英飛凌還看到了火車牽引市場對SiC的需求，并正在向客戶提供第一個3.3kV模塊的樣品。

產(chǎn)能方面，英飛凌正在通過大幅擴建其Kulim工廠（在2022年2月宣布的原始投資之上）獲得更多產(chǎn)能，有消息稱，英飛凌將建造世界上最大的8英寸SiC功率芯片廠。值得一提的是，該擴建計劃得到了英飛凌客戶的大力支持，包括汽車和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域約50億歐元訂單合同以及約10億歐元的預(yù)付款，其中汽車領(lǐng)域客戶包括福特、上汽和奇瑞，可再生能源領(lǐng)域客戶包括SolarEdge和中國三大光伏和儲能系統(tǒng)公司，這表明客戶對英飛凌穩(wěn)健發(fā)展的信心。此外，英飛凌和施耐德電氣還就產(chǎn)能預(yù)留達(dá)成一致。

英飛凌預(yù)計，對于制造的投入將支持該公司在2030年前實現(xiàn)約30%的SiC市場份額目標(biāo)。

SiC與IGBT相比具有非常多的優(yōu)勢，比如SiC開關(guān)損失要比IGBT低得多。只不過，成本問題在一定程度上制約了SiC的推廣普及，但隨著8英寸逐步量產(chǎn)，成本問題會得到較好的緩解。正在向8英寸快速轉(zhuǎn)換的英飛凌，有望憑借降本增效占據(jù)更多市場份額。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

關(guān)于本次投資，市場方面早有相關(guān)消息傳出。今年9月底有報道稱，電裝、三菱電機等多家企業(yè)對投資Coherent的SiC業(yè)務(wù)感興趣，并且已經(jīng)就收購Coherent的SiC業(yè)務(wù)少數(shù)股權(quán)進(jìn)行過討論。

分拆SiC業(yè)務(wù)能夠給投資者提供更多投資機會，同時也是對SiC發(fā)展前景的看好，Coherent在10月10日宣布將成立一家子公司獨立運營SiC業(yè)務(wù)，更好地滿足電動汽車等下游市場對SiC的需求。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

與此同時，電裝、三菱電機已和Coherent簽訂長期供貨協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，電裝和三菱電機分別投資5億美元，取得Coherent新成立的SiC子公司各12.5%的非控股所有權(quán)，剩余75%股權(quán)由Coherent持有。Coherent將為電裝和三菱電機兩家公司供應(yīng)6/8英寸SiC襯底和外延片。

從市場消息傳出，到電裝正式官宣向Silicon Carbide LLC注資，僅僅一個多月時間，也是源于電裝對SiC發(fā)展?jié)摿Φ男判?，以期盡快完成提前鎖定關(guān)鍵產(chǎn)能的布局。在當(dāng)前SiC材料供不應(yīng)求的局面下，電裝戰(zhàn)略投資SiC材料供應(yīng)商，能夠為自身爭取更多的主動權(quán)和話語權(quán)。

目前，SiC功率元件在汽車電動化浪潮中已迎來黃金發(fā)展期，市場需求大爆發(fā)已在醞釀之中。

據(jù)TrendForce研究顯示，2022年全球SiC功率市場規(guī)模約16.1億美元，至2026年可達(dá)到53.3億美元，CAGR達(dá)35%。隨著越來越多車企開始將SiC技術(shù)引入電驅(qū)系統(tǒng)，以提高汽車?yán)m(xù)航里程并優(yōu)化整車架構(gòu)，電動汽車將成為推動SiC功率元件市場成長的核心驅(qū)動力。

（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。