12月17日,碳化硅(SiC)晶圓代工廠商X-fab推出了新一代XbloX平臺XSICM03。該平臺可推進SiC工藝技術(shù)在功率MOSFET的應(yīng)用,并顯著降低單元間距,從而在不影響可靠性的前提下增加了每片晶圓芯片數(shù)量并改善導(dǎo)通電阻。
source:X-fab
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X-fab推出新一代碳化硅MOS工藝平臺 |
作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2024 年 12 月 18 日 16:47 | 分類 功率 |