近日，羅姆（ROHM）宣布確立了一項(xiàng)超高速驅(qū)動(dòng)控制IC技術(shù)，利用該技術(shù)可更大程度地激發(fā)出GaN等高速開(kāi)關(guān)器件的性能。
Source：羅姆
近年來(lái)，GaN器件因其具有高速開(kāi)關(guān)的特性?xún)?yōu)勢(shì)而被廣泛采用，然而，如何提高控制IC（負(fù)責(zé)GaN器件的驅(qū)動(dòng)控制）的速度已成為亟需解決的課題。
在這種背景下，羅姆進(jìn)一步改進(jìn)了在電源IC領(lǐng)域確立的超高速脈沖控制技術(shù)“Nano Pulse Control”，成功地將控制脈沖寬度從以往的9ns提升至2ns，達(dá)到業(yè)界超高水平。通過(guò)將該技術(shù)應(yīng)用在控制IC中，又成功地確立了可更大程度激發(fā)GaN器件性能的超高速驅(qū)動(dòng)控制IC技術(shù)。
目前，羅姆正在推動(dòng)應(yīng)用該技術(shù)的控制IC產(chǎn)品轉(zhuǎn)化工作，計(jì)劃在2023年下半年開(kāi)始提供100V輸入單通道DC-DC控制器的樣品。通過(guò)將其與羅姆的“EcoGaN系列”等GaN器件相結(jié)合，將會(huì)為基站、數(shù)據(jù)中心、FA設(shè)備和無(wú)人機(jī)等眾多應(yīng)用實(shí)現(xiàn)顯著節(jié)能和小型化做出貢獻(xiàn)。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Amber整理）
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