10月24日，德州儀器（TI）宣布，其位于日本會津的工廠已開始生產(chǎn)基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導體。
隨著會津工廠的投產(chǎn)，加上德州達拉斯現(xiàn)有的氮化鎵生產(chǎn)基地，德州儀器內(nèi)部氮化鎵功率半導體的產(chǎn)能將增加四倍。
source：德州儀器
德州儀器技術(shù)和制造高級副總裁Mohammad Yunus表示：“德州儀器已成功認證了8英寸（200mm）氮化鎵技術(shù)，并開始在日本會津工廠進行大規(guī)模生產(chǎn)。到2030年，德州儀器內(nèi)部氮化鎵制造率將增長到95%以上，同時還可以從多個德州儀器工廠采購，確保公司整個氮化鎵半導體產(chǎn)品組合的供應(yīng)?！?/p>
德州儀器指出，氮化鎵作為硅的替代材料，在能效、開關(guān)速度、電源解決方案的尺寸和重量、整體系統(tǒng)成本以及高溫高壓條件下的性能等方面都具有優(yōu)勢。德州儀器依托新氮化鎵制造技術(shù)，正將氮化鎵芯片的拓展至更高的電壓——從900V開始并逐步提升至更高壓。
此外，德州儀器擴展投資還包括今年早些時候在12英寸（300mm）晶圓上成功開發(fā)氮化鎵制造工藝的試點。進一步來說，德州儀器擴大的氮化鎵制造工藝完全可轉(zhuǎn)移到12英寸技術(shù)，使公司能夠隨時根據(jù)客戶需求進行擴展，并在未來轉(zhuǎn)向12英寸。
值得一提的是，在12英寸氮化鎵方面，除了德州儀器，英飛凌今年9月就已宣布開發(fā)出全球首款12英寸功率氮化鎵晶圓。
據(jù)悉，12英寸晶圓與8英寸晶圓相比，每片能多生產(chǎn)2.3倍數(shù)量的芯片，技術(shù)和效率顯著提升。英飛凌表示，因為氮化鎵和硅的制造工藝非常相似，其12英寸氮化鎵技術(shù)的一大優(yōu)勢是可以利用現(xiàn)有的12英寸硅晶圓制造設(shè)備。后續(xù)，英飛凌將根據(jù)市場需求進一步擴大GaN產(chǎn)能。（集邦化合半導體Morty編譯）
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