國產(chǎn)8英寸SiC設(shè)備獲重大突破

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 06 月 28 日 17:11 | 分類 碳化硅SiC

昨日,晶盛機(jī)電表示已于近日成功研發(fā)出具有國際先進(jìn)水平的8英寸單片式碳化硅外延生長設(shè)備。

圖片來源:晶盛機(jī)電

8英寸碳化硅晶圓的邊緣損耗更小、可利用面積更大,未來通過產(chǎn)量和規(guī)模效益的提升,成本有望降低60%以上。為未來碳化硅材料大規(guī)模應(yīng)用提供低成本的先決條件。

晶盛機(jī)電稱,8英寸單片式碳化硅外延設(shè)備可兼容6、8英寸碳化硅外延生產(chǎn),在6英寸外延設(shè)備原有的溫度高精度閉環(huán)控制、工藝氣體精確分流控制等技術(shù)基礎(chǔ)上,解決了腔體設(shè)計(jì)中的溫場均勻性、流場均勻性等控制難題,實(shí)現(xiàn)了成熟穩(wěn)定的8英寸碳化硅外延工藝。

圖片來源:晶盛機(jī)電

公司在子公司晶瑞的8 英寸襯底基礎(chǔ)上,已實(shí)現(xiàn)8 英寸單片式碳化硅外延生長設(shè)備的自主研發(fā)與調(diào)試,外延的厚度均勻性1.5%以內(nèi)、摻雜均勻性4%以內(nèi),達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。為國內(nèi)碳化硅行業(yè)技術(shù)、產(chǎn)能升級提供充分的設(shè)備保障。

晶盛機(jī)電戰(zhàn)略定位先進(jìn)材料、先進(jìn)裝備市場,圍繞硅、藍(lán)寶石、碳化硅三大主要半導(dǎo)體材料開發(fā)一系列關(guān)鍵設(shè)備,業(yè)務(wù)同時(shí)延伸至化合物半導(dǎo)體材料領(lǐng)域。

碳化硅方面,據(jù)此前報(bào)道,晶盛機(jī)電8英寸N型SiC襯底將小批量生產(chǎn);公司已與客戶A形成采購意向(公司公告),2022年-2025年將優(yōu)先向其提供碳化硅襯底合計(jì)不低于23萬片;計(jì)劃在寧夏銀川建設(shè)年產(chǎn)40萬片6英寸以上導(dǎo)電+絕緣型碳化硅襯底產(chǎn)能,計(jì)劃于2022年試生產(chǎn)。

晶盛機(jī)電2023年第一季度報(bào)告營業(yè)收入為36億元,同比增長84.37%。歸屬于上市公司股東的凈利潤為8.87億元,同比增長100.43%。歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤為8.74億元,同比增長102.41%。(文:集邦化合物半導(dǎo)體 Amber整理)

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