據電子時報消息，英飛凌目前正在美國擴大碳化硅（SiC）器件的生產，該公司此前一直采購其它公司制造的碳化硅晶圓。有消息人士稱，英飛凌很可能未來在歐洲自行生產碳化硅晶體，以求供應穩(wěn)定。
近年來，英飛凌不斷擴大在SiC、GaN上的布局。
SiC方面，今年1月，英飛凌官網宣布，他們再一次與Resonac Co., Ltd.（原昭和電工株式會社）簽署了一項新的多年供應和合作協(xié)議。
根據新協(xié)議，Resonac將為英飛凌提供生產SiC半導體元器件的SiC材料，包括6英寸和8英寸外延片。初期將以6英寸為主，后期也將供應8英寸SiC外延片，為英飛凌向8英寸晶圓轉型提供充分的材料支撐。
5月，英飛凌宣布分別與天科合達和天岳先進簽訂了長期協(xié)議，以確保獲得更多而且具有競爭力的碳化硅材料供應。
圖片來源：拍信網正版圖庫
據悉，天科合達和天岳先進主要為英飛凌提供6英寸SiC襯底，同時還將提供8英寸SiC材料，助力英飛凌向8英寸SiC晶圓過渡。此外，協(xié)議還包括SiC晶錠。
同月，英飛凌還與鴻海集團已簽訂一份合作備忘錄，兩家公司將在電動車領域建立長期合作關系。
根據協(xié)議，雙方將聚焦于SiC技術在電動車大功率應用的導入，如：牽引逆變器、車載充電器以及直流轉換器等。此外，雙方還計劃在中國臺灣共同設立系統(tǒng)應用中心，以進一步擴大雙方的合作范圍。
GaN方面，今年3月，英飛凌和GaN Systems共同宣布，英飛凌擬以現(xiàn)金8.3億美金（約合人民幣57.27億元）收購GaN Systems，雙方已就此達成最終協(xié)議。不過，本次交易最終還取決于監(jiān)管部門的批準等慣例成交條件。
5月，據外媒報道，英飛凌宣布，將主導一個由45家合作伙伴共同參與的歐洲聯(lián)合科研項目，立足歐洲供應鏈，開發(fā)從芯片到模塊的集成氮化鎵 (GaN) 功率設計。據悉，該項目名稱為ALL2GaN，項目預算6000萬歐元，建設周期三年，旨在利用人工智能加強GaN功率技術的可持續(xù)性和安全供應鏈，聚焦于通過各種方式集成GaN芯片。
值得注意的是，在英飛凌的菲拉赫工廠開發(fā)的集成工具箱包括單獨的GaN分立元件、高性能GaN模塊、芯片設計和新穎的片上系統(tǒng)集成方法。（文：集邦化合物半導體 Arely整理）
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