Transphorm近日宣布，推出三款TOLL封裝的 SuperGaN FET，導通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置采用行業(yè)標準，這意味著TOLL封裝的SuperGaN功率管可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件還具備市場上主流的代工e-mode氮化鎵缺乏的高壓動態(tài)(開關)導通電阻可靠性。
source:Transphorm
據介紹，這三款表面貼裝型器件(SMD)可支持平均運行功率范圍為1至3千瓦的較高功率應用，這樣的電力系統(tǒng)常用于高性能領域，如計算（人工智能、服務器、電信、數據中心）、能源和工業(yè)（光伏逆變器、伺服電機）以及其他廣泛的工業(yè)市場。值得關注的是，該新型功率器件是目前快速發(fā)展的人工智能(AI)系統(tǒng)最佳解決方案，AI系統(tǒng)依賴于GPU，而GPU的功耗是傳統(tǒng)CPU的10到15倍。
該650V SuperGaN TOLL 封裝器件性能穩(wěn)健，且已獲得JEDEC資格認證。由于常閉型d-mode平臺是將GaN HEMT與低電壓硅管配對，因此，SuperGaN FET 可以簡單的選擇使用常用市售柵極驅動，應用于各種軟/硬開關的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 拓撲中，提高功率密度，同時減小系統(tǒng)尺寸、重量和總成本。
source:Transphorm
目前，各種高性能領域的主流客戶開始采用Transphorm的高功率氮化鎵器件，為其高性能系統(tǒng)提供電力支持，應用領域包括數據中心電源、高功率電競PSU、UPS和微型逆變器等。在核心SuperGaN芯片通過汽車行業(yè)(AEC-Q101)標準認證后，新型TOLL封裝器件也能夠用于電動汽車的DC-DC轉換器和車載充電器應用。
根據TrendForce集邦咨詢《2023全球GaN功率半導體市場分析報告》顯示，全球GaN功率元件市場規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長到2026年的13.3億美金，復合增長率高達65%。
許多廠商早已將目光轉向工業(yè)市場，其中數據中心為關鍵場景。ChatGPT已掀起AI云端服務器建置浪潮，GaN將助力數據中心降低運營成本，并提高服務器運行效率。
與此同時，汽車市場亦不容忽視，OEM與Tier1早已察覺GaN潛力所在，預計至2025年左右，GaN將小批量地滲透到低功率OBC和DC-DC中，再遠到2030年，OEM或考慮將該技術移入到牽引逆變器。
對于市場競爭格局，以去年GaN功率元件業(yè)務營收來看，市場基本由Power integrations、Navitas、英諾賽科、EPC、GaN Systems、Transphorm所占據。近期，Infineon完成了對GaN Systems的收購，這對目前市場競爭格局有何影響，還得看后續(xù)企業(yè)動作。
化合物半導體市場Rick整理
更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。