遙遙領(lǐng)先,SiC電驅(qū)平臺(tái)助力華為智界S7

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 11 月 10 日 17:00 | 分類 功率

昨日(11/9),華為攜手奇瑞發(fā)布智界S7電動(dòng)汽車,該車搭載了全新一代DriveONE 800V高壓SiC黃金動(dòng)力平臺(tái)。

據(jù)了解,全新一代DriveONE 800V高壓SiC黃金動(dòng)力平臺(tái)搭載了行業(yè)內(nèi)量產(chǎn)最高轉(zhuǎn)速的電機(jī)。這款電機(jī)的每分轉(zhuǎn)速高達(dá)22000轉(zhuǎn),使得車輛在加速和行駛過程中能夠獲得更強(qiáng)的動(dòng)力輸出和更高的響應(yīng)速度。

SiC作為第三代半導(dǎo)體材料,擁有高功率、耐高壓、耐高溫、高頻、低能耗的特性。通過采用高壓SiC技術(shù),華為將電機(jī)的最高效率提升到了98%。這意味著在相同的電量消耗下,華為的電機(jī)能夠提供更高的動(dòng)力輸出,從而為車輛帶來更好的加速性能和行駛效率。

該SiC平臺(tái)還展示了其環(huán)保和節(jié)能方面的優(yōu)勢(shì):通過采用SiC功率器件和優(yōu)化電機(jī)控制算法,這款動(dòng)力平臺(tái)能夠顯著降低電能消耗,提高能源利用效率。

近年來,為了提升消費(fèi)者的用車體驗(yàn),電動(dòng)車載平臺(tái)逐漸從400V轉(zhuǎn)向800V。相比于400V平臺(tái)而言,800V平臺(tái)的主要優(yōu)勢(shì)有兩點(diǎn):一是可以有效縮短充能時(shí)間,緩解用戶的充能焦慮;二是配合SiC技術(shù),能夠更叫高效利用系統(tǒng),起到節(jié)能增程的效果。

相比于傳統(tǒng)的Si材料,SiC擁有更高的耐壓以及導(dǎo)熱能力,可以滿足高電壓的需求,逐漸成為了800V平臺(tái)的首選材料。雖然目前SiC材料的產(chǎn)能受到技術(shù)上的限制,導(dǎo)致SiC功率器件成本較高,但其能通過自身的優(yōu)良性質(zhì)帶來超高的效率提升,從充能、續(xù)航等方面增強(qiáng)用戶的使用體驗(yàn),企業(yè)可以借此提升自己的競(jìng)爭(zhēng)力。所以,即便SiC材料以及元器件制造領(lǐng)域有著相對(duì)高的門檻,亦有不少的企業(yè)涉足其中。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢推出的《2023全球SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析報(bào)告》顯示,隨著Infineon、ON Semi等與汽車、能源業(yè)者合作項(xiàng)目明朗化,將推動(dòng)2023年整體SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)22.8億美元,年成長(zhǎng)41.4%。

與此同時(shí),受惠于下游應(yīng)用市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求,TrendForce集邦咨詢預(yù)期,至2026年SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)??赏_(dá)53.3億美元,其主流應(yīng)用仍倚重電動(dòng)汽車及可再生能源。

SiC作為未來材料,擁有著廣闊市場(chǎng),已經(jīng)吸引了諸多企業(yè)的目光。

雖然華為沒有直接參與SiC材料以及元器件的生產(chǎn),但是其在SiC領(lǐng)域早已展開行動(dòng)。據(jù)粗略統(tǒng)計(jì),華為通過旗下華為哈勃投資了SiC外延企業(yè)東莞天域、瀚天天成,襯底企業(yè)山東天岳、天科合達(dá),設(shè)備相關(guān)企業(yè)特思迪,材料相關(guān)企業(yè)德智新材。華為對(duì)SiC的投資基本覆蓋了整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈,這體現(xiàn)了華為對(duì)SiC的發(fā)展?jié)摿τ兄浞值男判摹?/p>

此次與華為合作的奇瑞汽車,在SiC領(lǐng)域亦有涉足。上個(gè)月,奇瑞汽車與SiC新興獨(dú)角獸企業(yè)長(zhǎng)飛先進(jìn)成功舉辦了“汽車芯片聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”戰(zhàn)略合作簽約儀式。未來,雙方將充分發(fā)揮各自領(lǐng)域的技術(shù)和資源優(yōu)勢(shì),在車規(guī)級(jí)芯片及其汽車應(yīng)用技術(shù)、市場(chǎng)開發(fā)等領(lǐng)域展開廣泛合作,助力國(guó)產(chǎn)車規(guī)級(jí)芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

此外,還有比亞迪、東風(fēng)、北汽、小鵬等諸多車企采用自研、合作或投資的方式進(jìn)入SiC領(lǐng)域,想要在SiC高速發(fā)展的時(shí)段,能夠依托其勢(shì),建立自身技術(shù)優(yōu)勢(shì),爭(zhēng)取更多市場(chǎng)份額。

化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)Morty整理

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