12月10日上午，科友半導體承擔的“8英寸碳化硅（SiC）襯底材料裝備開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究”項目階段驗收評審會在哈爾濱市松北區(qū)召開。評審專家組認為，科友半導體圓滿完成了計劃任務書2023年度階段任務，成功獲得了8英寸SiC單晶生長的新技術(shù)和新工藝，建立了SiC襯底生產(chǎn)的工藝流程，制定了相關(guān)工藝流程的作業(yè)指導書，一致同意項目通過階段驗收評審。
據(jù)悉，“8英寸SiC襯底材料裝備開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究”項目旨在推動8英寸SiC裝備國產(chǎn)化和SiC襯底產(chǎn)業(yè)化，獲得高性能8英寸SiC長晶裝備和低缺陷SiC襯底，具備批量制備能力并形成自主知識產(chǎn)權(quán)。
資料顯示，科友半導體成立于2018年5月，專注于半導體裝備研發(fā)、襯底制造、器件設(shè)計、技術(shù)轉(zhuǎn)移和科研成果轉(zhuǎn)化?？朴寻雽w致力于實現(xiàn)SiC從原材料提純-裝備制造-晶體生長-襯底加工-外延晶圓的材料端全產(chǎn)業(yè)鏈閉合，成為第三代半導體關(guān)鍵材料和高端裝備主要供應商。
近年來，科友半導體8英寸SiC襯底材料研發(fā)處于穩(wěn)步推進當中。2022年底，科友半導體通過自主設(shè)計制造的電阻長晶爐產(chǎn)出直徑超過8英寸的SiC單晶，晶體表面光滑無缺陷，最大直徑超過204mm。這是科友半導體繼2022年10月在6英寸SiC晶體厚度上實現(xiàn)40mm突破后，在SiC晶體生長尺寸和襯底尺寸上取得的又一次重大突破。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
隨后在2023年2月14日舉辦的寬禁帶半導體材料技術(shù)成果鑒定會上，科友半導體“8英寸SiC長晶設(shè)備及工藝”通過中國電子學會科技成果鑒定；4月，科友半導體8英寸SiC中試線正式貫通；9月，科友半導體首批自產(chǎn)8英寸SiC襯底成功下線，至此，科友半導體已初步具備8英寸SiC襯底量產(chǎn)能力。
據(jù)介紹，科友半導體通過提高原料及氣相組分比例穩(wěn)定性、維持長期生長的穩(wěn)定溫場和濃度場條件、調(diào)控晶體生長速率和均勻性，實現(xiàn)了高厚度、低應力6/8英寸SiC晶體穩(wěn)定制備，在6英寸晶體厚度超過40mm的基礎(chǔ)上，8英寸晶體直徑超過210mm，厚度目前穩(wěn)定在15mm以上。
在進行技術(shù)研發(fā)的同時，科友半導體同步推進產(chǎn)能建設(shè)。目前，科友半導體第三代半導體產(chǎn)學研聚集區(qū)一期工程已投入生產(chǎn)，達產(chǎn)后可年產(chǎn)10萬片6英寸SiC襯底；二期工程也已開工，建成后將實現(xiàn)年產(chǎn)導電型SiC襯底15萬片。按照發(fā)展規(guī)劃，未來兩年科友半導體將實現(xiàn)年產(chǎn)20萬片-30萬片SiC襯底產(chǎn)能。（集邦化合物半導體Zac整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。