12月13日，中電科半導體材料有限公司（下文簡稱“中電材料”）官微發(fā)文稱，近日，中電材料下屬國盛電子大尺寸硅外延材料產(chǎn)業(yè)化項目第一枚碳化硅（SiC）外延產(chǎn)品誕生，標志著中電材料SiC產(chǎn)業(yè)化建設迎來了新階段。
國盛電子表示，首枚SiC外延產(chǎn)品誕生，預示著后續(xù)新品全尺寸檢測評估，向客戶提供驗證樣片工作正式啟動，也意味著國盛電子已步入第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的快車道。
據(jù)悉，國盛電子一直致力于高性能半導體外延材料的研發(fā)和生產(chǎn)服務，公司主營硅基、SiC基外延片，產(chǎn)品被廣泛用于集成電路芯片和半導體分立器件。
近兩年來，中電材料在第三代半導體外延領域頻頻出招。
去年4月，中電材料孫公司南京盛鑫半導體材料有限公司（下文簡稱“盛鑫半導體”）舉行大尺寸硅外延材料產(chǎn)業(yè)化項目開工儀式。
今年6月，盛鑫半導體大尺寸硅外延材料產(chǎn)業(yè)化項目實現(xiàn)首批設備入場。
據(jù)中電材料消息，該項目是南京市集成電路產(chǎn)業(yè)鏈建設的地標性項目，將建設外延主廠房、晶體加工廠房、綜合試驗樓、動力站等相關建筑，主要從事大尺寸硅外延片和第三代半導體外延片生產(chǎn)。
同年11月，中電材料南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地宣布正式投產(chǎn)運行。中電材料南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地項目于2021年9月27日簽約落戶南京江寧開發(fā)區(qū)綜合保稅區(qū)，占地面積約10萬平方米。
該項目分兩期實施，其中一期投資19.3億元，將建設成立第三代化合物外延材料、8-12英寸硅外延材料產(chǎn)業(yè)基地等。項目達產(chǎn)后，將形成8-12英寸硅外延片456萬片/年，6-8英寸化合物外延片12.6萬片/年的生產(chǎn)能力。（文：集邦化合物半導體Morty整理）
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