PI、南瑞半導(dǎo)體透露SiC MOS項(xiàng)目新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 12 月 14 日 17:46 | 分類 企業(yè)

因搭載高壓平臺(tái)的電動(dòng)汽車在補(bǔ)能、續(xù)航等方面的表現(xiàn)出色,可以大幅提高客戶的使用體驗(yàn),大有成為主流之勢。而SiC MOSFET在高壓車載領(lǐng)域的良好表現(xiàn),受到市場的追捧,新規(guī)格SiC MOSFET和其衍生品也在不斷出新。就SiC MOSFET領(lǐng)域來看,又有兩家企業(yè)有了新動(dòng)態(tài)。

Power Integrations推出具有快速短路保護(hù)功能且適配62mm SiC MOSFET和IGBT模塊的門極驅(qū)動(dòng)器

PI近日推出全新系列的即插即用型門極驅(qū)動(dòng)器,新驅(qū)動(dòng)器適配額定耐壓在1700V以內(nèi)的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊,具有增強(qiáng)的保護(hù)功能,可確保安全可靠的工作。SCALE-2 2SP0230T2x0雙通道門極驅(qū)動(dòng)器可在不到2微秒的時(shí)間內(nèi)部署短路保護(hù)功能,保護(hù)緊湊型SiC MOSFET免受過電流的損壞。新驅(qū)動(dòng)器還具有高級(jí)有源鉗位(AAC)功能,可保護(hù)開關(guān)在關(guān)斷期間免受過壓影響,從而實(shí)現(xiàn)更高的直流母線工作電壓。

據(jù)介紹,2SP0230T2x0門極驅(qū)動(dòng)器基于Power Integrations成熟的SCALE-2技術(shù),集成度更高、尺寸更小、功能更強(qiáng)、系統(tǒng)可靠性更高,是軌道交通輔助變換器、電動(dòng)汽車非車載型充電裝置和電網(wǎng)靜止同步補(bǔ)償器(STATCOM)穩(wěn)壓器等應(yīng)用的理想之選。Power Integrations的緊湊型2SP0230T2x0外形尺寸為134x62mm,可提供1700V加強(qiáng)絕緣,可驅(qū)動(dòng)耐壓在1700V以內(nèi)的功率模塊;這比通常限制在1200V的傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)器高出500V。

南瑞半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V/40mΩ SiC MOSFET通過車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證

近日,南瑞半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V/40mΩ SiC MOSFET器件(NCM40S12T4K2)順利通過AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證。

據(jù)了解,AEC-Q作為國際通用的車規(guī)級(jí)電子元器件測試規(guī)范,目前已成為車用元器件質(zhì)量與可靠性的標(biāo)志。該認(rèn)證包括各類環(huán)境應(yīng)力、可靠性、耐久性、壽命測試等,通過AEC-Q認(rèn)證代表著器件具有優(yōu)異品質(zhì)和高可靠性,更是打開車載供應(yīng)鏈的敲門磚和試金石。

據(jù)悉,南瑞半導(dǎo)體成立于2019年,布局功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。專注電網(wǎng)領(lǐng)域核心器件自主可控,提供IGBT芯片研制、模塊設(shè)計(jì)、封裝測試、應(yīng)用分析等全業(yè)務(wù)流程產(chǎn)品和服務(wù)。

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體不完全統(tǒng)計(jì),目前僅有以下企業(yè)的SiC功率器件通過AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證:

現(xiàn)今,南瑞半導(dǎo)體躋身通過AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證企業(yè)之列,將助力國內(nèi)車載SiC功率器件發(fā)展。(文:集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理)

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