韓國(guó)APROSEMICON公司新建GaN生產(chǎn)基地

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 12 月 25 日 17:45 | 分類 企業(yè)

據(jù)外媒消息,近日,韓國(guó)APROSEMICON公司(首席執(zhí)行官Jonghyun Lim)將把其光州總部遷至慶北龜尾,并投資600億韓元(折合人民幣約3.3億元)建設(shè)以氮化鎵 (GaN) 為基礎(chǔ)的功率半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施。

為此,該公司于12日與慶尚北道和龜尾市簽署了諒解備忘錄。Aprosemicon將在龜尾生產(chǎn)GaN功率半導(dǎo)體外延片,并優(yōu)先供應(yīng)給蓄電池充放電設(shè)備使用。

外延片是GaN半導(dǎo)體的關(guān)鍵材料,而韓國(guó)的GaN外延片目前主要依靠進(jìn)口。為了打破這一局面,APRO Semicon除了設(shè)計(jì)GaN半導(dǎo)體外,還于2021年引進(jìn)了韓國(guó)首臺(tái) MOCVD(8 英寸GaN功率半導(dǎo)體外延片生產(chǎn)設(shè)備),并建立了外延片生產(chǎn)體系。該公司表示,其生產(chǎn)的GaN功率半導(dǎo)體符合半導(dǎo)體合同制造商(代工廠)所要求的質(zhì)量、均勻性和產(chǎn)量,并確保了價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力。

據(jù)公開(kāi)資料顯示,APRO Semicon成立于2020 年,前身是蓄電池設(shè)備公司KOSDAQ和上市公司APRO 的半導(dǎo)體部門(mén)?,F(xiàn)今它已在該領(lǐng)域取得一些成就,為全球下一代化合物半導(dǎo)體提供核心材料和零件,還可為電動(dòng)汽車、電動(dòng)交通和家用電器所需的GaN功率半導(dǎo)體和射頻GaN半導(dǎo)體提供從設(shè)計(jì)到制造的一體化解決方案。

與硅(Si)基半導(dǎo)體相比,GaN半導(dǎo)體具有高電壓和高耐熱性,作為下一代功率半導(dǎo)體材料備受關(guān)注。APROSEMICON計(jì)劃通過(guò)此次投資,從德國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備制造商愛(ài)思強(qiáng)(AIXTRON)購(gòu)買兩臺(tái)MOCVD設(shè)備,到2025年將GaN外延片的年生產(chǎn)能力擴(kuò)大到20000片。

圖片來(lái)源:拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

GaN作為第三代半導(dǎo)體材料的代表之一,在車載領(lǐng)域的應(yīng)用頻次正在逐漸提升,尤其是在電動(dòng)汽車(EV)和混合動(dòng)力汽車(HEV)中。GaN技術(shù)因其高效率、高頻率操作能力和小尺寸等優(yōu)勢(shì),在車載電力電子系統(tǒng)中展現(xiàn)出良好的潛力。

文:集邦化合物半導(dǎo)體Morty編譯
據(jù)外媒消息,近日,韓國(guó)APROSEMICON公司(首席執(zhí)行官Jonghyun Lim)將把其光州總部遷至慶北龜尾,并投資600億韓元(折合人民幣約3.3億元)建設(shè)以氮化鎵 (GaN) 為基礎(chǔ)的功率半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施。

為此,該公司于12日與慶尚北道和龜尾市簽署了諒解備忘錄。Aprosemicon將在龜尾生產(chǎn)GaN功率半導(dǎo)體外延片,并優(yōu)先供應(yīng)給蓄電池充放電設(shè)備使用。

外延片是GaN半導(dǎo)體的關(guān)鍵材料,而韓國(guó)的GaN外延片目前主要依靠進(jìn)口。為了打破這一局面,APRO Semicon除了設(shè)計(jì)GaN半導(dǎo)體外,還于2021年引進(jìn)了韓國(guó)首臺(tái) MOCVD(8 英寸GaN功率半導(dǎo)體外延片生產(chǎn)設(shè)備),并建立了外延片生產(chǎn)體系。該公司表示,其生產(chǎn)的GaN功率半導(dǎo)體符合半導(dǎo)體合同制造商(代工廠)所要求的質(zhì)量、均勻性和產(chǎn)量,并確保了價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力。

據(jù)公開(kāi)資料顯示,APRO Semicon成立于2020 年,前身是蓄電池設(shè)備公司KOSDAQ和上市公司APRO 的半導(dǎo)體部門(mén)?,F(xiàn)今它已在該領(lǐng)域取得一些成就,為全球下一代化合物半導(dǎo)體提供核心材料和零件,還可為電動(dòng)汽車、電動(dòng)交通和家用電器所需的GaN功率半導(dǎo)體和射頻GaN半導(dǎo)體提供從設(shè)計(jì)到制造的一體化解決方案。

與硅(Si)基半導(dǎo)體相比,GaN半導(dǎo)體具有高電壓和高耐熱性,作為下一代功率半導(dǎo)體材料備受關(guān)注。APROSEMICON計(jì)劃通過(guò)此次投資,從德國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備制造商愛(ài)思強(qiáng)(AIXTRON)購(gòu)買兩臺(tái)MOCVD設(shè)備,到2025年將GaN外延片的年生產(chǎn)能力擴(kuò)大到20000片。

GaN作為第三代半導(dǎo)體材料的代表之一,在車載領(lǐng)域的應(yīng)用頻次正在逐漸提升,尤其是在電動(dòng)汽車(EV)和混合動(dòng)力汽車(HEV)中。GaN技術(shù)因其高效率、高頻率操作能力和小尺寸等優(yōu)勢(shì),在車載電力電子系統(tǒng)中展現(xiàn)出良好的潛力。(文:集邦化合物半導(dǎo)體Morty編譯)

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