上海新一代化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目有新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 12 月 25 日 17:44 | 分類 功率

根據(jù)中建八局上海公司官微消息,昨(24)日,新一代化合物半導(dǎo)體研制基地項(xiàng)目全面封頂,標(biāo)志著項(xiàng)目高效、安全地完成了主體結(jié)構(gòu)建設(shè)任務(wù)。

據(jù)介紹,項(xiàng)目位于浦東新區(qū)泥城鎮(zhèn),總建筑面積5.79萬(wàn)平方米,是上海市重大工程。項(xiàng)目以打造國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、國(guó)際一流的紅外探測(cè)器研制生產(chǎn)基地為目標(biāo),建成后將形成年產(chǎn)1萬(wàn)套焦平面探測(cè)器的能力,推進(jìn)我國(guó)紅外探測(cè)器的技術(shù)進(jìn)步,帶動(dòng)相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展,創(chuàng)造更大的經(jīng)濟(jì)和社會(huì)效益。

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據(jù)了解,新一代化合物半導(dǎo)體材料在紅外探測(cè)器領(lǐng)域的應(yīng)用主要集中在提高探測(cè)器的性能和拓展其應(yīng)用范圍。這些材料包括但不限于銻化物半導(dǎo)體,如銻化鎵(GaSb)和銻化銦(InSb),和二維材料以及新型的氧化物材料等。

盡管這些新型化合物半導(dǎo)體材料在紅外探測(cè)器領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的潛力,但它們?cè)诖笠?guī)模生產(chǎn)、器件的穩(wěn)定性和可靠性方面仍面臨挑戰(zhàn)。因此,未來(lái)的研究將繼續(xù)集中在提高材料的制備工藝、優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)以及探索新的應(yīng)用場(chǎng)景。(文:集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理)

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