根據(jù)中建八局上海公司官微消息，昨（24）日，新一代化合物半導體研制基地項目全面封頂，標志著項目高效、安全地完成了主體結構建設任務。
據(jù)介紹，項目位于浦東新區(qū)泥城鎮(zhèn)，總建筑面積5.79萬平方米，是上海市重大工程。項目以打造國內(nèi)領先、國際一流的紅外探測器研制生產(chǎn)基地為目標，建成后將形成年產(chǎn)1萬套焦平面探測器的能力，推進我國紅外探測器的技術進步，帶動相關產(chǎn)業(yè)發(fā)展，創(chuàng)造更大的經(jīng)濟和社會效益。
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據(jù)了解，新一代化合物半導體材料在紅外探測器領域的應用主要集中在提高探測器的性能和拓展其應用范圍。這些材料包括但不限于銻化物半導體，如銻化鎵（GaSb）和銻化銦（InSb），和二維材料以及新型的氧化物材料等。
盡管這些新型化合物半導體材料在紅外探測器領域展現(xiàn)出巨大的潛力，但它們在大規(guī)模生產(chǎn)、器件的穩(wěn)定性和可靠性方面仍面臨挑戰(zhàn)。因此，未來的研究將繼續(xù)集中在提高材料的制備工藝、優(yōu)化器件結構以及探索新的應用場景。（文：集邦化合物半導體Morty整理）
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