1月5日，晶升股份公布投資者關系活動記錄表，介紹了公司碳化硅（SiC）長晶設備的價格及研發(fā)進展。
據(jù)介紹，晶升股份8英寸SiC長晶設備目前進展順利，已通過了客戶處的批量驗證。價格方面，6英寸SiC長晶設備已大批量出貨，價格趨于穩(wěn)定，相對較低；8英寸SiC長晶設備根據(jù)不同設計和配置，價格比6英寸設備高30%至50%左右。
圖源：晶升股份
襯底作為SiC產(chǎn)業(yè)鏈中價值量最高的一環(huán)，目前正在朝著8英寸的方向發(fā)展。而“兵馬未動，糧草先行”，設備企業(yè)也在不斷更新?lián)Q代，8英寸SiC設備新動態(tài)頻傳。
晶盛機電于2023年6月宣布成功研發(fā)出具有國際先進水平的8英寸單片式SiC外延生長設備。據(jù)介紹，該設備可兼容6/8英寸SiC外延生產(chǎn)，在6英寸外延設備原有的溫度高精度閉環(huán)控制、工藝氣體精確分流控制等技術基礎上，解決了腔體設計中的溫場均勻性、流場均勻性等控制難題，實現(xiàn)了成熟穩(wěn)定的8英寸碳化硅外延工藝。
特思迪8英寸SiC全自動減薄設備已投入市場、8英寸雙面拋光設備已通過工藝測試進入量產(chǎn)階段。2023年12月，特思迪完成B輪融資，所獲資金將進一步推動公司在技術突破、產(chǎn)能擴充、產(chǎn)品研發(fā)、產(chǎn)業(yè)布局、人才引進等關鍵環(huán)節(jié)的發(fā)展進程，加快8英寸SiC等半導體材料磨拋設備的國產(chǎn)化。
電科裝備在2023上海國際半導體展覽會上發(fā)布了最新研制的8英寸SiC外延設備。該設備有三個突破性的指標，分別是采用該設備生產(chǎn)的8英寸生長厚度均勻性小于1.5%、摻雜濃度均勻性小于4%、表面致命缺陷小于0.4個/c㎡。
納設智能在2023年8月宣布成功研制出8英寸SiC外延設備。該設備具備獨特反應腔室設計、可獨立控制的多區(qū)進氣方式以及智能的控制系統(tǒng)，將更好地提高外延片的均勻性，降低外延缺陷及生產(chǎn)中的耗材成本。（集邦化合物半導體 Winter整理）
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