半導(dǎo)體封測(cè)廠微矽電子昨（22）日舉行上市前業(yè)績(jī)發(fā)表會(huì)，董事長(zhǎng)張秉堂表示，公司布局多年的氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）第三代半導(dǎo)體測(cè)試、薄化及切割技術(shù)，預(yù)期今年將持續(xù)受惠于車(chē)用產(chǎn)業(yè)需求，推動(dòng)公司營(yíng)運(yùn)向上成長(zhǎng)，目前微矽電子在中國(guó)臺(tái)灣竹南新擴(kuò)建的廠房有望在第2季投入量產(chǎn)。
微矽電子目前主要提供半導(dǎo)體測(cè)試、晶圓薄化與半導(dǎo)體封裝的整合性服務(wù)，并鎖定電源效率相關(guān)的功率元件與電源管理IC加工。此外，微矽電子表示，近年亦積極投入GaN與SiC的測(cè)試、薄化與切割技術(shù)，相關(guān)技術(shù)處于領(lǐng)先地位。
其中，微矽電子在竹南廠區(qū)擴(kuò)建的新廠房，預(yù)計(jì)今年第1季將可望完工，第2季完成無(wú)塵室建置，同季就可投入量產(chǎn)，將全力搶占GaN、SiC等相關(guān)商機(jī)。
除了微矽電子，一些在化合物半導(dǎo)體布局的臺(tái)廠近期也有新動(dòng)作。
圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)
近期臺(tái)系企業(yè)齊發(fā)力
在SiC方面，1月11日，半導(dǎo)體材料廠商環(huán)球晶圓宣布，其已與一線大廠簽長(zhǎng)期供料合約，并預(yù)估今年SiC晶圓產(chǎn)能在原先6000片/月的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)翻倍。此外，環(huán)球晶圓還表示，公司今年在SiC襯底的重點(diǎn)工作是完成晶圓從6吋到8吋的轉(zhuǎn)化，已陸續(xù)送樣給客戶。據(jù)介紹，環(huán)球晶圓在GaN領(lǐng)域也有布局，但營(yíng)收僅為SiC的十分之一。
再看GaN領(lǐng)域，GaN廠商鴻鎵科技在本月初表示，其提供的65W GaN快充，通過(guò)了日本PSE認(rèn)證，公司一舉成為中國(guó)臺(tái)灣首家打入要求嚴(yán)格的日商供應(yīng)鏈的公司。而同為GaN廠商的偉詮電子作為T(mén)ransphorm的長(zhǎng)期合作伙伴，隨著Transphorm被日本IDM大廠瑞薩電子收購(gòu)，也可望獲得打入瑞薩供應(yīng)鏈的機(jī)會(huì)。
除了SiC和GaN，中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)在第四代半導(dǎo)體材料氧化鎵（Ga2O3）領(lǐng)域亦有新進(jìn)展。1月18日，臺(tái)灣中山大學(xué)晶體研究中心與臺(tái)灣應(yīng)用晶體公司及其所屬集團(tuán)簽訂“大尺寸Ga2O3晶體生長(zhǎng)”項(xiàng)目合作協(xié)議，企業(yè)出資5000萬(wàn)新臺(tái)幣（折合人民幣約1150萬(wàn)元）投入Ga2O3單晶研究，目標(biāo)三年內(nèi)成功生產(chǎn)6吋Ga2O3單晶。
據(jù)悉，中國(guó)臺(tái)灣中山大學(xué)晶體研究中心去年已成功生長(zhǎng)出直徑6吋的SiC晶體，技術(shù)轉(zhuǎn)移中國(guó)臺(tái)灣應(yīng)用晶體公司及其所屬集團(tuán)，讓其有信心與中國(guó)臺(tái)灣中山大學(xué)繼續(xù)合作; 此外，研究中心過(guò)去也曾生長(zhǎng)出直徑40mm的Ga2O3單晶，未來(lái)三年將努力實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破。
小結(jié)
近年來(lái)，受全球“雙碳政策”以及汽車(chē)電動(dòng)化趨勢(shì)的影響，以SiC和GaN還有Ga2O3為代表的化合物半導(dǎo)體開(kāi)始頻繁出圈。中國(guó)臺(tái)灣是世界半導(dǎo)體領(lǐng)域極具影響力的地區(qū)之一，臺(tái)系廠商也感受到了風(fēng)向變動(dòng)，并相繼開(kāi)展動(dòng)作。但在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，不乏重注押寶的玩家，臺(tái)系廠商在這一領(lǐng)域能否擁有更多的話語(yǔ)權(quán)，仍需時(shí)間來(lái)佐證。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Morty）
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