利普思推出全新62mm封裝SiC產品組合

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 02 月 20 日 14:35 | 分類 企業(yè)

利普思推出全新62mm封裝SiC模塊產品組合,性能達到業(yè)內一流水平。模塊采用工業(yè)領域大量應用的62mm模塊半橋型拓撲設計,使用高品質的成熟芯片,其耐壓高、功率密度出眾、短路耐量高、溫度系數在1.4倍,優(yōu)于行業(yè)水平。62mm封裝SiC模塊包含1200V和1700V耐壓規(guī)格,滿足大功率應用需求,特別適用于電網、軌交、儲能、大電源等應用。

得益于采用業(yè)內領先的芯片方案,并運用了低熱阻和低雜散封裝技術,以及Si3N4 AMB低熱阻基板的使用,使得利普思62mm封裝SiC產品在功率密度、短路耐流、熱阻等能力方面發(fā)揮出色,特別是在高結溫的工況下,模塊導通損耗和開關損耗指標顯著優(yōu)于行業(yè)水準。

如上圖所示,在客戶實際測試和應用中,對比市場主流產品62mm封裝SiC模塊,在同等Rg條件下,利普思模塊在導通、關斷、反向恢復等損耗均表現(xiàn)更好,且可以實現(xiàn)更快的開關速度,這一特性為客戶的應用和驅動參數的設置上帶來了更靈活的選擇。

來源:利普思半導體

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