3月11日，納微半導體（下文簡稱“納微”）公布了其AI數據中心技術路線圖，為滿足預計在未來12-18月內類似指數級增長的AI功率需求，路線圖中的產品功率將提高3倍。
納微表示，傳統CPU一般只需要300W，而數據中心交流/直流電源的功率大小通常等于10個CPU功率總和或3,000W (3kW)。但像NVIDIA的“Grace Hopper”H100這樣的高性能AI處理器現在功率要求已達700W，下一代“Blackwell”B100和B200芯片預計將在明年增加到1,000W或更高。
為了滿足這種指數級的功率增長，納微正在開發(fā)從3kW迅速提升到10kW的服務器電源平臺。2023年8月，納微科技推出3.2kW數據中心電源平臺，采用最新的氮化鎵（GaN）技術，功率超過100W/in3，效率超過96.5%?，F在，納微又發(fā)布了一個4.5kW平臺，該平臺由GaN和碳化硅（SiC）相結合，可將密度提高到130W/in3以上，效率超過97%。
圖片來源：拍信網正版圖庫
這兩個平臺已經引起了市場的巨大興趣，有20多個數據中心客戶項目正在開發(fā)中，預計從今年開始將帶來數百萬美元的GaN或SiC收入。
同一天，納微還宣布計劃在2024年底前推出8-10kW的電力平臺，以支持2025年的AI電力需求。該平臺將采用更新GaN和SiC技術，并進一步改進架構，在功率密度、效率和上市時間方面樹立全新的行業(yè)標準。納微已經與主要數據中心客戶展開合作，預計將于24年第四季度全面推出該平臺，在短短12-18個月內滿足電力增長3倍的需求。
納微獨特的數據中心設計正在創(chuàng)建這些系統設計，以應對AI數據中心電力需求的急劇增長，并協助客戶快速有效地部署平臺，以滿足人工智能快速發(fā)展所帶來的加速上市需求。系統設計包括經過全面測試的硬件、原理圖、材料清單、布局、仿真和硬件測試結果等完整的設計資料，以最大限度地實現首次正確設計和快速創(chuàng)收。
集邦化合物半導體Morty編譯
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