3月11日，納微半導(dǎo)體（下文簡稱“納微”）公布了其AI數(shù)據(jù)中心技術(shù)路線圖，為滿足預(yù)計(jì)在未來12-18月內(nèi)類似指數(shù)級(jí)增長的AI功率需求，路線圖中的產(chǎn)品功率將提高3倍。
納微表示，傳統(tǒng)CPU一般只需要300W，而數(shù)據(jù)中心交流/直流電源的功率大小通常等于10個(gè)CPU功率總和或3,000W (3kW)。但像NVIDIA的“Grace Hopper”H100這樣的高性能AI處理器現(xiàn)在功率要求已達(dá)700W，下一代“Blackwell”B100和B200芯片預(yù)計(jì)將在明年增加到1,000W或更高。
為了滿足這種指數(shù)級(jí)的功率增長，納微正在開發(fā)從3kW迅速提升到10kW的服務(wù)器電源平臺(tái)。2023年8月，納微科技推出3.2kW數(shù)據(jù)中心電源平臺(tái)，采用最新的氮化鎵（GaN）技術(shù)，功率超過100W/in3，效率超過96.5%?，F(xiàn)在，納微又發(fā)布了一個(gè)4.5kW平臺(tái)，該平臺(tái)由GaN和碳化硅（SiC）相結(jié)合，可將密度提高到130W/in3以上，效率超過97%。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
這兩個(gè)平臺(tái)已經(jīng)引起了市場的巨大興趣，有20多個(gè)數(shù)據(jù)中心客戶項(xiàng)目正在開發(fā)中，預(yù)計(jì)從今年開始將帶來數(shù)百萬美元的GaN或SiC收入。
同一天，納微還宣布計(jì)劃在2024年底前推出8-10kW的電力平臺(tái)，以支持2025年的AI電力需求。該平臺(tái)將采用更新GaN和SiC技術(shù)，并進(jìn)一步改進(jìn)架構(gòu)，在功率密度、效率和上市時(shí)間方面樹立全新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。納微已經(jīng)與主要數(shù)據(jù)中心客戶展開合作，預(yù)計(jì)將于24年第四季度全面推出該平臺(tái)，在短短12-18個(gè)月內(nèi)滿足電力增長3倍的需求。
納微獨(dú)特的數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)正在創(chuàng)建這些系統(tǒng)設(shè)計(jì)，以應(yīng)對(duì)AI數(shù)據(jù)中心電力需求的急劇增長，并協(xié)助客戶快速有效地部署平臺(tái)，以滿足人工智能快速發(fā)展所帶來的加速上市需求。系統(tǒng)設(shè)計(jì)包括經(jīng)過全面測試的硬件、原理圖、材料清單、布局、仿真和硬件測試結(jié)果等完整的設(shè)計(jì)資料，以最大限度地實(shí)現(xiàn)首次正確設(shè)計(jì)和快速創(chuàng)收。
集邦化合物半導(dǎo)體Morty編譯
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