3月20日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（下文簡(jiǎn)稱(chēng)“鎵仁半導(dǎo)體”）宣布，公司聯(lián)合浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院、硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，采用自主開(kāi)創(chuàng)的鑄造法于今年2月成功制備了高質(zhì)量6英寸非故意摻雜及導(dǎo)電型氧化鎵(β-Ga2O3)單晶，并加工獲得了6英寸氧化鎵襯底片。
6英寸非故意摻雜（上）與導(dǎo)電型（下）氧化鎵單晶（source：鎵仁半導(dǎo)體）
鎵仁半導(dǎo)體表示，基于上述成果，其也成為了國(guó)內(nèi)首個(gè)掌握6英寸氧化鎵單晶襯底制備技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化公司。
據(jù)介紹，鎵仁半導(dǎo)體是一家專(zhuān)注于氧化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的科技型企業(yè)。
鎵仁半導(dǎo)體指出，此次制備6英寸氧化鎵襯底采用的鑄造法，具有以下顯著優(yōu)勢(shì)：第一，鑄造法成本低，由于貴金屬I(mǎi)r的用量及損耗相比其他方法大幅減少，成本顯著降低；第二，鑄造法簡(jiǎn)單可控，其工藝流程短、效率高、尺寸易放大；第三，鑄造法擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，中國(guó)和美國(guó)專(zhuān)利已授權(quán)，為突破國(guó)外技術(shù)壟斷，實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化替代奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
公開(kāi)資料顯示，氧化鎵是一種超寬禁帶材料，超越了目前已經(jīng)商用器件的禁帶寬度，達(dá)到了4.2電子伏特以上，也有人稱(chēng)之為第四代半導(dǎo)體材料。相比于以碳化硅，氧化鎵的制造成本較低。
就氧化鎵襯底方面來(lái)看，日本的NCT目前占據(jù)領(lǐng)先地位。但隨著國(guó)內(nèi)企業(yè)制備氧化鎵襯底的技術(shù)升級(jí)和產(chǎn)能提升，總體呈現(xiàn)追趕態(tài)勢(shì)，后續(xù)有望獲取更多氧化鎵市場(chǎng)。
集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理
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