據(jù)悉，在半導(dǎo)體工藝制程中，芯片內(nèi)阻越小，芯片面積越大，單芯片上缺點數(shù)越高，芯片的良率也會越差。對于10mΩ級別內(nèi)阻的GaN芯片，制造難度較大。而云鎵半導(dǎo)體近日在10mΩ內(nèi)阻GaN芯片研發(fā)方面取得了突破。
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近日，據(jù)云鎵半導(dǎo)體官微披露，其自主研發(fā)了650V/150A的大電流芯片，導(dǎo)通內(nèi)阻典型值10mΩ，實現(xiàn)了E-mode GaN器件較高的電流等級。基于先進的工藝制造平臺，以及云鎵的自研工藝，實現(xiàn)了大于80%的芯片良率。
據(jù)介紹，云鎵半導(dǎo)體此工藝研發(fā)的方案非常適合新能源汽車領(lǐng)域的模塊需求，焊盤引腳設(shè)計更加靈活多變，降低了芯片成本，可以按照不同客戶的方案，實現(xiàn)定制化需求。此外更小的寄生，更小的走線設(shè)計，可以提升系統(tǒng)性能。
官微資料顯示，云鎵半導(dǎo)體成立于2021年11月，是一家專業(yè)從事GaN功率器件及解決方案的設(shè)計公司。目前，云鎵半導(dǎo)體已推出多款GaN功率器件及IC類產(chǎn)品，產(chǎn)品類型覆蓋了100-900V電壓平臺，以及分立/合封/GaN IC等多種產(chǎn)品形態(tài)，應(yīng)用場景可覆蓋消費電子、數(shù)據(jù)中心、再生能源以及汽車電子等領(lǐng)域。
據(jù)了解，隨著GaN在以快充為代表的消費應(yīng)用領(lǐng)域迅速普及，消費類市場已全面向GaN敞開。同時，GaN器件正在向以數(shù)據(jù)中心、再生能源等為代表的工業(yè)類市場滲透。對此，云鎵半導(dǎo)體開始著手布局工業(yè)類應(yīng)用。
今年初，云鎵半導(dǎo)體陸續(xù)推出650V GEN-2平臺產(chǎn)品，聚焦導(dǎo)通電阻RDS(on)為15-100mΩ范圍的低導(dǎo)阻、大功率應(yīng)用，通過器件設(shè)計與工藝平臺的共同優(yōu)化，將功率器件關(guān)鍵性能參數(shù)Ron，max*Qg以及Ron，max*Qoss優(yōu)化將近20%，較好解決了導(dǎo)通損耗與驅(qū)動損耗、開關(guān)損耗的trade-off問題。同時基于更優(yōu)化的走線方案以及工藝制程升級，管芯面積縮減超40%，增加了每片晶圓可獲取的GaN管芯的數(shù)量，降低了單顆器件成本。（來源：云鎵半導(dǎo)體，集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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