9月10號晚，長飛先進宣布，公司武漢基地主體樓已全面封頂。
source：長飛先進
據(jù)悉，長飛先進武漢基地主要聚焦于第三代半導體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，致力于打造一個集芯片設計、制造及先進技術研發(fā)于一體的現(xiàn)代化半導體制造基地。項目總投資預計超過200億元，占地面積約22.94萬㎡，建筑面積約30.15萬㎡，主要建設內(nèi)容包括晶圓制造廠房、封裝廠房、外延廠房、動力廠房、成品庫、綜合辦公樓、員工宿舍以及生產(chǎn)配套用房設施等。
日前，長飛先進的晶圓廠、封測廠、外延廠、宿舍樓與綜合樓已實現(xiàn)封頂。
據(jù)介紹，10月開始，長飛先進武漢基地將迎來首批設備搬入，并于2025年6月實現(xiàn)量產(chǎn)通線。項目投產(chǎn)后可年產(chǎn)36萬片SiC晶圓及外延、6100萬個功率器件模塊，廣泛應用于新能源汽車、光儲充等領域。
長飛先進專注于SiC功率半導體產(chǎn)品研發(fā)及制造，具備從外延生長、器件設計、晶圓制造到模塊封測的全流程生產(chǎn)能力和技術研發(fā)能力。
目前，長飛先進產(chǎn)品覆蓋650V-3300V全電壓平臺的SiC MOSFET和SBD，應用于車載主驅(qū)、車載OBC、光伏逆變器、充電樁逆變器、工業(yè)電源等全場景。長飛先進目前晶圓代工產(chǎn)品超過50款，自營產(chǎn)品超過20款，其中1200V 15mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)開始導入市場，面向車載主驅(qū)逆變器應用場景。（來源：集邦化合物半導體整理）
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