9月10日,晶圓代工大廠世界先進宣布,擬投資24.8億新臺幣(折合人民幣約5.5億元),以獲取漢磊科技公司(下文簡稱“漢磊”)13%的股權(quán)。雙方將進行策略合作,共同推動8英寸碳化硅(SiC)晶圓技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造。
source:漢磊
資料顯示,漢磊位于中國臺灣新竹科學(xué)園,專注于碳化硅以及氮化鎵的代工,目前企業(yè)擁有1座4/5英寸及2座6英寸晶圓廠。
近年來,隨著國際大廠與國內(nèi)相關(guān)企業(yè)相繼開始建設(shè)8英寸碳化硅產(chǎn)線,漢磊此前就有意愿布局8英寸化合物半導(dǎo)體,卻受制于自建8英寸廠房過高的成本。今年6月,有媒體曝漢磊為進軍8英寸領(lǐng)域,考慮與現(xiàn)有8英寸廠商合作。
而世界先進目前有5座8英寸晶圓廠,自身也有8英寸氮化鎵代工業(yè)務(wù),但缺乏碳化硅技術(shù)。雙方合作能實現(xiàn)資源互補,并可節(jié)約成本,創(chuàng)造更多經(jīng)濟效益。
在漢磊與世界先進的合作中,相關(guān)技術(shù)初期將由漢磊轉(zhuǎn)移,預(yù)計2026下半年開始量產(chǎn)。
漢磊董事長徐建華表示:“漢磊與世界先進的合作將在漢磊現(xiàn)有6英寸晶圓制造技術(shù)及客戶的基礎(chǔ)上,共同合作進行8英寸碳化硅技術(shù)平臺開發(fā)及產(chǎn)能布建,以提供全球IDM及Fabless客戶具有長期競爭力的解決方案?!?/p>
世界先進董事長方略表示:“憑借公司領(lǐng)先的特殊積體電路制造專業(yè),以及漢磊在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的卓越技術(shù),使公司基于現(xiàn)有的電源管理IC,分立器件以及氮化鎵外,再導(dǎo)入碳化硅后,更能成為具備完整第三代化合物半導(dǎo)體的8英寸晶圓廠,為拓展電源管理產(chǎn)品相關(guān)業(yè)務(wù)市場,提供從低功耗到高功率、從低頻到高頻操作,更加完整的電源管理技術(shù)平臺,有望能為客戶的產(chǎn)品提供更具競爭力的全方位解決方案?!保罨衔锇雽?dǎo)體Morty整理)
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