9月17日,日本礙子株式會(NGK,下文簡稱日本礙子)在其官網宣布,已成功制備出直徑為8英寸的SiC晶圓,并表示公司將于本月低在美國ICSCRM 2024展示8英寸SiC晶圓及相關研究成果。
公開資料顯示,日本礙子成立于1919年5月5日,主要業(yè)務包括制造和銷售汽車尾氣凈化所需的各種工業(yè)用陶瓷產品、電子及電氣設備用陶瓷產品、特殊金屬產品、蓄電系統、絕緣子和電力相關設備等。
6英寸SiC晶圓(source:日本礙子)
除了展示8英寸SiC晶圓以外,日本礙子還將披露“在多種襯底上生長低BPD密度4H-SiC單晶的新方法”。
日本礙子表示,減少SiC襯底中的BPD是提高SiC功率器件產量和可靠性的重要手段。公司開發(fā)出了一種工藝,利用其陶瓷加工技術在多個襯底上生長具有低BPD密度的4H-SiC晶體。今年3月,日本礙子表示,通過該工藝,其完成了在4英寸4H-SiC籽晶上同時生長了9個晶體的實驗。
除了碳化硅,日本礙子在氮化鎵(GaN)方面也有布局。
早在2012年,日本礙子便在其他研究機構的協助下,在開發(fā)出來的GaN晶圓上制造了LED元件,并進行了發(fā)光性能試驗。據介紹,日本礙子的GaN晶片采用其專有的液相晶體生長法生產,整個晶圓表面的BPD密度大幅降低。
目前,日本礙子已開發(fā)出用于激光二極管等光源器件的2英寸GaN晶圓的量產結構。日本礙子現正開發(fā)射頻器件和功率器件應用,努力進一步增大直徑并降低位錯密度,旨在早日開發(fā)出量產結構。(集邦化合物半導體Morty整理)
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