9月17日，日本礙子株式會（NGK，下文簡稱日本礙子）在其官網(wǎng)宣布，已成功制備出直徑為8英寸的SiC晶圓，并表示公司將于本月低在美國ICSCRM 2024展示8英寸SiC晶圓及相關(guān)研究成果。
公開資料顯示，日本礙子成立于1919年5月5日，主要業(yè)務(wù)包括制造和銷售汽車尾氣凈化所需的各種工業(yè)用陶瓷產(chǎn)品、電子及電氣設(shè)備用陶瓷產(chǎn)品、特殊金屬產(chǎn)品、蓄電系統(tǒng)、絕緣子和電力相關(guān)設(shè)備等。
6英寸SiC晶圓（source：日本礙子）
除了展示8英寸SiC晶圓以外，日本礙子還將披露“在多種襯底上生長低BPD密度4H-SiC單晶的新方法”。
日本礙子表示，減少SiC襯底中的BPD是提高SiC功率器件產(chǎn)量和可靠性的重要手段。公司開發(fā)出了一種工藝，利用其陶瓷加工技術(shù)在多個襯底上生長具有低BPD密度的4H-SiC晶體。今年3月，日本礙子表示，通過該工藝，其完成了在4英寸4H-SiC籽晶上同時生長了9個晶體的實驗。
除了碳化硅，日本礙子在氮化鎵（GaN）方面也有布局。
早在2012年，日本礙子便在其他研究機構(gòu)的協(xié)助下，在開發(fā)出來的GaN晶圓上制造了LED元件，并進行了發(fā)光性能試驗。據(jù)介紹，日本礙子的GaN晶片采用其專有的液相晶體生長法生產(chǎn)，整個晶圓表面的BPD密度大幅降低。
目前，日本礙子已開發(fā)出用于激光二極管等光源器件的2英寸GaN晶圓的量產(chǎn)結(jié)構(gòu)。日本礙子現(xiàn)正開發(fā)射頻器件和功率器件應(yīng)用，努力進一步增大直徑并降低位錯密度，旨在早日開發(fā)出量產(chǎn)結(jié)構(gòu)。（集邦化合物半導體Morty整理）
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