近日,SiC外延生長(zhǎng)CVD設(shè)備供應(yīng)商納設(shè)智能成功研制出更大尺寸具有更多創(chuàng)新技術(shù)的8英寸碳化硅外延設(shè)備,此設(shè)備具備獨(dú)特反應(yīng)腔室設(shè)計(jì)、可獨(dú)立控制的多區(qū)進(jìn)氣方式、以及智能的控制系統(tǒng),將更好的提高外延片的均勻性,降低外延缺陷及生產(chǎn)中的耗材成本。
sourse:納設(shè)智能
目前,6英寸碳化硅技術(shù)已經(jīng)趨向成熟,產(chǎn)業(yè)正在向8英寸邁進(jìn),相信在不久的將來會(huì)進(jìn)入8英寸時(shí)代。晶圓尺寸越大,外延工藝難度也就越大,必然對(duì)設(shè)備提出更高的要求,正所謂“一代設(shè)備,一代工藝”,納設(shè)智能開發(fā)的8英寸碳化硅外延設(shè)備順應(yīng)了產(chǎn)業(yè)向更大尺寸的發(fā)展趨勢(shì),在技術(shù)上具有前瞻性,同時(shí)能夠向下兼容6英寸外延,非常符合當(dāng)前市場(chǎng)對(duì)于6英寸和8英寸兼容的需求。
目前,納設(shè)智能已實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅外延設(shè)備的交付,該設(shè)備在客戶現(xiàn)場(chǎng)生產(chǎn)的外延片厚度不均勻性≤2%,濃度不均勻性~4%,表面粗糙度≤0.3cm-2,缺陷控制良好。
近年來,隨著SiC應(yīng)用領(lǐng)域的擴(kuò)展,需求的激增,產(chǎn)業(yè)對(duì)于SiC外延片品質(zhì)和產(chǎn)能要求不斷提高,SiC外延設(shè)備也就占據(jù)了產(chǎn)業(yè)鏈上游關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
SiC外延層的制備方法主要有:化學(xué)氣相沉積(CVD);液相外延生長(zhǎng)(LPE);分子束外延生長(zhǎng)(MBE)等。其中CVD法具有可以精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、缺陷較少、生長(zhǎng)速度適中、過程可自動(dòng)控制等優(yōu)點(diǎn),是目前已經(jīng)成功商業(yè)化的SiC外延技術(shù) 。(文:集邦化合物半導(dǎo)體 Amber整理)
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