東部高科宣布加大SiC/GaN研發(fā)

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 10 月 23 日 17:33 | 分類 企業(yè)

據(jù)外媒報道,韓國晶圓代工大廠東部高科(DB HiTek)宣布正在加大力度研發(fā)SiC、GaN功率半導體器件,并已為此引進了生產(chǎn)所需的核心設備。

據(jù)了解,東部高科專業(yè)從事8英寸晶圓代工,于2021年底宣布將在2022年一季度開發(fā)基于下一代半導體材料的功率半導體,同步發(fā)展SiC和GaN技術(shù)。

在GaN領域,東部高科在2022年初公布了在硅晶圓上生長8英寸GaN半導體元件的計劃。據(jù)其介紹,采用硅基GaN技術(shù)可提升半導體制造的競爭力,從而簡化晶圓工藝,提高晶圓代工廠的盈利能力。為此,東部高科積極推進這個計劃,并于2022年9月與韓國半導體公司A-pro Semicon達成合作,雙方正在協(xié)同開發(fā)8英寸GaN功率半導體技術(shù)。

在SiC領域,東部高科主要專注于開發(fā)6-8英寸SiC功率半導體,正在積極建設相關產(chǎn)線,并已參與韓國國家政策項目,與釜山技術(shù)園合作開發(fā)SiC。針對汽車應用市場,盡管目前6英寸晶圓是主流,但東部高科的目標主要還是在于8英寸晶圓。

據(jù)悉,由于市場復蘇緩慢,東部高科的8英寸晶圓廠運營預計將受到影響,而轉(zhuǎn)向12英寸晶圓廠運營的問題仍然存在。在此背景下,東部高科未來的發(fā)展將集中在GaN和SiC等下一代功率半導體上。

不難發(fā)現(xiàn),韓國另一大晶圓代工廠三星今年也持續(xù)加大了對第三代半導體市場的布局,可以看到,第三代半導體這一賽道有利于韓國廠商拓寬利潤增長點,在韓國政府對第三代半導體的大力支持和推動下,包括三星、東部高科在內(nèi)的韓國廠商有望加速取得技術(shù)突破和拓展業(yè)務,進一步縮短與歐美廠商之間的差距。(化合物半導體市場Jenny整理)

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