據(jù)外媒報(bào)道，韓國(guó)晶圓代工大廠東部高科（DB HiTek）宣布正在加大力度研發(fā)SiC、GaN功率半導(dǎo)體器件，并已為此引進(jìn)了生產(chǎn)所需的核心設(shè)備。
據(jù)了解，東部高科專業(yè)從事8英寸晶圓代工，于2021年底宣布將在2022年一季度開(kāi)發(fā)基于下一代半導(dǎo)體材料的功率半導(dǎo)體，同步發(fā)展SiC和GaN技術(shù)。
在GaN領(lǐng)域，東部高科在2022年初公布了在硅晶圓上生長(zhǎng)8英寸GaN半導(dǎo)體元件的計(jì)劃。據(jù)其介紹，采用硅基GaN技術(shù)可提升半導(dǎo)體制造的競(jìng)爭(zhēng)力，從而簡(jiǎn)化晶圓工藝，提高晶圓代工廠的盈利能力。為此，東部高科積極推進(jìn)這個(gè)計(jì)劃，并于2022年9月與韓國(guó)半導(dǎo)體公司A-pro Semicon達(dá)成合作，雙方正在協(xié)同開(kāi)發(fā)8英寸GaN功率半導(dǎo)體技術(shù)。
在SiC領(lǐng)域，東部高科主要專注于開(kāi)發(fā)6-8英寸SiC功率半導(dǎo)體，正在積極建設(shè)相關(guān)產(chǎn)線，并已參與韓國(guó)國(guó)家政策項(xiàng)目，與釜山技術(shù)園合作開(kāi)發(fā)SiC。針對(duì)汽車應(yīng)用市場(chǎng)，盡管目前6英寸晶圓是主流，但東部高科的目標(biāo)主要還是在于8英寸晶圓。
據(jù)悉，由于市場(chǎng)復(fù)蘇緩慢，東部高科的8英寸晶圓廠運(yùn)營(yíng)預(yù)計(jì)將受到影響，而轉(zhuǎn)向12英寸晶圓廠運(yùn)營(yíng)的問(wèn)題仍然存在。在此背景下，東部高科未來(lái)的發(fā)展將集中在GaN和SiC等下一代功率半導(dǎo)體上。
不難發(fā)現(xiàn)，韓國(guó)另一大晶圓代工廠三星今年也持續(xù)加大了對(duì)第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)的布局，可以看到，第三代半導(dǎo)體這一賽道有利于韓國(guó)廠商拓寬利潤(rùn)增長(zhǎng)點(diǎn)，在韓國(guó)政府對(duì)第三代半導(dǎo)體的大力支持和推動(dòng)下，包括三星、東部高科在內(nèi)的韓國(guó)廠商有望加速取得技術(shù)突破和拓展業(yè)務(wù)，進(jìn)一步縮短與歐美廠商之間的差距。（化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)Jenny整理）
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