11月10日，中電科半導(dǎo)體材料有限公司南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地宣布正式投產(chǎn)運行。
資料顯示，中電科半導(dǎo)體材料有限公司是中國電子科技集團有限公司二級單位，專業(yè)從事第一代半導(dǎo)體硅材料、第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）材料及新型電子功能材料、特種光纖材料、襯底材料的研發(fā)、生產(chǎn)。
據(jù)悉，中電科半導(dǎo)體材料有限公司南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地項目于2021年9月27日簽約落戶南京江寧開發(fā)區(qū)綜合保稅區(qū)，占地面積約10萬平方米。該項目分兩期實施，其中一期投資19.3億元，將建設(shè)成立第三代化合物外延材料、8-12英寸硅外延材料產(chǎn)業(yè)基地等。項目達產(chǎn)后，將形成8-12英寸硅外延片456萬片/年，6-8英寸化合物外延片12.6萬片/年的生產(chǎn)能力。
2022年11月，中電科南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地實現(xiàn)了首片硅外延和碳化硅外延下線，標(biāo)志著該產(chǎn)業(yè)基地進入試生產(chǎn)和驗證階段。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
該項目用一年多時間完成簽約落戶到進入試生產(chǎn)，再用一年時間完成試生產(chǎn)到正式投產(chǎn)運行，項目進度相當(dāng)迅速。
據(jù)了解，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料，由于其寬帶隙、高電子飽和漂移速度、高熱導(dǎo)率、大擊穿場強等優(yōu)勢，是制備高功率密度、高頻率、低損耗電子器件的理想材料。
其中，碳化硅功率器件具有能量密度高、損失小、體積小等優(yōu)勢，在新能源汽車、光伏、軌道交通、大數(shù)據(jù)等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景；氮化鎵射頻器件具有高頻、高功率、較寬頻帶、低功耗、小尺寸的優(yōu)勢，在5G通訊、物聯(lián)網(wǎng)、軍用雷達等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用。
而在加工制備中，襯底上制備高質(zhì)量外延材料是提高器件性能及可靠性，推動第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的關(guān)鍵。（化合物半導(dǎo)體市場Zac整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。